elektronshik

Спасибо всем за ответы! Значит пойдет драйвер без Dead-Time (с Dead-Time сложновато подобрать). Столько понапишут в этой документации в разных местах..., особенно по STM, пока сам не проверишь, ни в чем не уверен, а тут просто под рукой их нет, а выбрать надо заранее.

Т.е. не понял, 500ns - это минимум при тактовой частоте всего контроллера 24Мгц или 72Мгц? Забыл сказать, у меня STM32F103CBT6. Мне надо, хоть убейся, получить самый минимальный Dead-Time, но не 0, от этого зависит, какой драйвер искать/покупать, с Dead-Time или без него. Еще там вроде есть таймеры, у которых на входе делитель на 2, есть без делителя. Или я что-то не понимаю. Вот TIM2,3,4 висят на APB1 которая 36Мгц максимум, а TIM1 на APB2, которая 72МГц максимум. значит я смогу получить ДТ 14нс используя для ШИМ TIM1? А можно 28, 42, 56 и т.д получить, или не так?

В данный момент 45В минимально допустимо, но в перспективе будет 2*45. Поэтому, да, для HIP4081A - это еще один минус.

Здравствуйте! Подскажите пожалуйста полномостовой драйвер, который может управлять MOSFET-ами до 90В, быстрый, чтобы можно было управлять ШИМ-ом до 150кГц с минимальным возможным заполнением 1%. Желательно с внутренним Dead-Time, регулируемым, либо постоянным около 50ns. Чтобы можно было подключить к 3.3V выходу ШИМ микроконтроллера. HIP4081A идеально подходит, но у него входы рассчитаны на 5-15V. Не хочется городить преобразователи уровня. IR2110/13 старый медленный, рассчитанный на высокие напряжения. ir2086s, по таймингам и напряжению тоже подходит, и Dead-Time регулируется, но у него нет входов, только собственный генератор. 2x IRS2011 или LM5107 - Хороши, но на сколько я понял, нет Dead-Time. LM5105/06 - идеально бы подошли, если бы не тупица, который сделал их просто переключаемыми с одним входом! Причем там в корпусах один пин как раз N/C! Такие решения меня просто убивают. Все H-драйверы моторов медленные. MAX5064 вроде хорош, но плоховато с доступностью и ценой. Может еще есть какие-нибудь конкуренты у HIP4081A?

Здравствуйте! Планирую использовать STM32 для управления полномостовым преобразователем. Подскажите пожалуйста точно минимально возможный dead-time, который можно задать ( естесственно>0 ) для аппаратного ШИМ-контроллера. Никак не могу разобраться по документации. Экспериментировать нет возможности.

Нашел еще серию 2CL2F от 8кВ, но ток меньше, хотя есть возможность заказать с aliexpress. Вопрос по диодам актуален.

Конечно же, между слоями будет изоляция лентой ПЭТ, а вот между витками не будет. Многабукаф, но по картинкам я понял, пробивное напряжение - это между витками самого провода. Вот еще возникла проблема с доставабельностью быстродействующих высоковольтных диодов. По всем параметрам в теории подходят вот такие: RUSH105 - 5000В, 200мА, 50нс., но судя по efind.ru, какой-то он редкий. Может есть какой-нибудь аналог? R4000F - слишком медленный. BY8004 - слишком малый ток. Вообще, как думаете, эти диоды будут нормально работать на частоте 100..150 кГц при напряжении 2.5кВ?

А подскажите, как меряется пробивное напряжение провода, т.е. между двумя одинаковыми проводами, или между проводом и оголенным металлом? И еще вот нашел таблицу характеристик провода ПЭТ-155. Почему такая разница пробивного напряжения для диаметра 0.1 и 0.112?

Здравствуйте. Подскажите пожалуйста, где и какую лучше купить ленту ПЭТ для изоляции обмоток слоевого малогабаритного ВВ трансформатора. aliexpress 1 aliexpress 2 aliexpress 3 dx ebay (3M 56 TYPE) На 56 type даже есть документация, но она стоит дороже. Может кто-нибудь покупал эту ленту, отпишитесь, пойдет ли китайская, или лучше та, что на ebay, или есть другие варианты? Сколько она обычно стоит в российских магазинах в розницу? (у нас в городе её не продают) Вообще эта лента самоклеющаяся, или её надо намазывать клеем?

Здравствуйте. Подскажите пожалуйста, где найти эти, или аналогичные диоды в On-Line магазинах минимальной партией. Можно от 4000В и до 150нс. Можно сразу мостовую сборку. R4000F не подойдут по быстродействию.

Вообще-то на выходе шокера получается самостоятельный колебательный контур (трансформатор Теслы), состоящий из первичной обмотки и конденсатора, этот контур замыкает разрядник. Т.е. частотный диапозон определяется параметрами самого контура. Могут получиться и мегагерцы.

Как минимум ПЭТВ-2 довольно распространен, хотя его "высоковольтность" - это скорей побочный эффект от повышения механической устойчивости изоляции. И у нас в городе его даже производят, только вот простым смертным физлицам в соответствующем кол-ве приобрести проблематично. Поэтому я предположил, может у китайцев есть какой-нибудь аналог, с ними проще иметь дело. Искал нечто вроде "одножильный провод с тонкостенной изоляцией из ПВХ" и переводил гуглом. Triple Insulated Wire - как раз то самое кодовое словосочетание. Спасибо! Как жаль, на 99% был уверен что можно. А если параллельно каждому разряднику по резистору 10МОм (емкость то у разрядников меньше пикофарада)? Еще такой вопрос к знающим. Выходной трансформатор шокера должен иметь выходное напряжение ~150кВ и коэфицент трансформации 100 при входном 1500В. Обычно мотают порядка 1000 витков во вторичке. Что при этом выходит: + высокое входное сопротивление + низкое напряжение ~150В на виток, т.е. можно мотать обычной проволокой. - высокое выходное сопротивление (для технологии shaped pulse это важно). - сложность изготовления и повторения. А что если мотать всего 200 витков во вторичке проводом в ПВХ изоляции и 2 витка в первичке?

