Змей Горыныч

Если бы так и было, эти цифры и разговоры о шуме ключа вообще бы не имели никакого смысла. Правильно. А поскольку при малом напряжении Uси открытый канал - суть резистор, то его дифференциальное сопротивление и будет равно омическому.

Если он в активном режиме, то да, разумеется он будет шуметь не как резистор. А если весь канал - и сток, и исток подвешены на один потенциал, скажем, на половину питания, то ток через канал течь не будет. В открытом состоянии и при малых напряжениях канал подобен резистору. На затворе - тоже фиксированный потенциал без шумовой компоненты. Откуда повышенный шум, не понимаю. =) Хорошо, предположим, что виновата утечка затвора. Но почему в описании мультиплексоров и аналоговых ключей шумовые параметры и характеристики почти никогда не указываются? Неужто аналоговые ключи не применяют при низкоуровневых сигналах...

Раньше я не встречал в документации на аналоговые ключи упоминаний об их шумовых свойствах, а потому не задумывался о шуме ключей и представлял себе некий абстрактный резистор в виде открытого канала ПТ с сопротивлением, скажем, в пару сотен ом и соответствующим тепловым шумом. Сегодня смотрел даташит на MC14016. ONSEMI пишет про низкий шум ключа, 12нВ/корень(Гц) на частотах свыше 1кГц и на 6-й странице даёт графики спектральной плотности. Ну хорошо, левее 1кГц там фликкер вылазит, но на высоких частотах при сопротивлении ключа 250 Ом (в отсутствии сигнала) тепловой шум должен составлять примерно 2нВ/корень(Гц). Откуда 12нВ взялись?? Специально после этого выборочно посмотрел документацию на некоторые ключи других фирм. Нигде про шум не пишут вообще - почему сложилась такая практика?

rezident, спасибо, что обратили внимание на рассеиваемую мощность - конечно, при длительной "стационарной" работе и 30В на входе ни TO-92, ни SO8 не подойдут. Но повторю: вопрос не в том, как удовлетворить имеющиеся технические требования, а в том, можно ли ВООБЩЕ использовать нерегулируемые стабилизаторы с внешней "опорой", или этого делать нельзя.

Herz, насчёт необходимости вкачивать ток в стабилитрон - верно, вы правы. LM317L - хороший прибор в плане потребления, но падение довольно высокое (единицы вольт), т.е. вряд ли его можно отнести к категории LDO. rezident, да, выходное напряжение нужно в районе 8В. Входное номинально ОКОЛО 9В (батарея или внешний источник), максимально допустимое входное - не менее 30В. Рабочий диапазон температур: -15..+50 (условно назовём его "бытовым"). Диапазон цен: в пределах 0,6$/шт розница.

rezident, Требования к электрическим параметрам более чем скромные (8В, десятки мА, по коэф,стабилизации устроил бы даже параметрик, потребление самой ИС не более сотен микроампер, минимально необходимое падение на LDO в пределах 200-300мВ). Вопрос не в подборе подходящей ИС, а скорее теоретического плана: параметры ширпотребных LM2931 полностью устраивают, но нужно 8В и хочется всё сделать компактнее, чем в случае "настраиваемой" LM2931C в SO8, не прибегая к более дорогим ИС. "Если вы попробуете "приподнять" LDO, то она скорее всего "зазвенит" - а что мешает шунтировать средний вывод конденсатором на настоящую землю? Или речь не об этом? Кстати, если есть такого же плана распространённый "настраиваемый" на нужное Uвых ширпотреб в SOT-X23, был бы рад о нём узнать.

В документации на "классические" трёхвыводные стабилизаторы (78L05) часто приводятся схемы (рис.1.), позволяющие, получить от такой ИС напряжение, бОльшее её номинального Uвых посредством сдвига потенциала земли ИС на нужную величину при помощи резистивного делителя с выхода схемы. В другом варианте вместо делителя ставится резистор+стабилитрон. Рисунок 1 - Включение 78L05 В документации на более поздние трёхвыводные схемы вроде LM2931, современные МОП-LDO от TI и т.д. такое включение не приводится. Вместо этого производитель обычно предлагает регулируемую версию интересующей ИС (LM2931C) с дополнительным выводом усилителя ошибки для подключения внешнего делителя (рис.2). Всё бы хорошо, но корпус SO8, к сожалению, занимает несколько большую площадь на плате в сравнении с TO-92, корпус которого висит на выводах в воздухе, благодаря чему весь стабилизатор можно организовать более компактно. Рисунок 2 - Включение LM2931C Можно ли "отрегулировать" трёхвыводную версию LDO, "подперев" средний вывод, аналогично тому, как это делалось с 78L05, не прибегая к регулируемым версиям? Какие плюсы-минусы? Какова причина того, что производители специально выпускают регулируемые версии ИС вместо того, чтобы советовать пользователю "отрегулировать" фиксированный вариант внешним опорным источником? Могу предположить, что в ранних трёхвыводных LDO через средний "земляной" вывод текли единицы мА (78L05), причём ток этот менялся с изменением тока нагрузки и потенциал среднего вывода тоже плавал, ввиду чего даже со стабилитроном Kстаб_u по току нагрузки сильно ухудшался. Но в современных LDO этот ток на порядки меньше и в случае ИС на мосфетах достигает десятков мкА по абсолютной величине, а его изменения - ещё на порядки меньше. Т.е. потенциал среднего вывода ИС будет стабилен даже с резистивным делителем, не говоря уже о стабилитроне. Кстати, вопрос вдогонку: чем можно объяснить тот факт, что не существует версий популярных ИС (LM2931 например) в корпусе SOT-23? (или они есть, но выпускаются единицами фирм и являются экзотикой).

st232bd, поясните пожалуйста идею.

