Перейти к содержанию
    

Alex_IC

Свой
  • Постов

    195
  • Зарегистрирован

  • Посещение

Репутация

0 Обычный

Информация о Alex_IC

  • Звание
    Частый гость
    Частый гость
  • День рождения 01.03.1983

Информация

  • Город
    Array

Посетители профиля

3 082 просмотра профиля
  1. to |1|1|1 А какое количество "number of sheets" использовалось в модели толстого металла при расчетах в Sonnet? По моим экспериментам, есть существенная зависимость, правда расчеты проводил с практически квадратным сечением линии.... в приложении сравнение: 2D FEM - FEMM, 3D FEM - HFSS, 2.5D - Sonnet. Видно, что при малых значениях Ns емкость учитывается не полностью, из-за чего Zo получается более высокое.
  2. Попробуйте обратиться в Кремний Эл, г. Брянск. Тут указаны используемые у них типы корпусов.
  3. Вот тут топология мультиплексора может чем то поможет.
  4. Для Win rfcalc для телефона на Android Elektor RF & Microwave Toolbox
  5. Я бы назвал это так: de-embedding - исключение цепи, например, исключение входной цепи или исключение влияния оснастки.
  6. В приложении книга RF_and_Microwave_Coupled-Line_Circuits_Second_Ed, там есть пояснения. RF_and_Microwave_Coupled_Line_Circuits_Second_Ed.pdf
  7. Определяются начальные значения параметров SPICE модели путем извлечения их из основных характеристик транзисторов (статические, вольтфарадные, частотные - S-параметры). Также начальные значения можно рассчитать (вручную или в TCAD). Затем модель с извлеченными значениями параметров "подгоняется" под реальные хар-ки, путем оптимизации. Снимать хар-ки можно хоть специализированными приборами (B1500 от Agilent) хоть стандартными, это вопрос удобства и времени. Если искать программу попроще IC-CAP, то можно попробовать PSpice Model Editor из Orcad 9.x или DesignLab 8. Посмотрите прикрепленный файл по экстракции в IC-CAP + еще посмотрите статьи Олега Петракова в журналах схемотехника и совр. электроника и на сайте http://pspicelib.narod.ru/ Подборка книг тут GP_DOCU.pdf
  8. В такой ситуации Beta лучше измерить. А почему именно эта схема? Есть описания датчиков тут или эту книгу посмотрите. Есть схемы в которых используется температурная зависимость Uэб.
  9. h21э обозначает усиление по току в терминах H-параметров (есть еще Z, Y, ...) при включении транзистора в схеме с ОЭ. В зависимости от схемы, удобнее применять ту или иную систему параметров. Все они характеризуют транзистор как линейный (т.е. все зависимости определяются линейными функциями, не зависимо от токов и напряжений в транзисторе) четырехполюсник - "черный ящик" с четырьмя выводами. ß - используется при моделировании транзистора с помощью эквивалентной схемы, состоящей из управляемых источников тока, резисторов, конденсаторов и т.п. Эти элементы как правило можно сопоставить определенным областям транзистора или процессам которые в нем происходят. ß транзистора весьма нестабильный параметр, поэтому старайтесь сделать схему так, чтобы ее параметры как можно меньше зависили от него. Как правило для работы схемы требуется чтобы ß было больше некоторого значения, без ограничения сверху. А то что не совпадает, это надо смотреть что у вас за источник...
  10. Есть современный комплекс E5052B "AM noise measurement and phase noise measurement without changing RF connection"
  11. :bb-offtopic: Мое присутствие здесь терзает только Вас одного. Вы ведете себя как злобный спам-бот. За все время не написали ни единого полезного ответа, все время отвечаете не впопад. Может пора угомониться и не показывать дальше свою дурь? То графики суете, то схемы - которые к моему вопросу никак не относятся. Цель Ваша то какая? Показать какой вот я, а вы не замечаете совсем? =)
  12. Кремниевый биполярный техпроцесс, не SiGe. Стояла задача разработать малошумящие варианты gainblock, поэтому такой результат. Наверно имеет смысл сделать ряд с улучшенной температурной стабильностью и большим коэф. шума, раз они проще в применении и имеют спрос.
  13. Но ведь в SPF-5122 и SPF-5043 применяются полевые транзисторы pHEMT, там и "физика" совсем другая. Шумы лучше и температурная стабильность исходно высокая. Не буду настаивать, что в SBB-4089, -5089 (указаны InGaP HBT) коэффициент шума повысился только из-за введения температурной стабилизации, выравнивание АЧХ не должно было пройти даром. Я делаю свое утверждение на основе того что получается в рамках одной и той же схемы gainblock на биполярных транзисторах при добавлении в цепь ОС диодов, приращение напряжение на которых в диапазоне Т компенсирует изменение напряжения э-б пары Дарлингтона. Может конечно можно сделать такую цепь смещения, чтобы и шумов не вносила больших и температурную стабильность обеспечивала, но пока не удается. Знакомы ли Вам серийно выпускаемые gainblock на биполярных транзисторах с малым коэф. шума и малым изменением потребляемого тока в диапазоне Т?
  14. Вопрос возник в связи с разработкой такой схемы применительно для наших схем 1324УВ1, УВ2, УВ3, т.к. при указанном в рекламных листах номинале резистора ток существенно изменяется в диапазоне температур и для обеспечения гарантированных значений требуется поддерживать неизменным режимный ток. Стало интересно насколько популярна такая схема включения и как к ней относятся разработчики. Эта хорошая температурная стабильность дается ценой повышения коэф. шума. Если такую схему оптимизировать под малый коэф. шума (менее 3 дБ) то от внутренних цепей температурной стабилизации режима приходится отказываться. Это и привело к необходимости в источнике тока при работе в широком диапазоне температур с 1324УВ1-3 (коэф. шума менее 3 дБ). To khach А с какой целью используете двухтактное включение ? Не хватает Рвых?
×
×
  • Создать...