Перейти к содержанию
    

Сделать диод из биполярного транзистора

Бывает такая необходимость. И интересно насколько в симуляторах модели это делают честно. Прошу специалистов подсказать:

1. Справочный предельный ток коллектора (открытого транзистора) можно считать так же предельным для прямого тока перехода коллектор-база? Что предельное обратное напряжение диода будет равным справочному Uкб, тут вопросов нет.

 

2. Как лучше сделать диод: с замкнутым переходом БЭ или с неподключённым Э ?

 

Переход БЭ в качестве диода отпадает из-за низкого обратного напряжения.Вообще, навеяло недавней темой о эмиттерном повторителе и нюансах работы биполярного транзистора. В ХХ на эту тему есть некоторый пробел.

Изменено пользователем GetSmart

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Коллектор с базой соединить. С эмиттера будет вытекать. Если обратное напряжение не устраивает, в топку такое решение... и не маяться ничем.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

...И интересно насколько в симуляторах модели это делают честно...

1. Справочный предельный ток коллектора (открытого транзистора) можно считать так же предельным для прямого тока перехода коллектор-база?

Однозначно нет. Транзистор будет работать в инверсном режиме, при этом так называемый "коэффициент передачи тока базы" будет гораздо ниже, чем в обычном включении. Проблема в том, что в даташитах трудно найти параметры для инверсного режима, а так думаю симуляторам можно верить, если параметры в модели заданы верно. Ну грубо говоря берем ток коллектора, делим на 5...10 - получаем ток базы, а дальше проверяем что оба тока не превышают соответствующие предельные значения для коллектора и базы.

 

2. Как лучше сделать диод: с замкнутым переходом БЭ или с неподключённым Э ?
Естественно замкнутые.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Естественно замкнутые.

А если разомкнутые? Тока эмиттера то в любом случае не будет.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Тока эмиттера то в любом случае не будет.

Будет.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Будет.

Откуда возьмётся ток эмиттера если ножка эмиттера отключена. Надеюсь токи ёмкости вывода в учёт не берём.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Однозначно нет. Транзистор будет работать в инверсном режиме, при этом так называемый "коэффициент передачи тока базы" будет гораздо ниже, чем в обычном включении. Проблема в том, что в даташитах трудно найти параметры для инверсного режима, а так думаю симуляторам можно верить, если параметры в модели заданы верно. Ну грубо говоря берем ток коллектора, делим на 5...10 - получаем ток базы, а дальше проверяем что оба тока не превышают соответствующие предельные значения для коллектора и базы.

Чтобы было однозначно, нужны весомые доказательства. С описанием физики процесса.

 

Работа в инверсном режиме при замыкании БЭ - это верно. Инверсной беты в большинстве справочников/pdf не приводят. По факту может быть (статистически) от 1/5 до 1/100 от прямой беты (у транзисторов вобщем). Очевидно, зависит от конструктива на кристалле. А у однотипных из одной партии какие закономерности/статистика, абсолютные или относительные (от прямой беты), - тоже не встречал какие-то описания.

 

<<если параметры в модели заданы верно>>. Прямо гора с плечь. В случае судебных разбирательств симулятор будет чист как слеза. А если серьёзно, то мой вопрос подразумевал одновременно и требования к созданию моделей. И какой-то общественный контроль моделей.

 

Дополнительный вопрос о симуляторах. Анализ работы схемы можно делать при заданной температуре. А есть ли в симуляторах опция симуляции при наихудших/наилучших (с большим разбросом) характеристиках компонентов (минимальных/максимальных бета и прочих в модели) обобщённо всем компонентам сразу ?

 

---------

Первый вопрос в стартовом посте немного уточню:

1. Справочный предельный ток коллектора (открытого транзистора) можно считать так же предельным для прямого тока перехода коллектор-база (или К-БЭ, если БЭ замкнуты) ?
Изменено пользователем GetSmart

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Если эмиттер не подключать, то весь ток коллектора будет идти через базу, соответственно предельный ток будет ограничиваться максимальным током базы, который для маломощных транзисторов даже не приводится. И к тому же увеличится падение на таком диоде, т.к изза слабого легирования сопротивление базы гораздо выше.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Если эмиттер не подключать, то весь ток коллектора будет идти через базу, ....

