Перейти к содержанию
    

Alexashka

Свой
  • Постов

    3 717
  • Зарегистрирован

  • Посещение

Репутация

0 Обычный

2 Подписчика

Информация о Alexashka

  • Звание
    Практикующий маг
    Гуру

Контакты

  • Сайт
    Array
  • ICQ
    Array

Информация

  • Город
    Array

Посетители профиля

6 718 просмотров профиля
  1. Sorry, похоже мой косяк, на разъем USB с устройства идёт +5, хотя был уверен, что ставил диод Шоттки И всё равно не понимаю, ну допустим сгорел в USB контроллере защитный диод на землю (либо на питание) на входе D+/D- и что? Как это приводит к коротышу по питанию на материнской плате? его?
  2. Я тоже очень удивился. Мать не запускает БП, если запустить БП принудительно, то подсветка на кулерах на мгновение проскакивает и судя по всему БП отрубается по перегрузке.
  3. Добрый день. Делаю различные девайсы с USB, до сих пор всё было нормально, но вдруг случилось. Подключал к компьютеру устройство с USB выведенным на разъем GX12, это цилиндрический разъем на 4 контакта, всё бы ничего, но у некачественных китайских разъемов бывает так, что они втыкаются не по ключу, а с поворотом на угол кратный 90 градусов. Т.е питание могло прилететь на землю, а земля на сигнальную линию или еще както. В общем компьютер выключился и больше уже не включался, сгорела материнка. Само устройство не пострадало. Разъём я сразу поменял на исправный, компьютер тоже :) Но вот думаю надо бы включать такие устройства через USB-хаб, чтобы если что, то сгорел хаб, а не компьютер. Может кто подскажет хаб со встроенной защитой по сигнальным линиям и по питанию? Требования: 3-4 порта USB2.0, можно и больше, большой нагрузочной способности не требуется. Спасибо.
  4. По своему опыту SMD керамика "коротит" от сильных импульсных токов, но при "закоротке" у нее бывает довольно большое внутреннее сопротивление, так что второй конденсатор в этой связке уже не будет выполнять свою основную функцию. ИМХО решение далеко не идеальное. Да, поэтому пока сделаю как в референс дизайне, а то на плате места итак уже под завязку.
  5. Привет всем! Может кто знает для чего на схемах известных производителей ставят последовательно пару керамических конденсаторов? Напряжения там на первой схеме несколько вольт (она работает с одной банкой Li-Ion), на второй схеме напряжение побольше, но и емкости смешные, так что и один керамический конденсатор без проблем выдержит. А так тут по-хорошему нужны балансирующие резисторы, а их нет. Просто интересно!
  6. Не знаю почему Вы адресуете Ваши замечания всё время мне, но раз так, я Вам и отвечу. А позже Вы пишите что: Выходит таки соответствуют СММ :) На счет партии транзисторов и их сопровождением слышу первый раз, заказывали и импорт и с отечественных заводов, кроме паспортов и SPICE моделей которые выкладываются на сайтах производителя ничего не получал, может партии слишком мелкие? Да ладно, а то если у Вас результат не совпадет с симуляцией Вы сразу побежите жаловаться в суд на производителя симулятора?)) Когда покупаешь штучно, так и есть, фактически покупаешь кота в мешке. Да нет, если делаешь для себя можно и по ходу дела набраться опыта :) Ток через емкость будет импульсным и очень коротким, амплитуду его ничто не ограничивает, кроме индуктивности проводов. У защиты есть конечно время срабатывания, к тому же она будет срабатывать с частотой 50 кГц и с этой же частотой в транзисторы будут бить запредельные импульсы тока. Будет перегрузка по импульсному току, по "Repetitive Avalanche Energy" и по "peak diode recovery dv/dt" (если это MOSFETы), сколько такие ключи проживут? Думаю не очень долго.
  7. Дорогой Вы мой :) К чему весь этот пафос? И потом речь шла про конкретную схему в симуляторе, в которой, на сколько я вижу, в источнике задано только активное внутреннее сопротивление 10 мОм, какие "всевозможные ёмкости, индуктивности"? Т.е. подключить нормальную такую емкость прямо к выходу полумоста и пусть защита клацает, угу, очень грамотный совет. По-моему plain всё хорошо объяснил, так что мне добавить больше нечего.
