Перейти к содержанию
    

Maksimka

Свой
  • Постов

    108
  • Зарегистрирован

  • Посещение

Репутация

0 Обычный

Информация о Maksimka

  • Звание
    Частый гость
    Частый гость

Информация

  • Город
    Array

Посетители профиля

1 751 просмотр профиля
  1. Вам фотошаблон с такой точностью и необходимой дефектностью никто не сделает, плюс сама по себе обычная установка ФЛ будет давать ошибку совмещения такую, что дай бог парочка транзисторов с пластины будет нормально работать. Тут реально такое ощущение, что одни технологи собрались. Многие думают, что вот они взяли правильную ГС, сделали правильный Т-затвор, транзистор готов. Ребят, так это не работает. У вас будут утечки, плохой Шоттки, низкие пробивные, большие лаги, маленькая крутизна, маленький ток, очень быстрая деградация, малая плотность мощности. И с этим всем вы будете бороться, даже имея в наличии самое крутое оборудование. А когда вы будете думать, что вы что-то побороли, вас ударит по голове при выпуске следующей пластины. А когда решите менять проектную норму, все пойдет по новому кругу.
  2. Если вы решили наладить разработку и производство GaN-транзисторов - почет вам и уважение. Но, как уже сказали, будет долго и дорого. И, если вы решите идти по заветам Артемия Лебедева, не ждите, что третий завет у вас исполнится даже частично. Одними технологами вы не отделаетесь, еще нужны специалисты, которые могут в конструкцию, в DC и RF. В институты даже можете не обращаться, там еще те советчики сидят-пердят. Специалистов очень мало, и с каждым годом все меньше и меньше. Кто-то уезжает, кто-то уходит в другие отрасли. Из тех, кто реально может сделать GaN-транзистор по собственной технологии, начиная от роста ГС и заканчивая разделением кристаллов, - это Светлана-Рост. Про рынок сбыта уже сказали.
  3. Да, почитайте соседнюю тему.
  4. S-параметры для малого сигнала, в каком режиме сняты - должно быть указано. В любом случае из S-параметров вы не рассчитаете усилитель, и неважно в каком режиме они были сняты. Как найти импедансы для согласования: либо указаны в даташите, либо иметь нелинейную модель транзистора, либо самим делать Лоад-Пулл.
  5. При использовании модели транзистора в виде S-параметров не надейтесь на вообще какой-либо адекватный результат.
  6. Странный даташит. Графики не бъются со значениями в таблице. Причем тут импульсы - вообще не понятно. Vgs(off) - напряжение отсечки. Начальный ток стока 1 мА - это типо нормально закрытый? Потому что нормально открытый с таким током - не понятно для чего такой вообще делать.
  7. Match не используется вообще. В качестве Reflect может использоваться ХХ либо КЗ. Количество Line разной длины зависит от диапазона частот. В Thru должен быть весь тракт кроме конденсатора, вместо конденсатора сделайте перемычку.
  8. Попробуйте этот ZFREQ прицепить к земле либо к порту с импедансом 0 Ом. Как альтернативу HBTUNER вместе с обычным портом. Я его правда использовал только на фиксированных частотах. Попробуйте задать массив значений. Как еще одну альтернативу можно попробовать подобрать RLC цепочку.
  9. https://awrcorp.com/download/faq/english/docs/Layout/layout_config.html http://kb.awr.com/display/examples/Layout_Line_Types
  10. Делайте с помощью окружностей и булевых операций.
  11. Нужно открыть топологию new_cell. Затем нажать на библиотеку (в данном случае HMC611...). Появится список всех ячеек библиотеки. Выбрать нужную и перетащить в окно топологии new_cell. Сохранить топологию или весь проект.
  12. Для этого нужно другую ячейку верхнего уровня перенести в new_cell и сохранить изменения.
  13. Реактивную часть тоже скомпенсировать надо. В Load_Pull_Template для всего этого есть тюнеры, крутите их.
  14. У вас условия даны Vds=3V, Vgs=0V. Чего вы тут ерничаете.
×
×
  • Создать...