Перейти к содержанию
    

Вычисление параметров нелинейной модели транзистора

Здравствуйте. Делаю дипломный проект. Произошёл такой затык: Есть HEMT транзюк, на него производитель даёт S-параметры, снятые при малом сигнале в режиме А для одной рабочей точки и многих частот. Короче snp-файл. Ну и ещё пару графиков зависимости выходной мощности от входной и всё. А в схеме, которую я исследую, транзюк работает нифига не в малосигнальном режиме и не в режиме А. Соответственно что бы грамотно промоделировать поведение транзюка в моей схеме, надо построить его нелинейную модель типа модели Ангелова или ТОМ.

Внимание вопрос: существует ли способ без дополнительных измерений вычислить или подобрать по имеющимся s-параметрам параметры нелинейной модели транзистора?

В научных статьях я натыкался на способы таких вычислений, но там всегда требуется хотя бы 2 рабочие точки, на которых измеряют соответственно 2 группы s-параметров. Мне это не подходит.

Заранее спасибо.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

поискать у производителя, или в пакетах моделирования, или просто в интернете spice- или ads-модель транзистора

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Запускаете AWRDE, загружаете S-параметры, строите схему с рабочей точкой, в которой были сняты S-параметры, строите графики S-параметров схемы, ставите цели оптимизации по графикам (чтобы соответствовали загруженным S-параметрам), в оптимизацию включаете параметры модели, запускаете оптимизацию. Возможно придется несколько раз пробовать. Ну или без оптимизации руками подбирать.

 

Вы бы для начала сказали что за транзистор у вас.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Внимание вопрос: существует ли способ без дополнительных измерений вычислить или подобрать по имеющимся s-параметрам параметры нелинейной модели транзистора?

Какой у вас конкретно транзистор? Для транзистора с нелинейными параметрами и работающего в нелинейном режиме - такого способа нет, как мне представляется. Оптимизацией можно подобрать несколько вариантов параметров эквивалентной схемы, удовлетворяющих (в какой-то степени) поставленным критериям.

В научных статьях я натыкался на способы таких вычислений, но там всегда требуется хотя бы 2 рабочие точки, на которых измеряют соответственно 2 группы s-параметров...

Видимо в данных статьях речь идет о маломощных транзисторах.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...