  8. Ну а Вы сами не видите разве? У Вас на схеме что? Идеализированный источник, где Вы такой в природе видели? Допустим усилитель класса D, что в нём имеем - силовые ключи + схема управления затворами + ШИМ контроллер (уже не мало), далее чтобы получить синус нужно сгладить ШИМ - а это тянет за собой LC контур, который в Вашем случае должен выдавать (должен быть рассчитан) как было сказано выше на килоамперы, т.е катушка индуктивности на килоамперы тока + конденсатор фильтра. Опять же силовые транзисторы ШИМ преобразователя должны выдавать (пропускать через себя) эти самые килоамперы. В случае с резонансным контуром токи транзисторов на порядок меньше, работают в щадящем для них ZVS режиме, а самое главное реализуемо на практике, а то что Вы хотите в страшном сне не приснится (если Вам этого до сих пор не понятно- попробуйте собрать такого монстра хотя бы в моделяторе заменив идеальные источники тем что будет в реальности -и Вы всё поймете).
  9. Ну Вы, млин, даёте! Нагрузили параллельный контур нулевым сопротивлением источника и ждете резонанса
  10. Ну модель у Вас есть, так что проверить гипотезу минутное дело :) Plain конечно поправит, но последнее время в высокоэффективных преобразователях всё чаще вижу именно резонансные схемы, к чему бы? :)
  11. У Вас же будет многовитковая катушка, и при этом ток порядка 90 А, не многовато? (я про размеры потребной катушки). Про ток контура: раз нет значительного спада тока, значит и резонанса особого нет, видимо контур итак хорошо задемпфирован. А кстати ток конденсатора чем определяется? Током катушки? А ток катушки при неизменной мощности в контуре (=Li^2/2) будет спадать при увеличении индуктивности катушки. Попробуйте увеличить индуктивность одновременно снизив емкость контура. И кстати тут забыли один важный момент, который дает контур - он избавляет от необходимости качать ключами реактивный ток через катушку. Т.е если Вы запитаете катушку скажем усилителем D класса, то чтобы создать в ней магнитное поле такой же мощности как в схеме выше, Вы будете вынуждены прокачивать через нее ток порядка 80 А, при том что полезный ток будет всего лишь (5-10) А. И в этом случае всю нагрузку возьмут на себя электролиты (или та же пленка) по питанию, которые будут греться дико сильно. Так что один хрен :)
  12. ИМХО наоборот будет -сильная связь контура с нагреваемым телом (короткозамкнутая обмотка транса), так что такой дикой реактивности не будет -вся подведенная мощность сразу будет уходить в нагрев жала.
  13. Ну почему же сразу не тот. Видел ставят батарею пленочных кондеров на киловаттные устройства, в Вашем случае средняя мощность сравнительно не большая ведь? Ватт 60 примерно? Обычно идет CBB22 - ходовая китайская пленка, макс.ток у нее не приводится, но потери ≤0.2% на частоте 10 кГц, т.е если в контуре постоянно гуляет скажем 100 Вт реактивной мощности, то на конденсаторе выделится всего 0,2 Вт - совсем ерунда. А так видел как у этих кондеров выводы от тока! нагреваются до красного каления и ничего -работают :)
  14. Ну с контуром всё довольно просто: он позволяет прокачивать через катушку значительные токи без жесткой коммутации ключей (ток в ключах имеет форму синуса и переключение происходит в нуле тока и напряжения, поэтому схема называется ZVS - zero voltage switch), значит имеем малые потери на переключение. Плюс к этому она автогенераторная, поэтому очень простая. На резонанс (как Вы сами понимаете) она выходит автоматически, благодаря обратным связям через диоды на затворы транзисторов. Синусная форма тока в катушке также хороша тем, что при этом мало что переходит в радиосигнал, почти вся мощность идет на нагрев. Правда у меня с этим нагревателем не особо получалось греть медяху - потери в ней малы, гораздо лучше грелись ферромагнетики. Про остальное не скажу, единственное - медь внутри катушки это по сути трансформатор с короткозамкнутой вторичкой, которая имеет 1 виток, но не известны такие параметры как коэф. магнитной связи и индуктивность этого витка, поэтому с расчетами даже не знаю как. Как вариант сделать пробный макет, измерить токи и воспроизвести их в модели подбирая индуктивности и магнитную связь катушек. Далее крутить модель, добиваясь оптимальных результатов.
×
×
  • Создать...