[somebody111 0]

Доброе утро.Суть темы:есть igbt, есть сигнал с оптрона, который даёт команду на открывание. Через базу igbt нужно прокачать некоторый ток:в пике ампер 13.Решение простое -2 комплементарных транзистора соединить базами и эмитерами(тотемная схема).Проблема: не могу найти решение на smd.Я осознаю, что на 15А smd маловероятно, но тем не менее:15А-пиковое значение(емкостная нагрузка), а рабочий может быть хоть 500мА.Может кто-нибудь краем глаза видел...ну очень не хочется параллелить 8А...

[HardEgor 63]

Смотрите на сопротивление канала. а не на ток.

В SOIC-8 комплементарную пару и на 20 мОм можно найти.

В SOT23-6 - 40 мОм.

[Plain 168]

IXD_614

 

Во-вторых, у IGBT не база, а затвор, и "прокачать" какой-то там ток для него мало — требуется запирать отрицательным напряжением, как минимум –5 В, а обычно это –8 В, т.е. норма такова, что драйвер затвора IGBT практически всегда запитывают от двуполярного источника, а потому, для суммы этих напряжений питания, т.е. как минимум 18+5 вольт, он должен быть соответственно высоковольтным, как вышеуказанный компонент.

 

А в-третьих, конструктивные исполнения всё того же компонента говорят о том, что рассеиваемая при таких токах и напряжениях мощность требует обязательного теплоотвода, чаще всего существенной площади, что плохо соотносится с синонимом понятия поверхностного монтажа, как чего-то микроскопических размеров.

[olegs_d 0]

ZXTP2012Z

ZXTN2010Z