K0nstantin

Дело молодого энтузиазма) За деньги может кто и сделает. К тому же нужно мониторить апдейты. Что за буква И?

Сами производители не всегда потрудятся, чтобы предоставить откалиброванные характеристики. Что уж говорить про модели. А разговор про каталог всех девайсов всех производителей...

Так для это существуют квазистатические симуляторы, в которых быстро подбираются те же приближённые значения топологий. А если речь про "что откуда берётся", то это даже не Excel, а литература)

Не спрашивал, но Вы то ответили Я лишь указал, что: Вы же ответили чуток позже Предпредпоследнее предложение перечитайте. Последнее предложение адресован вам. Пробуйте) Времени много видимо)

Я не всегда использую MBEND например. Не всегда глушу открытые линии. Практически никогда не использую TEE. Могу не использовать модель встречноштырьевого конденсатора, а взять MCLIN. Не всегда пользуюсь экстракцией в конце-концов. НА этапе предварительного расчёта и оптимизации это экономит ресурсы. Про ЕМ анализ автор не спрашивал. Но зачем отвечать каждый раз по новой модели, которую подкинут в тему, если есть основная? Видно, что спросивший только входит в тему, зачем его нагружать и путать дополнительной информацией? Разберётся со временем. И нужно смотреть какая схема, если там много таких вот моделей, а не 3 линии, может отличия уже будут существенные?

Для первого вашего вопроса Ang(S(2.1)). MLIN и MLEF и прочие элементы из этой вкладки это квазистатические модели. Они учитывают только то, что заложено в конкретную модель. MLIN неподключенным оставлять нельзя, на крайний случай заглушить элементом OPEN, но всё равно будет немного отличаться от MLEF. В общем случае нужно смотреть какие элементы будут в бедующей схеме с учётом их расположения друг относительно друга. И уже отталкиваясь от этого брать те или иные модели. Окончательное моделирование нужно проводить с помощью EM анализа.

Никто не говорил, что необходимо переход N-тип\PCB. После разъёма можно городить всё что угодно, если габариты позволяют))) Диоды Шоттки иногда располагают в самом корпусе т.н. разъёма, естественно это дело тоже нужно согласовывать.

Ещё бы сразу в темы соответствующие писали.

Непосредственно сама микросхема детектора мощности уже выбрана? И обвязка спроектирована? Или разрешается это сделать разработчику? Не совсем понятно написано.

Что ещё за палочки с приклеенными конденсаторами? Где-то на просторах интернета такой подстроечный механизм видел.

Ну коли так, от MACOM использовал другие pin-диоды MADP-011027-14150T. Правда они зашунтированы на землю, но зато есть S-параметры. Использовал для аттенюатора на 10 ГГц, изоляция на одном диоде около 20 дБ получить можно. Здесь была где-то темка по этим диодам. MADP-011027-14150T.pdf

Так а взять готовые свичи почему нет? Например, ADRF5050 (4 канала, до 20ГГц, 33дБм), сделать 3 каскада:4*4*4=48 каналов. Думаю в потери 5дБ +/- уложитесь. А коммутировать что там, что там надо много исходя из желаемого количества каналов.

Хоть бы потери на отражение указали какие. Эх, постсоветская информативность сайтов и даташитов.

Решено. Замок в верхней части экрана. Не решено. Как-нибудь можно увеличить Limit number of vertices per polygon? Сейчас значение максимальное 8123. Но топология большая, и часть полигона при экспорте в GDS-формат обрезается.

Спасибо, подходит.