Здравствуйте!
Мне необходимо рассчитать структуру LDMOS-транзистора с плавающими Al- и Mo- кольцами (см. приложенный рисунок). Итого 7 молибденовых и 6 алюминиевых колец. Структура достаточно объёмная: 350 мкм на 460 мкм (2D), расчетная сетка, получаемая в MESH, содержит порядка сотни тысяч точек. Расчёт электрофизических характеристик провожу в DESSIS.
Проблема заключается в том, что решение DESSIS не сходится практически сразу после запуска, то есть напряжение доходит до сотых-тысячных долей вольта (а желательно рассчитать до 1500 В).
Был рассмотрен пример расчета плавающих областей из ExampleLibrary ("3.5.2 Breakdown simulation of diode with floating rings and
parameterized field plates"), попытался применить те же приёмы к своей структуре: обозначение каждого плавающего кольца в качестве контакта (Voltage=0, current=0 - в разделе Electrode DESSIS), наложение поверх всей структуры толстого слоя изолятора Insulator с относительной диэлектрической проницаемостью=1 (эмуляция воздуха), прикладывание напряжения не напрямую к стоку транзистора, а через резистор большого номинала (в руководстве exampleslibrary.pdf к этому данному примеру сказано, что такой подход увеличивает сходимость расчета). В общем, ничего не помогло.
Подскажите, пожалуйста, какую лучше назначить сетку в MESH для расчета в DESSIS (в каких местах её целесообразно сделать более точной), сталкивался ли кто-нибудь с расчетами плавающих областей (диффузионных/недиффузионных)? Возможно ли рассчитать в TCAD данной версии такую большую структуру (сужу относительно "родных" примеров)?
Заранее большое спасибо!
p.s. Работаю в ISE TCAD 10.0, FLOOPS-MESH-DESSIS, испытывал на Red Hat 3, Mandriva 08-09, OpenSUSE 11.1.
На картинке присутствуют два контакта (слева) - контакт к n+-истоку и p-подслою и 4 плавающих кольца (2 молибденовых и 2 алюминиевых). Через соответствующее число колец справа расположен контакт к стоку, к которому относительно истока (Vs=0) прикладывается напряжение (Vd=0-1500 В)
