Dimik 0 8 сентября, 2006 Опубликовано 8 сентября, 2006 · Жалоба Добрый день коллеги! Раньше, когда вставала задача построить ВЧ устройство всегда применял готовые 50ом эл-ты, а тут был строгий указ. RD07MVS1, "т.к. мы их купили черти сколько и их нужно применить, так что модули оставь на потом..." Начал разбираться. В даташит приведены S параметры до Гига, а так же пару точек комплексо сопряженных импедансов входа и выхода. По моему предположению (верно ли оно?), если пересчитать S в Z на тех частотах, для которых указанны компл. сопр. Z, и поменять знак, должно все сойтись. Т.е. в даташит указанно, что на 520МГц сопряженное Zin=0.76+j0.06, и, т.к. Zo=10Ом, Zin=7.6+j0.6Ом, поменяв знак получим, что входное сопротивление транзистора 7.6 - j0.6 Ом. Далее, следуя моей логике, берем точку по S хар. на частоте 520МГц получаем отражение 0.935 угол (-178.5). Пересчитываем в Z и получаем 1.68-j0.65 Ом, что не сходится с полученными ранее 7.6 - j0.6Ом. Для чистоты эксперимента еще олна точка, 175МГц: 15.5-j55.3 Ом по диаграмме и 2.67 - j1.72 Ом при пересчете из S, разница огромная. Товарищи, где и что я наврал? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Shurmas 0 9 сентября, 2006 Опубликовано 9 сентября, 2006 · Жалоба Посмотрите пожалуйста кракие примеры по согласованию в ВЧ и СВЧ - написано просто и по-человечески vm-lab.narod.ru (в низу) и прекрасная прога рекомендована. Как раз очень подробно описано чтение параметров из ДШ. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Shurmas 0 9 сентября, 2006 Опубликовано 9 сентября, 2006 (изменено) · Жалоба Где вы Мицубиши покупали ? Изменено 9 сентября, 2006 пользователем Shurmas Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Dimik 0 9 сентября, 2006 Опубликовано 9 сентября, 2006 · Жалоба 2Shurmas: 1. Читал я этот краткий курс, все что описано мной выше не противоречит тексту автора.... Так что вопрос остается открытым... 2. Митсубиши - Платан, Симметрон. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Shurmas 0 9 сентября, 2006 Опубликовано 9 сентября, 2006 · Жалоба скачал ДШ - похоже данные странные. тогда просчитайте импеданс по схемам подключения двигаясь от 50 ом. и посмотрите усилок на нем 450-520 МГц реф дезин ANUHF027B.pdf там тоже можно сделать и выяснить. Ну иль письмо им напишите. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Shurmas 0 9 сентября, 2006 Опубликовано 9 сентября, 2006 · Жалоба на 520 МГц расчетом по реф дезин ANUHF027B.pdf получилось входное 2.1 - J0.5 - вот так ... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Dimik 0 9 сентября, 2006 Опубликовано 9 сентября, 2006 · Жалоба Shurmas, расскажите как считали, Ваши результаты с моими не сошлись... Мой расчет: 1. Расчет ведется для для входной цепи по документу AN-UHF-027-B 2. Проверяем 50омность линии, которую они используют. Ширина: 2.2 мм Eps: 2.7 Толщина диэл: 0.8 мм Толщину фольги и тангенс потерь возьмен средние 0.035 и 0.001 Для указанных данных программа TXLINE 2003 из пакета MWO дале следующие результаты: Zo=48.8 Погонное измеение фазы@520МГц = 930.646 Eps(эффективное) = 2.22125 Проверим тоже самое программой TLine из пакета GENESYS 2003 Zo=48.7 Погонное измеение фазы@520МГц = примерно 910-950, т.к. считал приближенно из коэф. укорочения. Eps(эффективное) = 2.2121 Вывод: линия из аппноута соответствует правде. 3. Для каждого кусочка линии высчитываем фазовую задержку: 34.5мм = 32.12град 11.5=10.707 7=6.5 4.6=4.28 29=27 4. Итого нам известно: *Начальная точка 50ом *параметры всех линий *номиналы всех сосредоточенных эл-тов. 5. Наносим все это на диагр смита (я использовал SmithChart www.rfdude.com) и получаем, что на конце последней линии Z=2.06+j22.74, соответственно Zвхтранзистора 2.06-j22.74@520МГц, что не соответствует ни S11, ни Z из даташит. 6. Для проверки вычислений введем входную схему в GENESYS 2003, в качестве линий используем элемент TLP, описывающий физическую линию. Длины линий берем из апликашки, Eps эффективное из расчетов в п.2 Получаем на конце последней линии Z=2.07+j22.7, что абсолютно сошлось с расчетом по диаграмме смита... 