Добрый день. Задумал ради интереса сделать прибор по технологии shaped pulse. Отталкиваюсь от патента Ледягина Ю.О. и "Злого шокера". V1, V2 Собираюсь немного изменить преобразователь (как минимум, поставить нормальный PWM контроллер типа UC2843). Хочу на выходе получить параметры 2800В, 200Гц, 20Дж/с. В высоковольтной электротехнике у меня опыта маловато (больше разбираюсь в ARM микроконтроллерах и импульсных ИП). Возникли такие вопросы: 1. В патенте на фиг. 2 и 4 присутствует диод 19. Его назначение описывается так: "...первичная обмотка 7 трансформатора 8 шунтируется диодом 19, включенным обратнополярно относительно рабочей полярности накопительного конденсатора 4. В этом случае диод 19 срезает ток самоиндукции первичной обмотки 7 трансформатора 8, отсекая импульсы обратной полярности на обмотке 13 трансформатора 4, а кроме того, препятствует обратному току перезарядки конденсатора 4, что повышает электрический к.п.д. устройства." Но почему диод 19 отсутствует на фиг. 1 и 3, хотя принцип действия этих схем вроде бы аналогичен? 2. Проще всего мне заказать вот эти керамические конденсаторы на 3кВ 10nF и соединить 5-10 штук параллельно. Подойдут ли они для шокера? Читал что пленочные конденсаторы в шокерах взрываются чаще из-за dV/dt, чем от перенапряжения. Как должна себя повести китайская керамика в сравнении, например, с такими пленочными? 3. Можно ли последовательно соединять разрядники (2*1400В) чтобы получить удвоенное напряжение пробоя? Правильно ли я понимаю, что никаких минусов, кроме увеличенных габаритов при этом не возникнет? 4. Если делать полномостовой преобразователь до 2800В с мостовым выпрямителем 3*UF4007 в плече, до какой максимальной частоты будут нормально работать эти диоды в такой конфигурации и при таком напряжении? 5. Где можно заказать высоковольтный обмоточный провод и фторопластовую ленту (за PayPal или на aliexpress)?

Добрый день! Хотелось бы обратиться ко всем, кого интересует данная тема, особенно администраторам и модераторам. Вроде бы, очевидно, что тема важная, счетчик просмотров у неё зашкаливает. Суть её в настоящий момент сводится к тому, чтобы сделать полнофункциональную подделку оригинального J-Link, сэкономив несколько сотен $, или же приобрести у китайцев за очень дешево, не выкинув через неделю из-за поломки. Речь идет, по сути, об одном устройстве, но вот схем уже несколько, и их количество только увеличивается и не факт, что при этом уменьшается количество ошибок, просто срисовываются одни ошибки и добавляютсяа другие, потому что нет обратной связи с их авторами. Логика работы оригинальной схемы уже не понятна. По задумке схема должна обновляться оригинальной прошивкой, поэтому изменения в должны быть минимальны. Кому выгодно все это "творчество" с изобретением велосипедов? Почему бы просто не сделать в теме шапку, чтобы выложить там вариант схемы, который хоть кем-то опробован, а потом всеобщими усилиями искать ошибки и вносить поправки. Туда же можно добавлять ссылки на более-менее добросовестных продавцов. По-моему это сэкономило бы массу времени всем заинтересованным для действительно полезных вещей.

Здравствуйте. Задумал вот сделать еще один клон V8, перечитал всю тему, и был озадачен вот чем: По схеме ourdev_481947.pdf выходит что отключить выходы от таргета невозможно (PA9 служит для переключения JTAG/SWD), транзистор Q2 можно было заменить незадействованным элементом в 74LV125, если вообще эта схема имеет смысл, хотя в инетах более распространена. По ourdev_481293.pdf, вроде предполагается что PA4 и PA27 служат для разрешения сигналов SWDIO(PA13) и SWCLK(PA14) через буфер 74LV125 в случае выбора интерфейса SWD. Если же выбран JTAG, то сигналы TMS и TCK передаются с тех же выходов PA13 и PA14, только через буфер SN74LVC16T245. Остается возможность программно отключить все выходы от таргета. Получается логично. В общем, по какой, все таки, схеме правильно включать буфер 74LV125 для прошивки V8? здесь тоже интересовались. И правильно ли я понял что в V7 линии PA4 и PA27 служат непосредственно для передачи сигналов SWDIO и SWCLK, а в V8 только для включения буферов? хм... вот вытащил с китайского форума V7: PA4 и PA27 используется для реализации функции SWD, который означает, что режим v7 SWD осуществляется непосредственно в порт 7s64 ввода-вывода. V8: SWD прирост населения интерфейса схем, но интерфейс не PA4 и PA27, но и Jtag рот общей PA13 и PA14. Для 74LV125 время PA4 и PA27 контроллер OE штифт. -т.е в пользу ourdev_481293.pdf P.S. Был тут разговор про то что буфер 74ALVC164245 включен "с точностью до наоборот". Может быть потому что в схеме предполагалась именно SN74LVC16T245, у которой и VCCA и VCCB 1.65 - 5.5 V.