[Shivers 0]

Про 140-150°С: ведь КМОП для гораздо бОльших температур проектируют, у X-Fab есть завод 1х10, там HTSOI до 220°С. Да и то, наверное, ограничение больше из-за утечек, а не деградации

[Sergey_VV 0]

Про 140-150°С: ведь КМОП для гораздо бОльших температур проектируют, у X-Fab есть завод 1х10, там HTSOI до 220°С. Да и то, наверное, ограничение больше из-за утечек, а не деградации

Какой бы Fab не построили, кремниевые микросхемы не эксплуатируются при температурах свыше 125°С. Нет необходимости. ЭТТ делают на 100% образцов при 125°С. Возможно, что для некоторых типов кремниевых микросхем допускаются кратковременные перегревы. А вообще можно поГуглить на эту тему.

Помню, что для Штатовской комической станции, которая должна была совершить посадку на Венеру, планировали сделать высокотемпературные транзисторы на основе карбида кремния. Но это экзотика, которая в промышленности не применяется. Советская станция таки села и работала там несколько часов. В том числе передавала изображение (хотя и не долго, так как температура на поверхности около 500°С, давление 100 атмосфер.

__"

«Венера-13» и «Венера-14» — спускаемые аппараты станций в марте 1982 года совершили мягкую посадку на поверхность планеты.

__"

https://ru.wikipedia.org/wiki/Венера_(космическая_программа)

 

[Shivers 0]

Интересная у Вас аргументация. Я пишу про реальный фаб и процесс, где заявлено 220 градусов, а Вы мне пишете про ЭТТ для отечественной госприемки. Уверен, X-fab разработал свой высокотемпературный КНИ не для того чтобы ЭТТ проходить :laughing:

It is ideally suited for automotive and industrial applications operating at high temperatures up to 225 °C.

 

[Sergey_VV 0]

Интересная у Вас аргументация. Я пишу про реальный фаб и процесс, где заявлено 220 градусов, а Вы мне пишете про ЭТТ для отечественной госприемки. Уверен, X-fab разработал свой высокотемпературный КНИ не для того чтобы ЭТТ проходить :laughing:

Ну, положим, что т.н. стандарты "отечественной приёмки" скопированы из штатовсих стандартов , так как там потребность в этом возникла раньше. Кстати, если указанное изделие предназначено для ответственного бортового оборудования, то ЭТТ для всех 100% образцов неизбежно. Может только температура выбрана другая.

Итак, по Вашей ссылке смотрим Datasheet:

https://www.xfab.com/fileadmin/X-FAB/Downlo...0_Datasheet.pdf

 

Используется технология SOI (Silicon on Insulator), что означает "Кремний на диэлектрике". Известны несколько способов создания таких структур. Анонсирована "Полная двойная диэлектрическая изоляция карманов, 3 металлических слоя с возможностью работы при высокой температуре до 225°C. Присуща радиационная стойкость.

Для меня в этом ничего сверх-нового. Обычная квалифицированная работа технологов.

Следует обратить внимание на то, есть две технологические модификации:

- Tj = -40°C to 125°C (without HTMET), - обычная температура для кремниевых приборов.

- Tj = -40°C to 225°C (with HTMET) - высокотемпературная.

Могу предположить, что HTMET означает (Height Temperature Metallisation) высокотемпературную металлизацию (разводка тугоплавкими металлами с низкой растворимостью в Si и малым коэффициентом диффузии в Si. Прямой поиск в Google к сожалению, не дал быстрого результата по этой аббревиатуре.

 

Лет 20-30 назад в кремниевых ИС в качестве металлической разводки использовался только алюминий (температура вжигания 550-600°С). При 220° уже возможна ускоренная деградация контактов из-за диффузии алюминия в кремний а также электромиграция (ионы алюминия просто выносит из некоторых мест и там разводка утончается). В технологии микропроцессоров и схем памяти уже давно перешли на медную разводку. Она менее подвержена электромиграции.

