Lilija

Повесьте резистор малого номинала на тот электрод, с которого снимаете напряжение. Для этого надо поправить код во входном файле типа in. Должно помочь.

Почитайте в мануале TCAD Victory Device раздел MIXED MODE. Там описана команда .dc Она используется для увеличения значения независимого напряжения или тока источника в цепи для устранения проблем сходимости.

Почему бы не вынести обсуждение технологии полупроводниковых приборов и ИС, технологических карт, маршрутов, разработку PDK и вопросы технологического моделирования в TCAD ISE, Silvaco, Sentaurus в отдельный подфорум в форуме "системное проектирование"? А то сейчас это всё в разделе "разработка цифровых, аналоговых и аналогово-цифровых ИС", а по факту относится к ним довольно отдаленно. Как правило, разработчики ИС работают с уже готовым PDK и технологией к нему. Плюс ко всему - неудобно искать темы по технологии, а их уже очень много.

Выделяете объекты, к которым надо применить булеву операцию, выполняете команду Tools -> Layer Generation из окна Virtuoso Layout Suite L, а потом указываете вид операции (AND, OR или др.), для каких слоев выполнить операцию и в каком слое вернуть результат. Если нет желания использовать топологические слои из PDK, создайте свои слои дополнительно.

Попробуйте использовать модуль "Victory Process". Сетка, формируемая в этом модуле, имеет заданный пользователем шаг для всех слоев (поликремний, Si, SiO2 и др.) и только в местах структурных изгибов уплотняется до заданного значения "множителя уплотнения" - значения параметра resolution команды Init. Ваша проблема с сеткой должна устраниться при таком подходе.

Вот форма сопроводительного листа на УБД. ______.rar

АО "ВЗПП-С" занимается корпусированием различных полупроводниковых приборов. Мы очень заинтересованы в сотрудничестве с другими предприятиями. Вот реквизиты: http://www.vzpp-s.ru/rekvizits.htm Все вопросы о возможности корпусирования можно задать представителям отдела маркетинга (при необходимости они соединят Вас с техническими специалистами) или непосредственно главному инженеру.

Если кому-то еще нужно, по вопросам сборки можно обратиться в отдел маркетинга или к главному инженеру АО "Воронежский завод полупроводниковых приборов - Сборка" г.Воронеж. Вот ссылка: http://www.vzpp-s.ru/rekvizits.htm Наш завод ещё очень даже работает и заинтересован в сотрудничестве с другими российскими компаниями.

h — шаг винтовой линии, a D — диаметр цилиндра Длина одного оборота («витка») винтовой линии равна

Как вариант предлагаю вручную создать топологию вентиля, проект масштабировать через технологический параметр лямбда. Последовательность действий для масштабирования можно посмотреть в файле tan_G_1_5_154_10.doc на стр 42-44. Ссылка на литературу: http://fileget.ru/files/45065846 Потом можно задать несколько вариантов значений лямбда и прикинуть площадь. Может пригодится кому.