Перейти к содержанию
    

Pechka

Свой
  • Постов

    159
  • Зарегистрирован

  • Посещение

Репутация

1 Обычный

Информация о Pechka

  • Звание
    Частый гость
    Частый гость

Контакты

  • Сайт
    Array
  • ICQ
    Array

Информация

  • Город
    Array

Посетители профиля

1 974 просмотра профиля
  1. Большое спасибо! Попробую в ближайшее время!
  2. Спасибо за ответ, пока ничего не вышло со слоями. А Thick Metal+ и Thick Metal- нормальная пара или есть ограничения на названия? Ещё не понятно, как выставить зазор - простое математическое вычитание не даст нужного результата :(
  3. Не очень ясно в части анализа. SModel располагается в части линейного анализа, однако, например, смесительный диод - сильно не линейный элемент и все параметры зависят от подаваемой мощности. На схеме я задал мощность на входе, используется ли эта мощность в линейных вычислениях SModel? Вывел линейный S11 для разных уровней входного сигнала (по модели SDIODE) - совпадают. В измерениях есть различия. Где почитать или найти пример оценки параметров нелинейной модели по измерениям в MWO?
  4. Здравствуйте! 1. Подскажите, пожалуйста, где в версии AWR 14 найти voiding опцию в layout? Нужно залить слой полигоном и насверлить отверстий. Сейчас при попытке залить полигоном - он заливает поверх всех цепей без вырезов. Нашёл ответ на офф. сайте https://kb.awr.com/display/awrvideos/Dynamic+Voiding+and+Net+Connectivity+Extraction, но это с версии 16. Как это делалось в предыдущих версиях? Неужели вручную? Кажется, программа 2019 года - должна быть такая примитивная функция (Via fill/fence работают хорошо) 2. Не могу найти пример Fit_Model_To_Measured для версии 14. На офф. сайте только для 16. Собственно, как это делать ясно за исключением одного: каким образом задать optimization goal для подгона модели и измерений? Пока рассматриваю следующий путь: делаю 2 схематики - моделируемый элемент в одной и измерения (через s2p файл) в другой. Строю график (например, S(1,1)) для обеих схем. Далее в глобальных уравнениях делаю s11err=meas:S(1,1)-model:S(1,1); а уже в optimization goal ставлю s11err goal=0 (аналогично для S(2,1), S(1,2), S(2,2)). Запускаем оптимизатор (настройки переменных тут опускаем) и должен получится похожий результат (для выбранной температуры измерений, естественно). Правильно ли я понимаю этот процесс или есть способ проще, который используется в ненайденном мной примере? Спасибо!
  5. Здравствуйте! Подскажите, пожалуйста, где в версии AWR 14 найти voiding опцию в layout? Нужно залить слой полигоном и насверлить отверстий. Сейчас при попытке залить полигоном - он заливает поверх всех цепей без вырезов. Нашёл ответ на офф. сайте https://kb.awr.com/display/awrvideos/Dynamic+Voiding+and+Net+Connectivity+Extraction, но это с версии 16. Как это делалось в предыдущих версиях? Неужели вручную?
  6. Спасибо за ответы! Ушёл в изучение и испытания сходимости 🙂 Транзисторы малошумящие, поэтому мощность и линейность пока не актуальны (интересуют их измерения на малом сигнале).
  7. Здравствуйте! Для отечественных транзисторов возникла необходимость измерения S-параметров на плате. В наличии Network Analyzer, калибровочный кит. Собственно основной задачей считаю вычитание параметров тестовой платы (топология есть, можно в ADS или AWR вычислить все её параметры). Каким образом это првильно сделать? Может быть попадались статьи на этот счет или методики из инструкций к приборам? Потенциально, можно снять транзистор и провести калибровку на открытом, замкнутом и 50 Ом варианте, но это как крайний вариант рассматривается, хотелось бы провести измерение на собраной плате, а паразиты учесть теоретически, пусть и с меньшей точностью. Заранее спасибо!