7. Если расчет по диаграмме смита совпал с расчетом в GENESYS, считаем что обе программы дают математически верные результаты. Поэтому расчет Z на конце линии для схемы из даташит на транзистор проведем в GENESYS, т.к. там это более удобно. Результаты: на конце последней линии Z=1.05-j1.6, значит Z транзистора должно быть 1.05+j1.6, что опять не сходится.... Итого: Вопрос из моего первого поста остается открытым...Расскажите как считали, Ваши результаты с моими не сошлись... Мой расчет: 1. Расчет ведется для для входной цепи по документу AN-UHF-027-B 2. Проверяем 50омность линии, которую они используют. Ширина: 2.2 мм Eps: 2.7 Толщина диэл: 0.8 мм Толщину фольги и тангенс потерь возьмен средние 0.035 и 0.001 Для указанных данных программа TXLINE 2003 из пакета MWO дале следующие результаты: Zo=48.8 Погонное измеение фазы@520МГц = 930.646 Eps(эффективное) = 2.22125 Проверим тоже самое программой TLine из пакета GENESYS 2003 Zo=48.7 Погонное измеение фазы@520МГц = примерно 910-950, т.к. считал приближенно из коэф. укорочения. Eps(эффективное) = 2.2121 Вывод: линия из аппноута соответствует правде. 3. Для каждого кусочка линии высчитываем фазовую задержку: 34.5мм = 32.12град 11.5=10.707 7=6.5 4.6=4.28 29=27 4. Итого нам известно: *Начальная точка 50ом *параметры всех линий *номиналы всех сосредоточенных эл-тов. 5. Наносим все это на диагр смита (я использовал SmithChart www.rfdude.com) и получаем, что на конце последней линии Z=2.06+j22.74, соответственно Zвхтранзистора 2.06-j22.74@520МГц, что не соответствует ни S11, ни Z из даташит. 6. Для проверки вычислений введем входную схему в GENESYS 2003, в качестве линий используем элемент TLP, описывающий физическую линию. Длины линий берем из апликашки, Eps эффективное из расчетов в п.2 Получаем на конце последней линии Z=2.07+j22.7, что абсолютно сошлось с расчетом по диаграмме смита... 7. Если расчет по диаграмме смита совпал с расчетом в GENESYS, считаем что обе программы дают математически верные результаты. Поэтому расчет Z на конце линии для схемы из даташит на транзистор проведем в GENESYS, т.к. там это более удобно. Результаты: на конце последней линии Z=1.05-j1.6, значит Z транзистора должно быть 1.05+j1.6, что опять не сходится.... Итого: Вопрос из моего первого поста остается открытым...Расскажите как считали, Ваши результаты с моими не сошлись... Мой расчет: 1. Расчет ведется для для входной цепи по документу AN-UHF-027-B 2. Проверяем 50омность линии, которую они используют. Ширина: 2.2 мм Eps: 2.7 Толщина диэл: 0.8 мм Толщину фольги и тангенс потерь возьмен средние 0.035 и 0.001 Для указанных данных программа TXLINE 2003 из пакета MWO дале следующие результаты: Zo=48.8 Погонное измеение фазы@520МГц = 930.646 Eps(эффективное) = 2.22125 Проверим тоже самое программой TLine из пакета GENESYS 2003 Zo=48.7 Погонное измеение фазы@520МГц = примерно 910-950, т.к. считал приближенно из коэф. укорочения. Eps(эффективное) = 2.2121 Вывод: линия из аппноута соответствует правде. 3. Для каждого кусочка линии высчитываем фазовую задержку: 34.5мм = 32.12град 11.5=10.707 7=6.5 4.6=4.28 29=27 4. Итого нам известно: *Начальная точка 50ом *параметры всех линий *номиналы всех сосредоточенных эл-тов. 5. Наносим все это на диагр смита (я использовал SmithChart www.rfdude.com) и получаем, что на конце последней линии Z=2.06+j22.74, соответственно Zвхтранзистора 2.06-j22.74@520МГц, что не соответствует ни S11, ни Z из даташит. 6. Для проверки вычислений введем входную схему в GENESYS 2003, в качестве линий используем элемент TLP, описывающий физическую линию. Длины линий берем из апликашки, Eps эффективное из расчетов в п.2 Получаем на конце последней линии Z=2.07+j22.7, что абсолютно сошлось с расчетом по диаграмме смита... 7. Если расчет по диаграмме смита совпал с расчетом в GENESYS, считаем что обе программы дают математически верные результаты. Поэтому расчет Z на конце линии для схемы из даташит на транзистор проведем в GENESYS, т.к. там это более удобно. Результаты: на конце последней линии Z=1.05-j1.6, значит Z транзистора должно быть 1.05+j1.6, что опять не сходится.... Итого: Вопрос из моего первого поста остается открытым...