Cubeq 0 29 апреля, 2017 Опубликовано 29 апреля, 2017 · Жалоба Такой вот вопрос, не могу понять. Зачем нужен несимметричный pn переход? То есть зачем смещать барьер в сторону одной из областей? \ Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
V_G 8 29 апреля, 2017 Опубликовано 29 апреля, 2017 · Жалоба Если имеется в виду тонкая база, то в диодах она нужна для уменьшения времени рекомбинации неосновных носителей, т.е. времени восстановления обратного сопротивления диода при переключении. В транзисторах тонкая база вообще принципиальна, т.к. в толстой базе бОльшая часть носителей успевает рекомбинировать, уменьшая долю носителей, проникающую в коллектор, и уменьшая тем самым коэффициент усиления. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