Я ориентируюсь в технологиях ИС, так как реально занимался этим но, естественно, не смогу отчитаться за все последние мировые достижения.

Уважаемый Shivers, я отреагировал на Ваш вопрос по одному из возможных направлений моделирования в TCAD «Деградация кремниевых полупроводниковых приборов после длительной выдержки при повышенных температурах» потому что хотел помочь Вам разобраться в этом непростом вопросе.

И ещё добавлю: для того, чтобы сдвинуть p-n переходы в уже изготовленной по полному технологическому маршруту микросхеме или транзисторе, нужно поднять температуру настолько, что еще задолго до начала движения p-n переходов металлическая разводка вожжётся в кремний и прибор перестанет существовать. Финишные слои ИС весьма низкотемературны и будут необратимо разрушены при перегреве.

Надеюсь, что мои сообщения были полезными, хотя и не исчерпывающими.

Кстати, стандарты испытаний на надёжность - это отдельная тема, я уже упоминал об этом.

Возможности моделирования в TCAD по этому направлению скорее всего ограничены.

-----

У меня же сейчас есть насущная задача - освоить моделирование в TCAD для типовых кремниевых приборов - биполярных транзисторов и полевых, управляемых p-n переходим (JFET).

В разделе "tcad начало" обнаружил, что уже существует версия под Windows, кроме того для работы под Linux используются виртуальные машины VMWare (например, скачал Red Hat for VMWare with TCAD). Но пока не смог разобраться что же из этого самое последнее и совершенное, и как с этим работать. Если сможете помочь хоть чем-то - буду благодарен.

Изменено 15 августа, 2017 пользователем Sergey_VV

[Sergey_VV 0]

Привет всем

не поможите разобраться с программой Ise Tcad 7

до этого работал в Pisces2b, но в нем слишком мало возможностей и Очень много ограничений.

 

помогите пожалуйста

обьясните по шагам как построить простейшую топологию (например транзистор) как получить его вольт-амперные характеристики, как подвергнуть различного рода влиянию (освещению магнитного поля и т.д.)

Tcad установил (эмуляция под windows)

Датировка Вашего сообщения 2006-м годом позволяет надеяться, что Вы уже значительно продвинулись в решении поставленной задачи.

Я же только приступаю. У меня практически та же задача - освоить моделирование в TCAD для типовых кремниевых приборов - биполярных транзисторов и полевых, управляемых p-n переходим (JFET).

В разделе "tcad начало" обнаружил, что уже существует версия под Windows, кроме того для работы под Linux используются виртуальные машины VMWare (например, скачал Red Hat for VMWare with TCAD). Но пока не смог разобраться, что же из этого самое последнее и совершенное, и как с этим работать. Если сможете помочь хоть чем-то - буду благодарен.

[Shivers 0]

Sergey_VV

Я лишь указал на то, что кроме ЭТТ есть задачи разработки для высоких температур. Датчики для двигателей ДВС, сопла ракет, турбины самолетов, доменные печи, да мало ли куда может понадобится засунуть электронику. На +125С свет клином не сошелся точно.

 

HTMET - это вольфрам или сплавы. Медь/алюминий не годятся. Основной бонус КНИ в данном случае - вовсе не радстойкость, а низкий ток утечки, что очень важно на высоких температурах. Впрочем, я тоже не технолог, просто немного знаком с проблематикой.

[Sergey_VV 0]

Sergey_VV

Я лишь указал на то, что кроме ЭТТ есть задачи разработки для высоких температур. Датчики для двигателей ДВС, сопла ракет, турбины самолетов, доменные печи, да мало ли куда может понадобится засунуть электронику. На +125С свет клином не сошелся точно.

 

HTMET - это вольфрам или сплавы. Медь/алюминий не годятся. Основной бонус КНИ в данном случае - вовсе не радстойкость, а низкий ток утечки, что очень важно на высоких температурах. Впрочем, я тоже не технолог, просто немного знаком с проблематикой.