  8. Мои кривые руки, будучи скрещены с оптимизатором MWO произвели чудесный результат: сделал em-extraction с использованием Axiem и компонента extract, запустил симуляцию, получил результат. Утром повторно запустил оптимизатор - он меняет параметры, я вижу, что меняется em-документ, сетка строится, всё вычисляется... но это никак не влияет на cost - т.е. график - просто прямая и от количества итераций не зависит (хотя всё долго считается, процессор грузится, количество итераций увеличивается). Решил проблему отключением EM-model в субблоке и копированием extract внутрь этого субблока. После этого всё заработало как на кануне. Что я мог испортить в настройках случайно, чтобы перестал работать оптимизатор? Кстати, изменение параметров вручную приводит к честному пересчету и изменению графиков целевых функций. Только оптимизатор не работает. Ещё один вопрос по оптимизатору: у меня получилось около 5 независимых блоков, каждый из которых я отдельно оптимизирую сначала на уровне схемы, потом в Axiem через extract. Даже в простых блоках, по 3 полоска, 6 изменяемых параметров. Можно ли разделить оптимизаторы и задать каждому свой набор vars и goals, а то при переходе от блока к блоку приходится снимать галочки оптимизации со всего и задавать в нужном блоке. Это приводит к ошибкам и трате времени.
  9. Перерыв, насколько смог, MWO vendor Library и Modelithics library 17.1 не смог найти смесительного диода Шоттки на GaAs (до 26ГГц достаточно, а то до 125ГГц Virginia Diodes есть - слишком круто). Может быть кто-нибудь знает, есть ли такой в указанных библиотеках или у какого производителя можно скачать нелинейные модели? Хочу выяснить различия в характеристиках баллансного смесителя при использовании кремниевых и галий-арсенидных диодов.
  10. Проверьте настройки диапазона анализируемых частот в настройках System Diagram 1. График у Вас отображается как настроено, а вот данных в нем не хватает.
  11. Огромное спасибо! Скачал обе книги. В первой (приложенной Вами) уже нашёл ответ на стр. 78-80 про топологию элемента: создание и назначение.
  12. Из предложенной логики значит, что детям нужно запретить делать что-либо. Нигде и не было написано про освоение инструмента целиком за час, а о решении простых задач за час, примеры привел выше. Поэтому вопросы остаются в силе. Например, не ясно, про порты в layout. Думаю ошибка в понимании идеалогии (например, что элементы в Layout не могут появиться ниоткуда, кроме как из схемы. В ADS можно расположить в layout стандартные элементы и даже построить схему по ним. В AWR я такого пока не нашёл.) Для быстрого понимания достаточно посмотреть видео на пол часа, как человек рисует футпринт и layout простого устройства (например, простого усилителя на 1 транзисторе с 10 элементами SMD вокруг него) либо прочитать в книге. По ADS есть, например ADS cookbook, где такие вещи разобраны. тут пока лучше, чем встроенный help ничего не нашёл:(
  13. Вопрос в том, что считать конкретной задачей. Например, перетащить символ транзистора из библиотек в схему - чем не задача? Вам на это часа мало? Научиться строить смитовскую диаграмму и узнать, что в нижней части емкостный характер, а в верхней индуктивны - часа мало? Месяцами, безусловно, придется учиться для проектирования законченного устройства. Но, например, полосковый фильтр с нуля вышел за 2 раза по пол дня с топологией - для верификации моделирования в реальности. За счет использования и оптимизации через EM-extraction сходимость получилась около 1%. Поводив поверх пластиной поликора, стало ясно , что если сделать частоту на 2% выше, то дальше можно будет подстроить центральную частоту фильтра без потери характеристик. Инструменты развились до такой степени, что обучаемый человек может научиться проектировать действительно за месяцы, а не десятилетия, как раньше, пусть и не вдаваясь в глубину происходящего. Вопросы, в т.ч. по видео и книгам в силе.
×
×
  • Создать...