Расскажите как считали, Ваши результаты с моими не сошлись... Мой расчет: 1. Расчет ведется для для входной цепи по документу AN-UHF-027-B 2. Проверяем 50омность линии, которую они используют. Ширина: 2.2 мм Eps: 2.7 Толщина диэл: 0.8 мм Толщину фольги и тангенс потерь возьмен средние 0.035 и 0.001 Для указанных данных программа TXLINE 2003 из пакета MWO дале следующие результаты: Zo=48.8 Погонное измеение фазы@520МГц = 930.646 Eps(эффективное) = 2.22125 Проверим тоже самое программой TLine из пакета GENESYS 2003 Zo=48.7 Погонное измеение фазы@520МГц = примерно 910-950, т.к. считал приближенно из коэф. укорочения. Eps(эффективное) = 2.2121 Вывод: линия из аппноута соответствует правде. 3. Для каждого кусочка линии высчитываем фазовую задержку: 34.5мм = 32.12град 11.5=10.707 7=6.5 4.6=4.28 29=27 4. Итого нам известно: *Начальная точка 50ом *параметры всех линий *номиналы всех сосредоточенных эл-тов. 5. Наносим все это на диагр смита (я использовал SmithChart www.rfdude.com) и получаем, что на конце последней линии Z=2.06+j22.74, соответственно Zвхтранзистора 2.06-j22.74@520МГц, что не соответствует ни S11, ни Z из даташит. 6. Для проверки вычислений введем входную схему в GENESYS 2003, в качестве линий используем элемент TLP, описывающий физическую линию. Длины линий берем из апликашки, Eps эффективное из расчетов в п.2 Получаем на конце последней линии Z=2.07+j22.7, что абсолютно сошлось с расчетом по диаграмме смита... 7. Если расчет по диаграмме смита совпал с расчетом в GENESYS, считаем что обе программы дают математически верные результаты. Поэтому расчет Z на конце линии для схемы из даташит на транзистор проведем в GENESYS, т.к. там это более удобно. Результаты: на конце последней линии Z=1.05-j1.6, значит Z транзистора должно быть 1.05+j1.6, что опять не сходится.... Итого: Вопрос из моего первого поста остается открытым... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Valery_Vlad 0 9 сентября, 2006 Опубликовано 9 сентября, 2006 · Жалоба Все дело в том, входное и выходное сопротивление транзистора дано при условии полного согласования по входу и выходу и обратная связь внунтренняя (транзистора) действует. А S-параметры даны для случая: S11 - когда согласование по выходу полное, по входу измеряют коффициенты отражения. и обратная связь действует. В чём разница? В одном случае полное согласование по выходу и входу, в другом согласование только по выходу. Обратная связь влияет на входное сопротивление транзистора. Поэтому и разница в результатах. Аналогично и для S22. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
serges 0 9 сентября, 2006 Опубликовано 9 сентября, 2006 (изменено) · Жалоба Возвращаю вас в начало темы. Не нужно смешивать приведенные S-параметры(малосигнальные) с приведенными последователными входными импедансами на отдельных частотах при номинальной мощности (большие сигналы). Они никогда не совпадут. Во всех ваших дальнейший согласованиях никакие взаимные харакеристики S12 и S21 не участвуют, делается все отдельно для входа и выхода. Если ваша схема 2х тактная, согласовывайте половину до 25 ом. Нарисуйте экв. послед. схему в Office, если там работаете, добавьте 1 порт, получите S11/S22 и дальше все по схеме. Кондеры для симуляции вставляйте конкретные(AVX, ATC), а не идеальные(даже с Q). Изменено 9 сентября, 2006 пользователем serges Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Shurmas 0 9 сентября, 2006 Опубликовано 9 сентября, 2006 · Жалоба Shurmas, расскажите как считали, Ваши результаты с моими не сошлись... Мой расчет: 1. Расчет ведется для для входной цепи по документу AN-UHF-027-B Я использовал прогу SMITH 2.02 (там очень простое графическое построение) которая рекомендована и скачивается в курсе по согласованию. Вы заметили что линия перед затвором короткая а на рисунке отсутствует десятичная точка в длине линии ? помоему нет ! Реальная часть у нас совпала практически. Но я не спорю, возможно вы посчитали точней. Не нужно смешивать приведенные S-параметры(малосигнальные) Почему вы считаете их малосигнальными ? я не спорю, а просто хочу узнать. ведь это не отмечено в ДШ. кстати параметры тоже приведены для конкретных частот - как и обычно бывает. входное и выходное сопротивление транзистора дано при условии полного согласования по входу и выходу и обратная связь внунтренняя (транзистора) действует. А S-параметры даны для случая: S11 - когда согласование по выходу полное, по входу измеряют коффициенты отражения. и обратная связь действует. Как вы это узнали ? где об этом написано в ДШ или еще где либо ? