MasterBo

Здравствуйте! Есть измерянные в заданном диапазоне частот S-параметры для диода. Вопрос: возможно ли указанные S-параметры использовать для создания своего Lumped Element с последующим использованием в full wave моделировании питающей линии с припаянным диодом? Спасибо.

Есть такая вероятность, что скоро будет. Если интересно, можете посмотреть еще статью, там больше информации по антенне, с дополнительными фотографиями: GRIDDED PARASITIC PATCH STACKED MICROSTRIP ANTENNA WITH BEAM SHIFT CAPABILITY FOR 60 GHZ BAND Если есть вопросы, спрашивайте. Результаты я проверял, с помощью CST. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------- В общем, думаю попробовать рекомендованный HPND-4005 от Avago, либо MA4AGBLP912 от MACOM pin диод. Если есть на примете лучше вариант для 60 ГГц, пожалуйста напишите.

Специально для Вас, материал и размеры в Table1, фото апертуры антенны на Fig.6.

Мутные комментарии. Давайте по делу. Материал и все размеры есть в статье, и фотокарточка антенны тоже прилагается. И в освоении грантов универом ничего плохого не вижу, универы по большей части только этим и занимаются. Скажем, в мобильный телефон, тоже зеркальную антенну?

Спасибо за ликбез. А если мощности маленькие? В моем случае я подаю на вход антенны порядка -25dBm. Ниже результат измерения CPW линии с зазором в 100 микрон. Ну и для припаянного на этот зазор HSCH-9162 диода. OFF state (bias 0V) ON state (bias 1V) Back mode (bias -5V)

Спасибо за интерес. Ответы на некоторые вопросы здесь: Pattern Reconfigurable Wideband Stacked Microstrip Patch Antenna for 60 GHz Band Буду рад комментариям. Рассматривали такой вариант, но по отзывам контакт не совсем надежный. Знающие люди сказали, что лучше уж припаять вручную, что я и сделал.

Как Вы знаете, что мне нужен диод, включаемый в линию в параллель? В моем случае необходимо соединить/разъединить две составные части прямоугольной микрополосковой антенны (microstrip rectangular patch), тем самым изменяя излучающую поверхность, что позволяет отклонить луч антенны. Расстояние между частями 100 микрон. Эффект проверялся путем замыкания тонкой металлической линией. Мне кажется, что задача аналогична замыканию двух разнесенных частей микрополосковой линии, и вроде бы это последовательное включение. Если допустить, что диод можно включать в линию в параллель, мне не понятно, как это работает. Можете дать ссылку на пример? Как будто я на первом курсе, поясните, пожалуйста, чем плох диод Шоттки для моего случая, и какой параметр определяет диод для последовательного/параллельного включения? Так вроде бы HSCH-9162 и HPND-4005 бескорпустные диоды, я не прав? Спасибо за наводку, подумаю насчет HPND-4005, и попробую еще поискать аппарат для разваривания. Кстати,

спасибо! Идея в том, чтобы ключик смонтировать на излучающей апертуре антенны, соответсвенно размер ключика нужен порядка 100-200 микрон. Из всего, что я нашел, по размеру идеально подходят pin диоды. Но в нашем случае они не сработали так, как надо. Переключение есть, но разница между OFF и ON на 60 ГГц небольшая.

Спасибо! Есть ли у кого-нибудь опыт использования MEMS переключателей на упомянутых частотах?

Согласен, способ установки должен влиять. К сожалению, специализированного аппарата найти не удалось (лучший способ установки, согласно производителю, это приварить контакты диода). Диоды припаивались вручную, предварительно приклеив их к подложке. Измерянная вольт-амперная характеристика близка к data sheet. Мы думаем, что от способа установки зависят паразитные емкости, которые влияют на СВЧ проводимость диода. Было бы интересно узнать опыт использования подобных диодов, если таковой имеется у уважаемых форумчан.

Необходимо найти переключатель, работающий в диапазоне 60 ГГц для использования в микрополосковой антенне. Дополнительные требования: размер компонента должен быть порядка 100-200 um. Пробовали диод HSCH-9162 от Keysight, но по результатам измерений разница между включенным и выключенным состоянием существенна до порядка 40 ГГц. Хотя в документации пишут, что диод работает до 110 ГГц.

Хм, если антенну окружает воздушное пространство (вакуум) и если задать порт на пластине из вакуума, то получим следующую ошибку: [error] Port refinement, process abc3d : Port "Port" is incorrectly set up. A port must have a non-existent material on one side. Both "PortBox" and "VacuumBox" exist. [error] Simulation completed with execution error on server: Local Machine. Пробуем менять материал пластинки на золото, проект посчитался. Материал пластинки кремний (silicon) – проект заткнулся на вышеприведенной ошибке. Пусть меня поправят, но возможно два корректных варианта задания Wave Port для системы: - на одной из граней пластинки из идеального проводника (pec) в случае, если систему окружает воздушное пространство - на плоскости, принадлежащей границе воздушного пространства (в этом случае по одну сторону порта будет материал pec, а по другую – вакуум)

Спасибо за ссылку. Действительно, при уменьшении сетки разбиения Radiation Efficiency приближается к единице. Но все же не понятно, если это погрешность расчета, то при изменении сетки разбиения значение Radiation Efficiency должно принимать значения как больше, так и меньше единицы. Я пробовал Parametric Analysis, менял геометрию, но из 36 значений все больше единицы. И еще, в приведенной ссылке пишут, что результат Radiation Efficiency, посчитанный в HFSS на много отличается от результата в других программах. А на чем размещать еще Wave Port, на пластине из воздуха? С Lamped Port Radiation Efficiency тоже больше единицы.

Здравствуйте! Уперся вот лбом, никак не могу понять, в чем дело. В прикрепленном проекте простой диполь с запиткой через Wave Port. Radiation Efficiency (если смотреть в меню HFSS->Radiation->Compute Antenna/Max Params) получается больше единицы! Подозреваю, что дело в неправильном задании порта и Radiation Boundary, но пробовал менять размер Radiation Boundary и размер порта, результат тот же. Может кто подскажет? Dipole_WavePort1.rar

Спасибо большое, получилось импортировать геометрию со свойсвами из HFSS10 в CST2008