semigas

Это правда не похоже на сдвиг фазы из-за задержки. График неровный и сдвиг по фазе слишком большой. Как и советовали выше сделайте две однопортовые калибровки. С какими кабелями/оснасткой калибруетесь? Если есть возможность откалиброваться без кабелей или с заведомо рабочими фазостабильными кабелями, то сделайте это и сравните результат. Как писали выше сделайте калибровку во всем диапазонеб возможном для калибровочного набора и VNA.

Добрый день, Несколько вопросов: 1. Какой частотный дипазон? 2. Какая мощность сигнала? 3. Калибровочный набор один или можно с другим попробовать? 4. Визуально коннекторы стандарта выглядят нормально? Если измерить при низком напряжении (0,1 V) open и short они действительно open и short? 5. Какая процедура калибровки? Используете софт VNA для калибровки? Параметры калибровочного набора в софте верные?

Тут понятно описано. Everything you've always wanted to know about Hot-S22_compressed.pdf И вот тут Hot S-Parameter Techniques.pdf

Если сигнал значимо большой, то линейность нарушается, особенно в GaN. Hot S это метод получения выходного импеданса транзистора при мощности, подаваемой на вход. При измерении обычных S параметров сигнал подаётся только на один порт. В Hot S сигнал подаётся на вход транзистора и на выход транзистора, чтобы определить выходной импеданс.

Данных load и source pull достаточно для того, чтобы спроектировать цепь, которая согласует транзистор в режим (с точки зрения мощности, КПД и тока). Проверить это будет нельзя до изготовления плат. Ну это же уже не S-параметры. Это в лучшем случае Hot S параметры, да и то не совсем, так как у Hot S метод измерения другой. Использование S параметров на большом сигнале противоречит самой концепции S параметров.

С точки зрения "проверить, что получилось до изготовления плат" обречены. С точки зрения проектирования нет: source, load pull, узнали импедансы, спроектиповали платы, заказали, измерили, скорректировали второй итерацией если нужно. 1-2 Вт мощности думаю уже большой сигнал. Зависит от линойности характеристик вашего транзистора. P.S. можно конечно на основе вашего транзистора сделать измерения X параметров и их использовать в качестве модели, тоже должно дать хороший результат, но думаю это сложно, затратно по времени и тд.

К сожалению не могу, извините.

Давайте на примере допустим от Wolfspeed какого-нибудь. Wolfspeed предлагает модель транзистора (нелинейную), схему и топологию тестовой платы, S-параметры и по одной точке импеданса входной и выходной цепи для конкретного режима работы (обычно максимум мощности и максимум КПД). Если мы говорим о большом сигнале (а мы скорее всего о нем говорим, это ж нитриды), то S-параметры вообще не работают, они малосигнальные. Большая мощность, большой сигнал, нелинейный режим и как следствие несоответствие точек согласования для малого сигнала и для большого. Разработав цепь согласования, имеющую импедансы, указанные в мануале, вы в теории должны получить те же кривые мощности, КПД и тока от входной мощности, как и в мануалах. Если вы хотите использовать другие режимы работы транзистора, то соответственно вам нужно получить (измерить) кривые load и source pull и отределить импедансы исходя из ваших требований и полученных кривых. Если вы хотите проверить что же получится в результате моделирования до изготовления плат, то вам необходимо ваш схематик нагружать не на блок S параметров и не на модель, сделанную на основе S-параметров, а на нелинейную модель транзистора, описывающую поведение транзистора на большом сигнале. Только тогда есть вероятность, что оценка будет правильная.

S-параметры по определению малосигнальные. С точки зрения согласования на большом сигнале в нелинейном режиме (а нитриды в принципе достаточно рано нелинейны) смысла не имеют. Как говорили выше, для проверки цепи согласования необходимо использовать модель от производителя, либо снимать что-то типа Х-параметров и работать с этим.

https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/728779 Вам видимо что-то такое надо, но про усилитель? Может вот тут есть, хотя температуры крио: https://publications.lib.chalmers.se/records/fulltext/248900/local_248900.pdf

Как и сказал выше про то какая ниша у усилеителя ничего не скажу, не знаю. Но обращу внимание, что HMC1114 такой же "покатый" с точки зрения усиления. Там не приведено на каком питании сняты кривые, но тем не менее что Analog Devices берут за линейный участок прикинуть можно.

Я бы еще задался вопросом а что за линейный участок принимают Analog Devices. У Qorvo безусловно есть линейный участок, но где-то ниже нуля по Pin и сответсвенно выходная мощность быудет маленькая. Нитридные транзисторы не всегда, но часто имеют не очень линейную зависимость Pout от Pin (если это не специализированный линейный транзистор/усилитель). Поскольку, на мой взгляд, для некоторых задач важно получить максимальную мощность, пусть и в нелинейном режиме, Qorvo не очень беспокоится о P1dB, а скорее о максимальной Pout (может я не понимаю целевую нишу данного продукта, не специалист в усилителях)

Думаю (предполагаю), что они для этого привели график усиления от мощности. По нему немного удобнее, как мне кажется, но есть нюансы. Если понимать P1dB как точку, где зависимость Pout от Pin отклоняется от линейной зависимости, а под линейной зависимостью Pout от Pin понимается участок, где усиление постоянно (т.е. при увеличении Pin на 1 dBm Pout тоже возростает на 1 dBm), то P1dB лежит вне графика, приведенного Qorvo (у них усиление падает с самого начала, прямо от 0). Для примера приложил картинки c цифрами и сеткой: на картинке c усилением за линейный участок можно взять допустим от 24 до 26 dBm по Pin (на 1 dBm входа приростает 1 dBm на выходе). На картинке Qorvo где взять такой участок по Pin я не знаю: на участке от 0 до 2 dBm по входу при увеличении мощности на 1 dBm на выходе приростает не 1, а 0.8 dBm (усиление падает) . ИМХО P1dB сильно зависит от того что вы примете за линейный участок в своей оценке, поэтому Qorvo не привела конкретную цифру, а приложила график.

Область, которая не должна проводить, может быть забомбардирована ионами, а может быть просто вытравлена, удалена физически. Но способ олдскул. Не то чтобы не работает, но надо извращаться. Про оммические контакты: все зависит от требований и технологических возможностей. Кто-то легирует, кто-то травит, у кого-то все прямо так получается на ГС без особых трудностей.

Ну не все так просто, к сожалению. Качество ионной имплантации зависит от очень многих факторов и не только от имплантера. Да, сделать можно, нужно и правильно, но не так уж просто и далеко не у всех в России получается. По поводу кремниевой технологи для затворов на нитриде: это действительно можно сделать (показано на практике, но не российскими предприятиями), но литография просто так не переносится. И дело не в том что там Si3N4, SiO2 или Al2O3. Ну и самый большой вопрос: люди из GaN в России не обладают мощностями кремниевых заводов, а просто придти в Микрон и сделать литографию отдав ФШ не получится, надо отрабатывать процесс. У кого-то есть такая возможность, а у кого-то нет, зависит от предприятия.