Параметы QGS и QGD в SiC Mosfet тоже на порядок ниже по сравнению с обычными MOSFET,как железе они усточивы к ложному открытию?В ДШ Cree рекомендует отрицательное смещение гейта на -4в.
Терраэлектроника,электронщик работают от Компэла,при заказе приходит сообщение от робота сайта Компэл. Последний раз получил оптопары в корпусе dip-8,без ног,б.у.
