ЭнСб

У каждого ОУ с резисторами 10 Ом на входе и 360 на выходе получается 0,9+0,13*(sqrt(10)+sqrt(360)/10)=1.56 nV/sqrt(Hz). Если это поделить на корень из 20 штук, то получается 0.348 nV/sqrt(Hz). Откуда они взяли 0.22 nV/sqrt(Hz) — не понятно.

Вопрос решен, нашел схемы в "Design of ultra low noise amplifiers.pdf" (первая ссылка в гугле).

Чем усилить в 10 раз импульсы напряжения амплитудой 0,1...50мВ и продолжительностью 1...5мкс от источника с выходным сопротивлением 10...20кОм? Желательно небольшое потребление: менее 0,5мА от 4...6В (4 батарейки или Ni-MH аккумулятора). Нелинейные искажение не существенны, важна пропорциональность площади и амплитуды импульса. Будет ли меньше шумов при использовании 3 транзисторов (2SC2712 и 2SA1162 схема на рисунке ниже) по сравнению с одним усилителем (например LMV821A или TSV991).

Правильно ли я понимаю, что в МК atmega в ОЗУ адресация побайтная, а в ППЗУ пословная и в векторе прерываний на каждое выделено 2 байта?

Это же очевидно: когда несколько входов у одного помещения, то зачем к каждому носить ключи, если можно на всех кроме одного поставить возможно менее надежный, но более удобный электронный замок.

В версии 4.19 добавили ATmega16 в AVR Simulator 2, теперь если URSEL=0, то студия и в UBRRH и в UCSRC записывает, а если URSEL=1, то ни туда ни туда. Отличное улучшение :smile3046:

HardEgor, спасибо kovigor, мешает гальваническая развязка, через которую нужно передать энергию без лишних деталей, того же DC-DC

Существуют ли диодные оптроны, в которых свет принимается несколькими последовательными диодами, создающими напряжение больше 4 вольт при токе нагрузки около 1мкА?

От места намотки "емкостной поверхности" датчика до места заземления нулевой провод преодолеет несколько десятков метров, а потом от заземления до датчика еще несколько десятков метров преодолеет заземлитель датчика.

Верно, но мотать нужно не вокруг двух сразу, а разделять провод на два и мотать вокруг каждого свою "поверхность", так как Вот именно, где-то... Последовательно с таким емкостным датчиком будет несколько десятков метров провода, который может создать наводку сравнимую с полезным сигналом, и датчик может не ощутить пропадания полезного сигнала.

Катушка для измерения напряжение, а не тока, не подойдет, нужен емкостной датчик. Но можно катушкой мереть потребляемый из сети ток. Правильно смущает, в витках останется маленький сигнал на уровне внешнего шума, связанный с неточностью изготовления сетевого провода. Безконтактный датчик нужно делать на вилке, где два сетевых провода (точнее штыря) идут на значительном расстоянии в строго определенной плоскости. На стержень из трансформаторной стали намотать несколько витков и направить ось стержня перпендикулярно плоскости проводников вилки прикасаясь к корпусу вилки. Для максимальной чувствительности и помехозащищенности плоскость вилки поместить в зазор у замкнутого магнитопровода с витками датчика. При таком устройстве получается трансформатор тока, где штыри вилки образуют виток в цепи, где измеряется ток.

Design-->Board Shape-->Redefine Board Shape, затем левой кнопкой мыши расставлять углы, соединяющие отрезки, описывающие контур платы. В дополнение, использую сочетания Shift+Spacebar можно переключатся между отрезками или дугами и углами 45 или 90. Проще и прозрачнее при таком функционале механизм скорее невозможен.

Здравствуйте. Является ли Place-->Fill в AD13 (в P-CAD такого, вроде, нет) всегда прямоугольной заливкой? Если нет, то как у нее менять форму? При экспорте из AD13 в P-CAD ASCII, Fill превращаются в Polygon, а Solid region (у которых легко меняется форма, как у Polygon в P-CAD) исчезают. Возможно ли наоборот, чтобы Solid region экспортировались в Polygon?

Они срабатывают, но недостаточно быстро, в описании транзистора сопротивление в затворе предлагается 24 Ом (можно и еще больше ставить), а не 1 Ом. С питанием согласен, большое расстояние от транзисторов до конденсаторов питания может увеличивать выбросы.

Эти транзисторы уже имеют собственные диоды. Стоит попробовать уменьшить скорость закрытия транзистора, увеличив сопротивление в затворе.