Я имею ввиду максимально допустимое, указываемое в документации. Для маломощных обычно 5-6В (BC846, 2N3904, BC817 и т.д.). Каким в реальности будет это "зенеровское" напряжение, не суть важно. Можно, конечно, ограничить ток разряда ёмкости через "пробиваемый" переход - тогда всё будет безопасно, но тут уже всё немного "нестандартно" работать будет. )

Недавно возникла необходимость сделать простой одновибратор с запуском от импульса малой амплитуды (1-2В) и питанием 9-12В. Решил применить классическую схему "из учебников" на 2-х транзисторах. Когда учился, при изучении этой схемы вопросов не возникало. Но сейчас, решая практическую задачу, заметил, что в момент прихода запускающего импульса транзистор Т2 запирается ёмкостью С, заряженной до Uпит-0.6В. Если Uпит достаточно велико, к примеру, 9В, выходит, что к переходу БЭ прикладывается напряжение, превышающее напряжение пробоя перехода (около 5В для маломощных транзисторов). Поскольку источником напряжения в данном случае является конденсатор, ESR которого мало, ток пробоя должен быть значительным. В итоге имеем две неприятности: 1. Возможно повреждение транзистора Т2. Лечится шунтированием перехода диодом или стабилитроном. 2. Если Т2 останется жив(например защищён стабилитроном), перезаряд будет происходить по "ломаной кривой" - сначала быстро через пробиваемый переход, а уже потом плавно, через резистор R. Хотелось бы услышать соображения по поводу практической применимости данной схемы при больших Uпит. (Интегралки 555 и т.д. трогать не будем.) Сейчас самым красивым решением мне представляется применение в качестве Т2 МОП-а с пробивным напряжением Uзи проб в десятки вольт.

Моё собственное предположение: для того, чтобы ИСКУССТВЕННО ПОНИЗИТЬ НАДЁЖНОСТЬ ширпотребной аппаратуры. Производить дорогое и надёжное НЕ ВЫГОДНО. Выгодно сделать дешёвый телевизор, который отработает срок гарантии и выйдет из строя, чтобы покупатель поскорее пришёл в магазин за новым. (а ремонт ввиду дешевизны изделия был бы нецелесообразен). (...несколько лет назад у меня вышел из строя тел. Samsung X-100, проработав года три. Ремонтники сказали, что X100 выходят из строя чуть ли не все подряд, стабильно, через несколько лет эксплуатации, и что дело именно в кристалле. Впоследствии кто-то из знакомых поведал мне точно такую же историю про свой собственный экземпляр этой модели.)

Прикладной вопрос общего плана, без привязки к конкретным компонентам. Имеем p-n переход, выдерживающий лишь небольшое обратное напряжение - к примеру, 5В у светодиода или БЭ-перехода транзистора. В определённых ситуациях к этому переходу прикладывается обр. напряжение, превышающее допустимое. Наиболее корректной защитой перехода представляется шунтирование его другим переходом - см. РИСУНОК "В". Допустима ли защита перехода от перенапряжения ограничением обратного тока, например, как на рис. "А", "Б"? В обоих случаях последовательно со светодиодом включается кремниевый диод с высоким пробивным напряжением и малым обратным током. Теоретически обратный ток насыщения светодиода будет гораздо больше тока 1N4148, поэтому львиная доля напряжения источника будет падать именно на 1N4148. Для страховки светодиод можно зашунтировать высокоомным резистором. Даже если высоковольтный диод попадётся плохенький, его обратный ток всё равно не сможет вывести СИД из строя. Даже если напряжение на СИД будет повышаться, барьерная ёмкость СИД слишком невелика, в отличие, скажем, от межэлектродных ёмкостей МОП-транзисторов и не способна выдать длительный импульс, который бы привёл к деградации или разрушению СИД: обратно включённый переход, приближаясь к области пробоя, будет плавно "спускать" избыточный заряд. P.S. Чутьё подсказывает, что это - не особо хорошее решение. ) (Несмотря на то, что высоковольтные выпрямители набирают из нескольких низковольтных, применяя выравнивающие резисторы...)

Это не вн. сопротивление, а сопротивление утечки (т.е. параллельное элементу), один из дефектов, моделируемых Мультисимом. Пригождается, к примеру, когда нужен не идеальный конденсатор, а реальный, имеющий утечку. Используйте дополнительный резистор последовательно с источником.

ВНИМАНИЕ, МОШЕННИКИ! - kosmodrom.com.ua Опубликовал свой рассказ о том, как меня кинули в харьковском "Космодроме" (kosmodrom.com.ua) http://electronix.ru/forum/index.php?showt...mp;#entry736712

Разве что для экранирования... Конечно, более привычна рекомендация на каждую землю отводить собственный полигон и их уже соединять в одной точке. Хотя, понятно, что если в схеме есть мощные элементы с переменным потребляемым током, либо какие-то высокочувствительные каскады, то их лучше не к полигону подключать, а отдельно протянуть питание в пресловутую точку соединения земель...