TiNat 0 11 сентября, 2013 Опубликовано 11 сентября, 2013 (изменено) · Жалоба Добрый день. Возник вопрос следующего характера: как правильно рассчитывать передаваемые на моделирование периметры стока и истока МОП-транзистора ps, pd (низковольтный классический КМОП , nmos со стандартной полосковой геометрией). Казалось бы это две ширины транзистора плюс два размера области под контакт. НО: в некоторых PDK и в правилах LVS, и в расчете этих параметров для моделирования суммируются лишь ОДНА ширина + два размера под контакт (в частности xfab). Плюс к этому в документации spectre (файл spectremod.pdf) для приведенной формулы учета периметра стоковой области также показан вариант с только тремя сторонами прямоугольника. Соответсвенно некоторые (но не все из тех, что я видел) фабрики используют именно вариант с тремя сторонами. Другие же учитывают 4 стороны. Возможно, тут все очевидно, но я не понимаю. Хотелось бы разобраться. В частности, область применения как одного, так и другого варианта расчетов. Заранее спасибо. Изменено 11 сентября, 2013 пользователем TiNat Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Jurenja 1 12 сентября, 2013 Опубликовано 12 сентября, 2013 · Жалоба Если топология транзистора не простейшая линейная, а многозатворная (много фингеров (finger) ), то в среднем на один затвор такого транзистора приходится именно такие значения площади и периметра стоков и истоков. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
TiNat 0 12 сентября, 2013 Опубликовано 12 сентября, 2013 (изменено) · Жалоба В случае многозатворного транзистора периметр и площадь стоков делятся пополам. Половина передается в нетлист для "левого затвора", половина для "правого". В классическом случае, когда периметр затвора определяли как (2*Wfing + 2*D) каждому затвору периметром пошло бы значение (Wfing + D). В том случае, о котором у меня задан вопрос, каждой половинке многосекционного транзистора пойдет значение (D), т.е. формальный суммарный периметр станет (2*D), т.е. на (2*Wfing )мкм меньше, чем в классическом случае. Это я расписал для многозатворного транзистора, пример которого Вы удачно привели. Но изначальный вопрос в принципе касался одиночного транзистора. Изменено 12 сентября, 2013 пользователем TiNat Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Jurenja 1 12 сентября, 2013 Опубликовано 12 сентября, 2013 · Жалоба Очевидно, что для одиночного транзистора такой метод расчета неправилен. Ошибка в дизайн ките. Правильный дизайн кит корректно считает площади и периметры и для одночного и для многозатворного транзистора. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
TiNat 0 12 сентября, 2013 Опубликовано 12 сентября, 2013 · Жалоба Ошибкой PDK это вряд ли может быть. Такая развитая фабрика,как xfab вряд ли может сделать такую "детскую" ошибку. У них этот подход используется в правилах LVS, в организации схемотехнического символа элемента и в SPICE-моделях. Плюс, как я уже писал выше - этот вариант не "придуман" с головы, а описан в документации. Например, опять-таки, в описании симулятора spectre. Там расчет по трем сторонам идет, если в явном виде указана длина стоковой области (ls). Может кто-то с таким сталкивался и разобрался? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Jurenja 1 12 сентября, 2013 Опубликовано 12 сентября, 2013 · Жалоба ... Такая развитая фабрика,как xfab вряд ли может сделать такую "детскую" ошибку...Подскажите плз, о какой XFAB-овской технологии речь, какой транзистор и какая версия дизайн кита. Интересно взглянуть... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
TiNat 0 13 сентября, 2013 Опубликовано 13 сентября, 2013 · Жалоба Я говорил про XFAB xh035, причем любого года (2007, 2009, 2012). За это время в подходе ничего не менялось. А именно: в символе элемента по умолчанию для расчета периметров стока\истока используются лишь 3 стороны диффузионной области. Далее при моделировании четвертая сторона(ширина транзистора) добавляется в сабсокете spice-модели. Но добавляется не всегда, при некоторых условиях моделирование будет идти с учетом только трех сторон. В этом по сути и заключался вопрос: когда правильно брать 3 стороны, а когда четыре. И еще, что интересно, не зная этой их "фишки", не открывая spice-параметры, а просто руками задав периметр в символе, получится так, что в модели к тому, что я задал добавится ширина. Соответственно XFAB подразумевает, что я должен вписывать только 3 стороны (вроде как для них это само собой разумеющееся, как бы "по умолчанию"). По крайней мере я так понял. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Jurenja 1 14 сентября, 2013 Опубликовано 14 сентября, 2013 · Жалоба Посмотрел кит 2011 года (v.4.3.1). Действительно, по умолчанию формулы для периметров и площадей стоков/истоков такие как вы написали, причем независимо как нарисован транзистор - одиночный затвор или многозатворная конструкция, как на рисунке выше. Ошибки расчета периметров и площадей будут. Если есть желание поправить ситуацию, то кит дает возможность в свойствах транзистора написать свою формулу в зависимости от ширины канала или просто значение. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
