Deadsoullf

Архитектура описана в словах и приведен ее рисунок. Вопрос по моделированию не стоит в принципе: модель все равно будет очень далека от реальности. Вопрос по использованию зазоров КПЛ в качестве щелевого излучателя: будет ли так щель излучать (последний рисунок, справа). Понятно, что как-то излучает и гвоздь=) Вопрос эффективности в сравнении с обычной щелью в полигоне, расположенной не вокруг диодов, а под ними (тот же рисунок, слева). Какие вобще там эффекты могут быть? Это же не просто щель, а щель, в которой посередине еще расположен проводник.

Неужели никто не поможет? Вроде ведь есть на форуме просвещенные умы СВЧ-техники.. =(

Тысяча извинений за оффтоп, но я почему-то уже в энной теме не вижу картинок, о которых идет речь. Взываю к помощи! Тема очень интересная и актуальная, а картинок топик-стартера нет.

Красным на первом рисунке выделена щель на нижнем слое металлизации МПЛ (черный - top-слой). К ней подводится импульс строба - щель излучает, наводя поле, которое смещает смесительные диоды. Идея применения CPWG - использовать щель, условно уже имеющуюся в земляном полигоне сверху (точки подведения импульса строба обозначены красным на рис. 2). Теоретически ширину зазора можно увеличивать, это даже позволит загонять в щель больше энергии. Но тогда диод придется устанавливать не в разрыв линии, а просто присоединяться к последней.

Спасибо, mig! Вот это очень полезный график. Был бы очень благодарен за источник.

В том же ТХлайн измеенение частоты в диапазоне 1-40ГГц дает разницу для W всего в 0.005mm, AppCAD - 0.001. То есть сказывается несущественно. Некоторые из приведенных калькуляторов вобще, судя по всему, не берут частоту в расчет волнового сопротивления.

Справедливо. Запарился с MWS, добавил результаты. Долго только это все: построение 3D-модели, оптимизация...

Допуск в 1 mil уже давно реальность вроде как.. Гораздо больше интересует принципиальная достоверность. Это ведь лишь один пример. Здесь максимальный разброс расчетов почти 100мкм, а на другом проекте он может быть и больше.

Вопрос к знатокам и "старцам" СВЧ техники. Предлагаю все таки определиться с тем, каким формулам и программам доверять в плане расчета волнового сопротивления микрополосковых линий. На форумах несколько тем - все кричат за свое. К примеру, хвалят Saturn и AppCAD. Ругают TXLine и т.д. Вот что получается у меня для W с МПЛ на TLY-5 Eps=2.2 h=0.127 t=0.018 (mm) Z=50 Ohm: Программы: TXLine -------- 0.373 Saturn -------- 0.296 AppCAD ------ 0.372 RFSimm99 --- 0.373 Genesys ------ 0.372 CST MWS ---- 0.350 (расчет с Frequency Domain Fast S-parameters) CST MWS ---- 0.360 (расчет с Frequency Domain General Purpose) CST MWS ---- 0.363 (расчет с Time Domain) Он-лайн: http://www1.sphere.ne.jp/i-lab/ilab/tool/ms_line_e.htm ----------------------- 0.368 http://www.emtalk.com/mscalc.php --------------------------------------------- 0.391 http://www.ekswai.com/en_microstrip.htm ------------------------------------- 0.3 http://ncalculators.com/electronics/micros...-calculator.htm ----------------- 0.296 http://referencedesigner.com/tutorials/si/si_06.php --------------------------- 0.296 У одних - разница рассчета не влезает ни в какие 5% даже среди похожих результатов (где 0.3хх). Другие в один голос дают величину 0.296 мм. Таки извечный вопрос: кому верить??? Сам всегда считал в маткаде по формулам из аттача. Получается 0.369 мм. Кстати, прикреплю файл маткад, может, кому-то пригодится =) Z__________________.rar _____________________.___________________________________.pdf

Вот по поводу копланарных линий. Хочу попробовать сделать тестовый экземпляр на GCPWG, но почти уверен, что будут проблемы c переотражениямистроба между верхним и нижним земляными полигонами - т.к. сейчас строб наводится щелью, расположенной под полоском МПЛ. Есть другая идея: что если сделать Не grounded копланарную линию (CPWG) с земляными полигонами только на верхнем слое металлизации и подавать строб на щель, образованную верхними земляными полигонами. Будет ли так работать строб? Есть, правда, "неуютный" момент - по моим расчетам импеданс такой линии очень сильно зависит от толщины металлизации...

Об этом я подумал. Делал иначе: обрезал полосок посередине, в этом месте сверлил отверстие и впаивал резистор так, что сверху он был подсоединен к полоску, а снизу - к земляному полигону. Получал тот же плохой КСВ. 2 VitaliyZ: Делал так: брал готовый смеситель с напыленным тонкопленочным резистором (прямо в продолжение МПЛ, то есть, как по идее должно быть), стирал этот резистор алмазом и припаивал смд 0402 и 0201. И - о чудо! - хотя КСВ изначально не был особенно хорош, он не стал существенно хуже. Возможно, конечно, на высоких частотах почти вся энергия отражалась от предыдущих неоднородностей и до резистора мало что доходило, но тем не менее даже с дискретной терминацией КСВ<=1.5 получен, задача - улучшить результат и решить вопрос стробирования.

