Перейти к содержанию
    

MW_des

Участник*
  • Постов

    17
  • Зарегистрирован

  • Посещение

Репутация

0 Обычный

Информация о MW_des

  • Звание
    Участник
    Участник
  1. тут смотря для чего, если нужны лучшие параметры, то да, но и цена будет соответствующая. При использовании кремния, кремний германия, цены ниже получаются, стоимость ИС меньше. Интеграция с цифровой частью опять же, системы на кристалле.
  2. Уважаемые форумчане, имеется рассчитанный проект СВЧ усилителя на кремниевой технологии, по моделированию получаются хорошие характеристики. Настало время разрабатывать топологию микросхемы. Если с СВЧ трактом более-менее ясно (есть модели линий передачи и пассивных элементов, ну и ЭМ анализ), то с землей вопросов очень много. В частности в каком из слоев ее делать? Всего слоев много, из них два верхних - толстые, для СВЧ тракта. В модели линии передачи земля находится в слое М1 (первый металл). Не нахватаю ли я паразитных сопротивлений и индуктивностей, при заземлении СВЧ транзистора на слой М1? Как правильно организовать заземление СВЧ транзистора? Есть ли какая-нибудь литература, примеры или опыт?
  3. ну в принципе то можно и радары и все оборудование радиоэлектронное закупать, как сейчас и происходит. Надо бы и свое что-то развивать, на уровне ИС. Triquint делает усилители в основном на GaAs и GaN технологиях, в моем конкретном случае этих технологий нет. Был вариант использовать полевики, но почему-то посмотрев статьи, пришел в выводу что надо делать на биполярных транзисторах.
  4. По топологии получается 1 вариант попроще, т.к. нет общей линии которая объединяет эмиттеры-коллекторы внутри каскода. И неясно, что будет если их объединить, т.к. для компьютерного моделирования нет разницы. Просто в одной статье нашел топологию где явно видно что есть общая шина для эмиттеров-коллекторов внутри каскода, это и смутило. До этого параллелил именно каскодное включение тр-ров. А зачем будут нужны выравнивающие резисторы в эмиттерах?
  5. Разработал схему со сложением мощности от нескольких транзисторов (каскодов). Есть немного глупый вопрос - как правильно параллелить каскод? Результаты моделирования для всех 3 вариантов одинаковые. Может тут есть какие-то подводные камни? Сейчас использую схему включения 1, но иногда кажется что 2 или 3 схема более правильная что-ли.
  6. про делитель это понятно. Просто хочется еще потом покрутить напряжения отдельно, чтобы на практике выбрать оптимальный режим.
  7. Да, приемлима. Рабочая точка AB выбрана как компромисс между усиление и кпд, т.к. потребление в контексте этой задачи важно, не более 100 мА. Отсчека приемлима, по плану это должен быть усилитель гетеродина для двойного балансного смесителя. По поводу плеча: хотел еще потом попробовать объединить в диф.каскад. Т.к. у смесителя вход гетеродина дифференциальный и сейчас включен через трансформатор. Можно поставить усилитель гетеродина как перед так и после трансформатора, главное чтоб 16 дБм было. 4. По поводу согласующих цепей: входную и выходную емкость вы компенсировали индуктивностью четвертьволновых отрезков (т.е. поэтому длина не 90 град)? 5. Вот с блокировочным конденсатором интересно... Я тоже когда добивался устойчивости, то ставил последовательную RC цепь, без нее коэф.устойчивости сваливался в отрицательные значения. Без него макс.усиление было где-то 17-18 дБ, что меня в принципе устраивало. Все-таки непонятно - нужен этот конденсатор или нет. В статьях и книжках которые читал везде по разному. Где-то ставят, где-то нет. Но нигде пока не объясняли почему он нужен) Про ООС честно пытался понять, но без успеха. Знаю только 2 классические - параллельную по напряжению (с выхода на вход тянем какую-нибудь RC цепь) и последовательную по току (резистор или индуктивность в цепи эммитера/истока). Кстати, можете ваш проект выложить? Интересно было бы посмотреть
  8. Вроде все работает: Может ADS криво установился? такое бывает... Тут проще версию ADS другую взять, чем искать где прописать путь к компоненту. Какой алгоритм анализа используете?
  9. Это интегральная технология. Измерения ВАХ есть только до 3 В, но пишут что модель действительно вплоть до 4.5 В.
  10. У нижнего ft с запасом, около 40-50 Ггц. Каскод я применил, чтобы добиться сложения напряжений. Транзисторы поменять не могу, и так самые большие взял. Ну и по статьям просто все так делают - каскод и параллельные транзисторы.
  11. По поводу Gmax и MSG MSG - это коэф.усиления при потенциально неустойчивом тр-ре (определение из хелпа AWR), рассчитывается как |S21/S12|. Gmax - это сводная характеристика, которая при коэф.устойчивости K>1 рассчитывается как |S21/S12|*(K-aqrt(K^2-1)), т.е. он при всех положительных меньше MSG. А вот при K<1 Gmax уже считается как |S21/S12|. Проверил по S-параметрам и в ADS и в AWR, функции Gmax идентичны, 40 дБ и K<-1. Другое дело, что я добавил цепь стабилизации и вот что получилось. Хотелось бы спросить - вот теперь у меня есть три питающих напряжения (2 В, 2.85 В и 4 В). Как грамотно организовать питание каскода?
  12. Мощность 16 дБм. Планировал добиться увеличения выходной мощности увеличением кол-ва транзисторов (т.е. сложить выходные токи, т.к. напряжение пробоя низкое). Но пока хочу разобраться с работой простого каскода, как задавать токи, напряжения. Рассчитать сколько я смогу получить мощности с одного каскода (с учетом всех стабилизаций и прочего). про режим AB я больше имел ввиду выбор рабочей точки. Анализирую пока малосигнальные параметры, пытаюсь разобраться откуда 40 дБ, застабилизировать тр-р. Потом собираюсь сделать load pull моделирование - настройку импеданса по выходу на макс.мощность. По входу на максимальное усиление.
  13. Моделирую в ADS, там просто модель этого транзистора есть. В ADS считаю max_gain и коэф. устойчивости при помощи вшитых в САПР формул. Дело в том что один транзистор в рабочей точке Uc=2 В, Ic = 20 mA дает около 20 дБ максимального коэффициента усиления, но при этом коэф. К получше, его удается сделать больше 1. А остальные полпитания где? В нагрузке? мне нужен ВЧ усилитель, поэтому на нагрузке желательно иметь максимум размаха переменного напряжения, а все питание на транзисторы. Выбрал питание 4 В, по 2 В на каждый из тр-ров. Токи базы примерно одинаковы ~200 мкА.
  14. Насколько я понял из ВАХ, напряжение пробоя этого транзистора равно ~3 В. Напряжение насыщения составляет около 0.5-1 В (ну и размах по напряжению соответственно 2-2.5 В). Поэтому оптимальная точка для максимального размаха по напряжению равна 1.5-2 В. По току выбран не А режим, а AB, чтобы кпд был повыше. Или я в принципе неправильно задаю питание каскода?
  15. Спасибо! Но непонятно. Можете пояснить как там образуется ООС?
×
×
  • Создать...