Смотрю datasheet на 1N4001 - 1N4007 и вижу, что эти диоды отличаются только допустимым обратным напряжением. Ёмкость одинаковая, прямое падение одинаковое и вообще всё одинаковое, кроме Uобр. График зависимости прямого падения от тока тоже один на всю серию. И вот стало любопытно, как так может быть, что, например, 1N4002 (100 В) и 1N4007 (1000 В) с точки зрения указанных в даташите параметров неразличимы ни по каким признакам, кроме напряжения пробоя. Кроме Vishay, нагуглил даташиты от пары других производителей - всё так же ( OnSemi, Fairchild ).
Нашёл у себя 1N4002 и 1N4007 неизвестного производителя. Измерил прямое падение при 1 А. Действительно одинаковое с точностью до единиц милливольт.
В меру моих скудных познаний в устройстве диодов, чем выше пробивное напряжение, тем меньше степень легирования базы и тем больше толшина низколегированного (высокоомного) слоя. Значит, омические потери у высоковольных диодов при той же площади p-n перехода должны быть заметно больше. А в случае 1N400x оказывается, что диоды практически неразличимы, причём не только по даташиту, но и экспериментально. Правда, напряжение пробоя я не проверял. Может быть 1N4002 на самом деле перемаркированный 1N4007 или наоборот.
В общем, мои гипотезы:
1) Всё же разная площадь p-n перехода.
2) 1N4001 - 1N4007 вообще одинаковые с точки зрения площади перехода и степени легирования. Но не может быть настолько большой разброс по напряжению пробоя в таком случае?
3) У всех у них напряжение пробоя больше 1 кВ, только маркировка разная
на большее фантазии не хватило и вообще в производстве п/п приборов разбираюсь слабо.
Подскажите, пожалуйста, в чём тут разгадка?