Если Вы об этом то у меня полосковая структура, коаксиальные согласованные нагрузки не подойдут. По поводу рассасывания носителей: мы ведь всегда прилагаем обратное смещение к диодам, чтобы задействовать только самую узкую верхушку строб-импульса и в то же время не допускать детектирование диодами проходящего в линии сигнала - так что по идее с рассасыванием зарядов проблем быть не должно. Нашел такую интересную вещь у Хотите-не-хотите: http://www.hittite.com/products/index.html/category/290 есть идея поставить такой аттенюатор перед или вместо (тогда несколько) нагрузки (которая у меня в виде смд-резистора). Мнения? И еще. У Southwest Microwave есть интересная брошюра насчет микрополосковых и копланарных линий: http://www.google.ru/url?sa=t&rct=j&am...b5A&cad=rjt где они пишут, что оптимизированная GCPWG линия имеет лучший КСВ, чем аналогичная микрополосковая линия на той же подложке.

Искренняя благодарность за ссылки на источники и фото их авторам :a14: При моделировании на CST столкнулся с проблемой создания модели 50-омного резистора с распределенными параметрами. Пока этот вопрос не решен. Есть материал, которому можно задать свойства (если правильно помню, проводимость, мю и др.), но при моделировании получается полная ерунда, не соответствующая опыту. При использовании lumped резистора видно, как поле "стекается" в точку соединения с полоском и "вытекает" после резистора. Результат получается также плачевный. Модель смесительного диода в виде двух точечных емкостей тоже, мягко говоря, далека от идеала. Строб формируется пока что на ДНЗ. 2Д528 или MMDB30-B11. Пока что удалось добиться КСВ не более 1.5 в полосе 0.01-40ГГц, нужно лучше. Измерения относительно калибровки на согласованной нагрузке Agilent в тракте 2.4. Остаются и вопросы стробирования. Я читал про такие способы подачи строба: - заведение разнополярных импульсов прямо на диоды; - смещение диодов в поле излучающей щели; - открытие диодов световым потоком; С первыми двумя понятно. Какие особенности с оптикой помимо самого лазера? Идет применение каких-то специальных фоточувствительных диодов или возможно применение обычных смесительных Шоттки с подачей фотопотока необходимой мощности на переход? Как осуществляется временная задержка импульсов? Что почитать? Пикосекондлабз вобще извратились: Как работает сие изобретение и зачем там Step Generator 70mV - я так и не понял. В чем вобще великий смысл использования импульсного лазера, чтобы потом все равно заводить на диоды электрические импульсы стробирования? ЛЮБЫЕ фото внутренней структуры смесителей будут полезны! Даже, пускай, волноводных. У кого есть - не пожалейте, может, наведет на какую-то мысль, решение. P.S.: Уважаемые "знающие"! Видно, что бить в клавиши вам не лень. Но если нечего сказать по делу, не засоряем тему. Вместе с тем - еще раз спасибо форумчанам, кто тратит свое время для ответа на вопрос. Читать название форума умеем. Задача не учебная. Топик актуален.

Я считаю, форум - для того, чтобы спрашивать: кто-то ответит, вопросы и отпадут. Передача знаний - не есть ли эффективный способ обучения, или следует каждому самостоятельно и заново изобретать каменный топор? Если никто не знает, конечно, придется моделировать... Боюсь, волноводные конструкции у меня неприменимы ввиду нетехнологичности, дороговизны и больших проблем с производством. Я проделываю переработку и улучшение имеющейся технологии.

Добрый день, господа! Занимаюсь разработкой стробоскопического сэмплера на полосу 0-40ГГц. В СВЧ не так давно, так что не ругайте, но подсказывайте кто что может. Ничего похожего в поиске не обнаружил. 2 зависимые задачи: 1. Согласование, получение максимально равномерной кривой КСВ. 2. Эффективное стробирование. Есть экспериметы. Куча вопросов. 1) Обнаружил, что согласование улучшается при уменьшении эпсилон и толщины диэлектрика подложки при относительном сохранении топологии. В чем идея? 2) Допустим, имеем переход из разъемного гермовода на микрополосок. Как влияет соотношение диаметра жилы гермовода и ширины линии на согласование? Следует приближать их размеры или лучше делать полосок много шире жилы? 3) Есть полосок и земляной полигон, между ними впаян резистор (см рис, цифра 1) - если разорвать полосок и переместить резистор, запаяв землю на второй отрезок полоска (рис, цифра 2) - то согласование сильно ухудшается. Почему??? 4) Чем дальше резистор от разъема - тем лучше согласование. Почему??? Вся длина линии с земляным полигоном 8-10 мм, линия позолочена - на затухание не грешу. 6) Как осуществить подачу строба на смесительный диод? Какие-нибудь идеи? В литературе предлагается просто заводить строб на диод. Но потом очень геморойно обрабатывать добавку, которую он привносит в выборку сигнала. Буду благодарен за любую информацию, ссылки на источники, литературу и т.д. Фирмачи как-то добиваются идеально ровной КСВ на уровне 1 в огромной полосе. Как - полная загадка. Даже если это интегральные вещи - в чем фишка?