TiNat 0 14 сентября, 2013 Опубликовано 14 сентября, 2013 · Жалоба Все-таки возможно Вы не совсем правильно поняли вопрос. Ссылка на XFAB была просто "к слову". Ошибки расчета периметров и площадей будут Не будут. Внимательно почитайте мои предыдущие посты и внимательно посмотрите spice-модели. Вопрос остается открытым. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Jurenja 1 17 сентября, 2013 Опубликовано 17 сентября, 2013 · Жалоба Ошибки расчета периметров и площадей будут Не будут. Внимательно почитайте...В случае четного количества затворов количества стоков и истоков будут разными, поэтому будут также разными их площади и периметры. В (ваших) формулах это не предусмотрено. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
TiNat 0 17 сентября, 2013 Опубликовано 17 сентября, 2013 (изменено) · Жалоба В случае четного количества затворов количества стоков и истоков будут разными, поэтому будут также разными их площади и периметры. С этим я согласен. Сразу не так Вас понял. Делаю сам что-то типа PDK. Равное и неравное количество истоков я учел. И периметр я рассчитывал по 4 сторонам. Потом посмотрел XFAB и всю транзисторную библиотеку переделал по причине: "на XFAB умные люди работают". Теперь задумался, в чем фишка расчета периметра у XFAB. Задал вопрос на форуме. До сих пор ответа не нашел, а снова переделывать транзисторы не хочется. Изменено 17 сентября, 2013 пользователем TiNat Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Jurenja 1 17 сентября, 2013 Опубликовано 17 сентября, 2013 · Жалоба ... Делаю сам что-то типа PDK. Равное и неравное количество истоков я учел. И периметр я рассчитывал по 4 сторонам. Потом посмотрел XFAB и всю транзисторную библиотеку переделал по причине: "на XFAB умные люди работают"...Если ваши формулы считают правильно, но в XFAB-овском ките они не такие как у вас, то это значит что "умные люди на XFAB-е" ошиблись имхо. Надеюсь что версия до переделки у вас сохранилась и ее можно быстро восстановить. PS. Вообще-то вклад емкостей p-n-переходов стоков/истоков в, например, задержки цифровых элементов составляет 20...30%. Причем, для типового лэйаута транзистора (одиночного или многосекционного), емкость периметра намного меньше емкости дна стока/истока. Поэтому ошибка XFAB-а в расчете периметра очень мало влияет на точность моделирования задержек. Ошибка в расчете площади влияет заметнее, но при проектировании стараются не заставлять работать цифровые элементы в режимах с предельным быстродействием, поэтому на заметную разницу предельного быстродействия модели и изготовленных кристаллов обычно не обращают внимания. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
TiNat 0 8 декабря, 2013 Опубликовано 8 декабря, 2013 · Жалоба Посмотрел кит 2011 года (v.4.3.1). Действительно, по умолчанию формулы для периметров и площадей стоков/истоков такие как вы написали, причем независимо как нарисован транзистор - одиночный затвор или многозатворная конструкция, как на рисунке выше. Ошибки расчета периметров и площадей будут. Если есть желание поправить ситуацию, то кит дает возможность в свойствах транзистора написать свою формулу в зависимости от ширины канала или просто значение. Скорее всего я разобрался почему XFAB периметр считает по трем сторонам, и это, на мой взгляд, правильно. В Spectre для модели bsim3v3 помимо параметра cjsw (удельной емкости боковой части стокового/истокового p-n перехода) есть парметр cjswg (удельная емкость боковой части стокового/истокового p-n перехода в сторону канала транзистора). По умолчанию cjsw=cjswg (когда нет возможности определить cjswg), в этом случае периметр стоковых/истоковых областей можно считать по четрыем сторонам. Spectre считает емкость перехода по следующей формуле: cd = ad x cjbs + pd x cjbssw – Weff x cjbssw + Weff x cjbsswg, где cjbs функция от cj, mj и pb; cjbssw функция от cjsw, mjsw и pbsw; cjbsswg функция от cjswg, mjswg и pbswg. Слудует обратить внимание на Weff - эффективная ширина канала. Теперь представим, что в нашей топологии имеются транзисторы, у которых затвор имеет перегибы. В этом случае при экстракции необходимо учитывать изгибы (колени) затвора и пересчитывать их в эквивалентное значение ширины канала. Тогда Weff для данного транзистора не будет равно длине грани, где затвор соприкасается с областью стока (истока). Поэтому правильно будет считать периметр по трем сторонам, а в файле модели (в subckt) к рассчитанному периметру добавлять рассчитанное значение Weff. В этом случае будет учтена ошибка (резность длины грани, где затвор соприкасается с областью стока (истока),и Weff). Если транзисторы в design kit запрещено рисовать с перегнутыми затворами, то в этом случае pd и ps можно считать по четырем сторонам. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Ura175 0 2 февраля, 2016 Опубликовано 2 февраля, 2016 · Жалоба Полное название параметров ps, pd - "Source diffusion periphery", "Drain diffusion periphery". Думаю, это периметр областей истока (стока) по сторонам диффузионной области, куда не входит сторона, примыкающая к затвору. Поэтому считают только одну ширину. Вообще на практике увеличение ps, pd на одну ширину почти не влияет на результаты моделирования. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться