Перейти к содержанию
    

работа транзистора с ОЭ

Еще раз перечитал о работе транзистора, стал задаваться вопросом- как происходит, что при схеме с ОЭ (n-p-n возьмем для примера), при подаче тока в БЭ, электроны из Э идут не только в Б, но и в К потекли? Какая физика происходит на переходе КБ, что электроны и в К текут? Как бы поле тоже положительное, как и у Б, более высоковольтное, поэтому они текут в К. Так что -ли? А зачем коллектор делать из полупроводника? Нельзя ли сделать из металла? Там еще больше свободных электронов?

Не могли бы как-то попонятней объяснить этот момент?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Еще раз перечитал о работе транзистора, стал задаваться вопросом- как происходит, что при схеме с ОЭ (n-p-n возьмем для примера), при подаче тока в БЭ, электроны из Э идут не только в Б, но и в К потекли? Какая физика происходит на переходе КБ, что электроны и в К текут? Как бы поле тоже положительное, как и у Б, более высоковольтное, поэтому они текут в К. Так что -ли? А зачем коллектор делать из полупроводника? Нельзя ли сделать из металла? Там еще больше свободных электронов?

Не могли бы как-то попонятней объяснить этот момент?

Площадь коллектора больше площади базы, следовательно коллектор больше захватывает носителей заряда. Но что-то и базе перепадает, хотя у неё роток и поменьше будет :rolleyes:

 

Про металл ничего не могу сказать, не компетентен в этой области. Неплохо про физику полупроводников написано у Айсберга "Транзистор - это просто". Правда эта книга так сказать популяризаторская, что не отменяет её простой и доходчивый стиль изложения.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

я уже раз 3-й ее перечитываю, но фишку просечь не могу в этом моменте. Там у Айсберга очень все поверхностно расписано, не вглубляясь именно в сами физические процессы. Возможно, я не внимательно прочитал это место.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Для простоты объяснения, слой базы очень тонкий, менее свободного пробега электронов около 10 мкм. Поэтому большая часть носителей пролетает слой базы и попадает в слой коллектора. Чем меньше носителей зарядов остаются в слое базы тем больше коэффициент усиления по току. Удивительная штука, переход база-коллектор закрыт а ток коллектора есть...

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

хорошо, а почему бы тогда коллектор из металла не делать? На примере диода Шотки? Думаю, что тогда к безе сразу бует и U базы приложено и U коллектора. А так, U коллектора не приложено к базе. Но это догадки только.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

хорошо, а почему бы тогда коллектор из металла не делать? На примере диода Шотки? Думаю, что тогда к безе сразу бует и U базы приложено и U коллектора. А так, U коллектора не приложено к базе. Но это догадки только.

 

Как же это напряжение коллектора к базе не приложено? Приложено и составляет Uкб=Uкэ-Uбэ, напряжение на базе всегда ниже напряжения коллектора и переход база-коллектор всегда закрыт этим напряжением.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Как я себе это представляю.

Коллекторный переход как диод закрыт обратным полем, т.е. в нем неоткуда взяться подвижным зарядам и тока нет.

Но эмиттерный переход при прямом напряжении (и токе) заполняется движ. зарядами.

Дальше часть этих зарядов попадает тонкий базовый слой (который вплотную граничит с эмиттерным переходом).

Далее часть этих зарядов попадает в запирающий слой коллекторного перехода и уж там захватываются полем и "летят" к коллектору, т.е. создают ток.

А так как эмиттер делается маленьким, а коллектор большим, а слой базы тоньше длины свободного пробега, то бОльшая часть зарядов "улетает" к коллектору.

(например, у npn-транзистора эмиттер выглядит как узкая площадка в центре полуцилиндра, слой базы вокруг него, а еще дальше по радиусу - коллекторный слой и далее "тело" кристалла-подложки).

Примечание. Под движущимися зарядами понимать электроны и дырки соответственно, направление - условное в зависимости от структуры транзистора.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

переход база-коллектор всегда закрыт этим напряжением.

В режиме насыщения биполярного транзистора, переход база-коллектор будет открыт :biggrin:

 

Как я себе это представляю.

Вчера вечером, уже поздно, прочитал что люди именно представляют как рабтает p-n переход, но точно никто не знает :laughing: :laughing: :laughing:

 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

хорошо, а почему бы тогда коллектор из металла не делать? На примере диода Шотки? Думаю, что тогда к безе сразу бует и U базы приложено и U коллектора. А так, U коллектора не приложено к базе. Но это догадки только.

А из чего же его по-вашему делают?

Ещё и с корпусом соединяют частенько

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

ну т.е. я в точку попал- ясности как и у меня, ни у кого нет )))

база тонкая- да, но это только облегчает задачу перехода в коллектор из базы. Была бы толще, нужно было бы напряжение побольше, скорее всего. Я хочу сказать, что не из-за того, что база тонкая, электроны в npn залетаю в базу, и, как на картинке, не налево в базу идут, а прямо, по инерции )) Их затягивает поле. Более сильное. А почему?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Работает, и ладно. И вообще, нет никаких электронов. Есть только кварки. Но их тоже никто не видел. :biggrin:

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Интересная тема, почти как про общий коллектор. Понаблюдаю

image.jpg

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Я хочу сказать, что не из-за того, что база тонкая, электроны в npn залетаю в базу, и, как на картинке, не налево в базу идут, а прямо, по инерции )) Их затягивает поле. Более сильное. А почему?

Как раз базу тонкой делают специально, чтобы концентрация неосновных носителей вблизи коллекторного перехода была выше. Чем тоньше база, тем больше этих носителей, эмиттированных из эмиттерного перехода (пардон за тавтологию), перейдет в коллектор, тем больше коэффициент усиления транзистора. Если база толстая (или вы пытаетесь сделать транзистор из двух диодов), то носители уйдут в базовый электрод.

И по площади: эмиттерный переход сейчас стараются сделать возможно большей площади, и с меньшим падением напряжения вдоль перехода, особенно у мощных ВЧ транзисторов (фактически там многоэмиттерный транзистор), с той же целью: инжектировать в область базы по возможности больше неосновных носителей.

Не знаю, учат ли этому радиоинженеров в современных вузах, но это основы...

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

А для начала взять и почитать, ну, скажем, какого-нибудь Батушева ("Электронные приборы", кажется, называется),- не судьба?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Если есть базовые знания физики полупроводников, то попробуйте почитать книгу "Твердотельная электроника. 2004 - Гуртов В.А". Можно сразу со страницы 78 про биполярные транзисторы. По-моему, это очень неплохая книга, несмотря на то, что обычно учебные пособия вузовских преподавателей как раз на редкость непонятные и паршивые. А эту книгу не портит даже обилие формул - они все объясняются на словах.

А если физику полупроводников вы не знаете вообще, то понять работу транзистора не получится.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...