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Valery_Vlad 0 9 сентября, 2006 Опубликовано 9 сентября, 2006 (изменено) · Жалоба Посмотрите сами datasheet на RD07... Id=750 mA. Там приведены режимы транзистора отнюдь не малосигнальные. И вообще какой смысл приводить S-параметры для режимов в которых транзистор не будет использован? А на счет S11, это определение приводиться в любом учебнике, я сразу затрудняюсь на память назвать ссылку. А впрочем в этой же теме была прекрасная ссылка www.vm-lab.narod.ru. Посмотрите! Изменено 9 сентября, 2006 пользователем Valery_Vlad Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
serges 0 9 сентября, 2006 Опубликовано 9 сентября, 2006 · Жалоба Читайте литературу. Это обычное дело: на мощные транзисторы приводят только несколько входных сопротивлений на нескольких частотах при номинальной мощности. Посмотрите транзисторы Motorola, Macom и др., все одно и то же. Посетите www.freescale.com (это Motorola), www.macom.com -там много AN по этому поводу и по согласованиям в том числе. Если Вы не занимались этим (модули не в счет), горя нахлебаетесь. Согласование- полбеды, дальше вопрос стабильности, работа на резонансную антенну. Из своего большого опыта УМ (до 1кВ) могу сказать, дешевле будет применять все те же модули. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Valery_Vlad 0 9 сентября, 2006 Опубликовано 9 сентября, 2006 · Жалоба Мне кажется, что ничего страшного. У RD07... на частотах 470-500 МГц активное входное и выходное сопртивление. Это позволяет согласовать легко в широком диапазоне частот вход и выход транзистора. А вопрос устойчивости, это вопрос хорошего согласования. Если не будет отражений на входе и выходе, то схема будет абсолютно устойчива. А вопрос работы на резонансную антенну, я не понимаю, в чем трудность?! Этот транзистор у меня работает в 5 ваттном передатчике без проблем. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Shurmas 0 9 сентября, 2006 Опубликовано 9 сентября, 2006 · Жалоба Smith да и другие проги считают устойчивость, кстати в упомянутом выше курсе по согласованию есть уроки по MWO там как раз расчет усилителя и на устойчивость в том числе. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Dimik 0 9 сентября, 2006 Опубликовано 9 сентября, 2006 · Жалоба 2Valery_Vlad: Все дело в том, входное и выходное сопротивление транзистора дано при условии полного согласования по входу и выходу и обратная связь внунтренняя (транзистора) действует. А S-параметры даны для случая: S11 - когда согласование по выходу полное, по входу измеряют коффициенты отражения. и обратная связь действует. А как такие измерения проводят? Ведь получается, что для промера одной точки S11, нужно заново настраивать выходную цепь, причем, по всей видимости, вручную... Я всегда думал, что S11 и S22 измеряют при нагруженных противоположных концах на 50ом. Т.е. взяли транзистор, подключили к нему векторный анализатор, дали смещение и смотрим готовые Sxx.... 2Shurmas: Спасибо за подсказку, действительно не заметил точку. Пересчитанный результат 1.7+j0.15. 2Всем: Попробовал промоделировать такой случай: В GENESYS взял двухполюсних, подгрузив ему S параметры из файла к тр-ру, и ко входу подключил входную цепь, которую обсуждали выше, после чего замерял S22. Получил вот таку картинку: Верхняя кривая из файла, нижняя - то что "намеряли".... Мимо, но очень близко. Даже изгибы повторяются... ;-) Далее те же действия, только для выходной цепи и S11. Красная из файла, оранжевая из расчета. Еще более мимо, но все равно рядом. Ну думаю соберу все до кучи и увижу красивый закрутасик вокруг 50ом на частотах вблизи 520МГц. Но был разочарован.... Так как же мне все таки согласовать этот транзистор? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
