Dima_Ag

Возможно, что у Вас ошибка в схеме. Дело в том, что такие тестеры, как правило, используют аппаратный таймер микроконтроллера. Т.е. генерация управляющего сигнала происходит при помощи встроенных аппаратных средств, но сигнал может быть выведен лишь на некоторые выводы контроллера. Попробуйте посмотреть управляющий сигнал на выводах 13, 14 (OC1A, OC1B) Это как раз выходы аппаратного ШИМ.

Эта задача имеет много решений. Например, такое - полиномиальная аппроксимация. http://otvety.google.ru/otvety/thread?tid=2049ab548f916629 вот, к примеру, полином 4 порядка, аппроксимирующий исходную функцию. Зелёный график - исходная функция, а красный - функция аппроксимирующего полинома. При этом, естественно, возникает ошибка, но если Вам это не очень критично - то можете использовать этот метод.

Да! Pi - это половина периода функции sin(x), где аргумент функции задаётся в радианах. P.S. Согласен с определением для t в моей формуле, данным Татьяной. Оно более точное.

t в этой формуле - длительность открытого состояния симистора. Максимальная длитальность открытого состояния t= Pi Минимальная длительность открытого состояния = 0. Это несложно перевести во время задержки открытия симистора.

Решение Вашей задачи выглядит так: (см. рисунок в аттаче). Эта формула позволяет рассчитать мощность при известном значении времени задержки открытия тиристора. Время = 0 - тиристор вообще не открывается. Время = Pi - тиристор открыт сразу, с момента начала полупериода. Если интересно, как получить это решение - пишите!

Спасибо огромное, galya и sera_os! Будем пробовать!

Нет, у меня датчик другого типа, не такой, как у Вас на рисунке. Понятно, что измеряемая сила должна прилагаться сверху, или снизу широкой стороны сенсора. Но вот в чём вопрос - какова должна быть площадь контакта для правильной работы датчика ? Или, возможно, есть какие-то специальные требования к форме той части, которая давит на датчик?

Приветствую всех! Имеется тензодатчик производства Vishay - серии LPS ME. http://www.platan.ru/library/vishay_celtron.pdf Вопрос - использовал ли кто-то подобные датчики производства Vishay, и как его правильно нагрузить. Имею в виду механическое нагружение. Как приложить силу, подлежащую измерению? Какова должна быть минимальная площадь контакта с поверхностью датчика? Как правильно закрепить датчик на поверхности? Заранее спасибо за помощь!

Нет, не значит. Тот, вывод, что хотите использовать для АЦП - просто сконфигурируйте на вход. Остальные - по Вашему усмотернию.

Нет, это не так. L2 и L3 есть элементы схемы замещения, и они не обязательно = индуктивностям рассеяния. Давайте (для примера) сделаем модель для трансформатора с коэффициентом связи k = 1, у которого коэффициент трансформации = 10. При этом индуктивность первичной обмотки будет , допустим, 1 Гн. Тогда индуктивность вторичной обмотки = 1/10^2 = 0.01 Гн Взаимная индуктивность M = k*sqrt(1*0.01) = 0.1 Гн (это индуктивность для L1) L2 = ИндуктивностьПервичнойОбмотки - 0.1 = 0.9 Гн L3 = ИндуктивностьВторичнойОбмотки - 0.1 = -0.09 Гн (ОТРИЦАТЕЛЬНАЯ индуктивность) Таким образом, получили значения элементов схемы замещения.

Давайте заново, с правильными обозначениями. На приведённой схеме L1 - взаимная индуктивность. L2 + L1 = Индуктивность 1 обмотки L3 + L1 = Индуктивность 2 обмотки

Так и есть. :) Это будет трансформатор с НУЛЕВОЙ индуктивностью первичной обмотки, на холостом ходу. Схема замещения упрощённо считается так: (без учёта активных потерь) 1)Находим взаимную индуктивность. M = k*sqrt(L1*L2) , где k - коэффициент связи, L1 и L2 - соответственно индуктивности первичной и вторичной обмоток. Это будет индуктивность "средней" катушки. 2)Для находжения двух других индуктивностей нужно из индуктивности соответствующей обмотки (L1 или L2) вычесть эту самую взаимную индуктивность.

Уважаемый тау! Подобную схему замещения трансформатора придумал не я, это всё прекрасно описано в учебнике по ТОЭ. например, в этом: Основы теории цепей. Учебник для вузов. изд.4-е, переработанное. Авт: Г.В.Зевеке, П.А.Ионкин,А.В.Нетушил,С.В.Страхов конкретно - Глава 6.6 Эквивалентная замена индуктивных связей. По поводу короткого замыкания - Вы бы сначала провели расчёты, подтверждающие, что в этой схеме замещения ток при короткозамкнутом выходе будет меньше, чем на холостом ходу, а потом уже , так сказать "под стул".

Давайте разберёмся с уравнениями. На рис. изображена часть Т образной схемы замещения (для работы трансформатора на холостом ходу этого достаточно). Запишем входное сопротивление (в операторной форме): Zin = R1 + p*L1 + p*L2; Если индуктивность L1 имеет знак минус, то Zin = R1 - p*L1 + p*L2 = R1 - p(L2 - L1) Таким образом, наличие отрицательной индуктивности приводит к "уменьшению" индуктивного сопротивления у последовательно соединённых катушек. При этом через L2 будет протекать бОльший ток, чем был бы при отсутстии отрицательной индуктивности L1 . ОТсюда и эффект "повышения" напряжения".

Ну это Вы напрасно так :) Я привёл для примера схему замещения трансформатора, у которого коэф-т трансформации = 1:2, и индуктивности обмоток соответственно = 1 и 4 Гн. Трансформатор имеет коэффициент связи между обмотками = 1. Совершенно нетрудно в эту схему добавить активные потери, введя резисторы, а также сделать коэффициент связи меньше 1 (при этом изменятся все 3 индуктивности). Даже понижающий транформатор не получится сделать правильно в подобной схеме замещения без применения отрицательной индуктивности. Только с коэффициентом 1:1 (тогда все 3 индуктивности будут положительны). В этой схеме замещения правильнее, на мой взгляд, назвать "среднюю" индуктивность = взаимная индуктивность. Её величина никак не зависит от того, к какой обмотке её привести . :)