Перейти к содержанию
    

Посоветуйте быстрый ключевой транзистор

Добрый день, коллеги. Посоветуйте, пожалуйста, быстрый ключевой транзистор для формирования максимально крутого фронта отрицательного импульса в приложенной схеме. Очень желательно зарубежного производства и распространенный. Питание схемы 15 вольт.

test_tran.jpg

post-59585-1519048474_thumb.jpg

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Добрый день, коллеги. Посоветуйте, пожалуйста, быстрый ключевой транзистор для формирования максимально крутого фронта отрицательного импульса в приложенной схеме. Очень желательно зарубежного производства и распространенный. Питание схемы 15 вольт.

Чип и ДИП предлагает BFG540.215 за 15 центов. Граничная частота 9ГГц. Это достаточно быстро?

Правда запаса по напряжению не будет совсем :(

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Спасибо. Использовать без запаса - не мой метод ( Но ничего, пойдет в другое место в этой схеме.

 

Есть еще более общий вопрос к коллегам - а вообще как себя ведут СВЧ и ВЧ транзисторы "средней" мощности в импульсных схемах? Нет ли каких либо отрицательных эффектов от возможных схем согласования внутри таких приборов?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

можно потеоретизировать

 

BFG540 все-таки RF усилитель.

Не уверен, но предположу, основываясь на паспортном токе и возможно падении около десятой вольта, что в насыщении он будет эквивалентен долям ома, т.е. спад в доли пикосекунд.

А у бытовых sot n-mos сопротивления канала порядка десатков мОм. Т.е. в 10 раз быстрее фронт. Правда его конечно надо раскачать, чтоб открылся. Зато с полевиками нет головной боли как их быстро закрыть. т.е. биполярник сработает может и быстрее, но фронт, наверное, дешевле и проще получить на полевом. К тому же 15-вольтовый BFG наверное просто сгорит при перезарядке... поправьте если совсем не прав. У У вас же не стоит целью получить мегагерцовую последовательность импульсов? только фронт ведь?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Добрый день, коллеги. Посоветуйте, пожалуйста, быстрый ключевой транзистор для формирования максимально крутого фронта отрицательного импульса в приложенной схеме.

*

"быстрый + ключевой" = MOSFET.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Добрый день, коллеги. Посоветуйте, пожалуйста, быстрый ключевой транзистор для формирования максимально крутого фронта отрицательного импульса в приложенной схеме. Очень желательно зарубежного производства и распространенный. Питание схемы 15 вольт.

В вашей схеме длительность открывания транзистора зависит также и от длительности фронта запускающего импульса. Да еще и эффект Миллера вылезет в полный рост, если у вас амплитуда управляющего импульса ниже VCC.

Если вам необходим фронт выходного импульса круче чем входного, то используйте свойство лавинного пробоя транзистора.

Изменено пользователем Tanya

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Что-то я не понял про управляющее напряжение и эффект Миллера... В данной схеме нет резистора в базе, потому управляющее напряжение не может превышать 0,7 В. Ставить резистор плюс следить за степенью насыщения транзистора, чтобы сохранить быстродействие. Зачем вся эта морока с накоплением зарядов в базе, если можно поставить MOSFET?

Топикстартеру следует все-таки определиться с тем быстродействием, которое он считает хорошим. 1 кГц? 1 МГц? 1 ГГц?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Если резистор в цепи коллектора оставить высокоомным или не заменить его индуктивностью, то с любым самым-пресамым свехвысокочастотным и самым ключистым из ключевых MOSFетом будет то же самое. И без ограничения тока в базе по данной схеме транзистор может залипать или просадить схему на его входе.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Итак, мнения коллег разделились. Давайте пока не будем смотреть на цепи базы/затвора, а уточним еще раз тип транзистора.

Нужно получить длительность фронта отрицательного импульса менее, чем 1 нс, частота повторения импульсов 10-20 Мгц. Напряжение на коллекторе будет 15 вольт.

 

Отдельный вопрос - а чем не нравится резистор в коллекторе? Он только заряжает емкость, в формировании фронта он не участвует. Или я не прав?

 

Предложены:

1) BFG540 - предполагаю, что он удовлетворяет по частотным свойствам, но нет запаса по Uкэ

2) BC817 - есть запас по Uкэ, смущают частотные свойства

3) Транзистор в лавинном режиме. Должен быть хороший фронт, но, ИМХО, недостаточно напряжения питания. Или, может кто знает доставабельные лавинные транзисторы с небольшим напряжением пробоя?

3) MOSFET - это интересно, например - какой?

 

 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Нагрузка чисто активная, 50 ом.

 

Изменено пользователем Хвост Слона

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

...Может будет в помощь -

 

ДНЗ - поищите - Диод с Накоплением Заряда.

 

Например -

 

https://www.google.ru/url?sa=t&rct=j&am...4Niyid8XZJQNQTe

 

обратите внимание - в статье рассматривают примерно Ваши пожелания , но на диодах 2Д524... (ошибка - в статье 1Д524)

 

Подобные каскады использовали в импульсном генераторе Г5-85 (могу ошибаться - проверьте)... и калибраторах И1-15 и И1-14 под 1 нс... тут использовались два типа выходных ключей - раздельно для положительного и отрицательного выхода...

 

Подобное схемотехническое решение позволяет получать очень короткие "перепады"...

 

 

...Да и определитесь со входной цепью - чем раскачиваете и какие характеристики - напряжение и "фронт"...

 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

В СССР разработали и долгое время производили полевые транзисторы с горизонтальной структурой. В книге Дьяконова помнится описывается генератор коротких импульсов на Кп902/904. Эти приборы уникальные среди полевиков нынешних - у них значительно снижена емкость переходов за счет конструктивных особенностей. Посмотрите, транзисторы эти добываются не сложно.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Вообще непонятно, что надо получить. Фронт наносекунды или пикосекунды? Спад сигнала экспоненциальный или любой? Слишком мало исходных данных. Как-то делал генератор импульсов(1000В, 100кГц) на полевом транзисторе 1200В . Конденсатор 1нФ(заряжался через резистор килоомный), разряжал MOSFET, положительный импульс получал с помощью трансформатора из коаксиала на феррите. Выход полевика - на центральную жилу, оплетка на землю. На выходе трансформатора наоборот - центральная жила на землю, оплетка - выход. После транзистора - резистор в районе десятков Ом последовательно с центральной жилой и паралельно ему конденсатор на несколько десятков пикофарад. Фронт получал около 1 нс. И надо сигнал смотреть осциллографом с 50 Омным входом. Естественно с внешними аттенюаторами 50 ом на входе, соединенными последовательно, для распределения мощности(эдакая колбаска получалась). Затвором дергал без резистора с помощью драйвера MOSFET 12В с током 6А по-моему. Давно это было, в 2003 году.

Для низких напряжений может подойдут диоды с накоплением заряда (SRD).

А вообще можно почитать журнал "Приборы и техника эксперимента" тех лет. Там такие задачи постоянно решались.

Тогда даже немного побаловался с ДДРВ диодами

Кстати - в схеме не ошибка случаем с конденсатором - 1пФ?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...