Насчёт "я тоже не технолог" B) - а я, как раз технолог, поэтому проблематику не просто знаю, а многое пришлось разрабатывать лично. К сожалению, в 90-е эту отрасль уничтожили. Выбили из-под ног профессию, как палач табуретку :(

Насчёт рад-стойкости в том же Datasheet указано:

APPLICATIONS -

"Intrinsic radiation hardness"

Что можно толковать как "в конструкцию заложена повышенная рад-стойкость." То есть, на этом не делается акцент.

 

Это SOC, System-on-a-Chip, или Система На Кристалле

https://ru.wikipedia.org/wiki/Система_на_кристалле

 

Утечки p-n переходов неизбежны, но зато компоненты схемы диэлектрически изолированы, поэтому нет утечек карманов. (утечек между компонентами схемы). Такова особенность конструкции. Такие системы были известны как минимум 20 лет назад. В данном случае по этой технологии сделан серийноспособный прибор с выгодными потребильскими характеристиками.

[baumanets 12]

Для оживления темы выкладываю фрагмент своей студенческой НИРС.

Надеюсь, он поможет студентам и не только, снять ВАХи с виртуальных тестовых структур.

 

 

Моделирование технологического процесса изготовления ИМС серии 1564 в системе TCAD.pdf

[AxeEffect 0]

Всем здравствуйте!

Появилась потребность в программе, начал разбираться, и, хоть тема давно зарыта - я попробую задать вопрос, а вдруг)

 

В ткад синопсис имеется команда загонки примеси implant, где указываются дозы и энергии, и разгонки - посредством команды diffuse, где указывается время, температура, автомосфера, и тд. С этим как бы вопросов особо нет.

Но есть другой способ формирования областей - посредством нанесения диффузанта поверх пластины (например хлорид фосфора PCl3), покрытие диэлектриком, и последующией диффузией. Как такое реализовать в ткаде? Возможно здесь нужна уже команда deposit, но какой там материал использовать - я не знаю. Хлорида фосфора там нет совсем.

Буду рад помощи, спасибо!

[baumanets 12]

26 минут назад, AxeEffect сказал:

Но есть другой способ формирования областей - посредством нанесения диффузанта поверх пластины (например хлорид фосфора PCl3), покрытие диэлектриком, и последующией диффузией. Как такое реализовать в ткаде? Возможно здесь нужна уже команда deposit, но какой там материал использовать - я не знаю. Хлорида фосфора там нет совсем.

Буду рад помощи, спасибо!

Увольте главного технолога вашего предприятия. Станет чище и светлее.

А дозу фосфора набирайте ионной имплантацией.

Любая загонка примеси, кроме ионной имплантации, даёт разброс параметров -> брак.

Да, и не стойте рядом во время нанесения PCl3 и разгонки, если вы не хотите умереть раньше пенсии.

Для технологов с суицидальными наклонностями, работающим в 2020-е по технологиям 1960-х,

в TCAD должны быть модели боросиликатного BSG и фосфоросиликатного стекла PSG.

Как они вызываются, смотрите floops --pdb или -pdb ключ. Не помню уже.

В базе есть списки параметров газов и осаждаемых стекол.

И User Manual на более чем 1000 страниц также в помощь.

[AxeEffect 0]

2 часа назад, baumanets сказал:

в TCAD должны быть модели боросиликатного BSG и фосфоросиликатного стекла PSG.

Как они вызываются, смотрите floops --pdb или -pdb ключ. Не помню уже.

В базе есть списки параметров газов и осаждаемых стекол.

И User Manual на более чем 1000 страниц также в помощь.

floops, я так понимаю - в устаревших версиях Ткада только есть. Доступа к базе на сайте нету, в имеющихся моделях в программе ничего похожего не нашёл, но процесс идёт действительно через формирование фосфоросиликатного стекла (газ проходит через диффузант, образуя ФСС, я так понимаю. Если у Вас есть возможность подглянуть в модели - буду рад, Спасибо.