А если соединить выводы Б и Э, то ток пойдёт через эмитер несмотря на то что напряжение БЭ равно нулю?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Чтобы было однозначно, нужны весомые доказательства. С описанием физики процесса.

...

1. Справочный предельный ток коллектора (открытого транзистора) можно считать так же предельным для прямого тока перехода коллектор-база (или К-БЭ, если БЭ замкнуты) ?

Именно на этот вопрос и ответил. К.м.к нельзя. Коллекторный ток ограничивается в том числе с учетом базового тока, который в инверсном включении будет в несколько раз больше. Физику процессов читайте в теме "эмиттерный повторитель", только эмиттер и коллектор по тексту меняете местами ;)

 

<<если параметры в модели заданы верно>>. Прямо гора с плечь. В случае судебных разбирательств симулятор будет чист как слеза. А если серьёзно, то мой вопрос подразумевал одновременно и требования к созданию моделей. И какой-то общественный контроль моделей.
Да ктож Вам будет гарантировать правильность моделей? Производитель отвечает только за параметры реального транзистора, а модель дается "as is", то бишь как есть. Если важен инверсный коэффициент - проводите контроль сами, или если договоритесь возможно и производитель возьмет на себя такую функцию, хотя сильно сомневаюсь.

 

Дополнительный вопрос о симуляторах. Анализ работы схемы можно делать при заданной температуре. А есть ли в симуляторах опция симуляции при наихудших/наилучших (с большим разбросом) характеристиках компонентов (минимальных/максимальных бета и прочих в модели) обобщённо всем компонентам сразу ?
В микрокапе есть и давно используем.

 

А если соединить выводы Б и Э, то ток пойдёт через эмитер несмотря на то что напряжение БЭ равно нулю?
А что в этом такого особенного? :rolleyes:

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

А что в этом такого особенного? :rolleyes:

Согласен пойдёт ток. Протупил..

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

К.м.к нельзя. Коллекторный ток ограничивается в том числе с учетом базового тока, который в инверсном включении будет в несколько раз больше. Физику процессов читайте в теме "эмиттерный повторитель", только эмиттер и коллектор по тексту меняете местами ;)

Благодарю за всё, кроме последнего. Там фантасмогорические дебри ограниченного круга участников форума. В ХХ тоже есть спорные моменты неинверсного режима. Например та же модель Эберса-Молла, определяющая (по формуле) усиленный ток через умножение на ток, не являющийся (грубо) константой. В тексте описания эта зависимость игнорируется. [censored]

 

Автор! Следим за лексикой!

Изменено пользователем Herz

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Ну собственно вот так будет нагляднее:

post-4576-1477047631_thumb.png

В обоих случаях ток коллектора ограничен предельно-допустимыми 2А.

В прямом включении (Q2) ток базы всего 18мА и конечно безопасен для транзистора.

В инверсном включении (Q1) ток базы уже 422мА и превышает предельно-допустимый для базы 0,4А.

 

Например та же модель Эберса-Молла, определяющая (по формуле) усиленный ток через умножение на ток, не являющийся (грубо) константой. В тексте описания эта зависимость игнорируется.

Ну в общем-то....дааа :)

Вообще тема инверсного включения весьма темная, поскольку производители оптимизируют характеристики не для этого режима, то и давать их видимо не спешат :) Для отечественных (кт3102) встречал например такую фразу "допускается работа в инверсном режиме".

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Вобщем прояснилось, что без справочных данных о инверсной бете на предельные характеристики транзистора (Uкбо и Iкmax) для образующегося диода не стоит расчитывать при разработке схемы, не требующей отбора транзисторов при её сборке. Ну а если нужен минимальный обратный ток диода и невысокий прямой, то переход БЭ лучше не замыкать.

 

В инверсном включении (Q1) ток базы уже 420мА и превышает предельно-допустимый для базы 0,4А.

Плюс-минус паровоз :)

В таких случаях точность явно маскируют, дабы не плодить иллюзии.

Я даже видел инверсную бету под 100.

 

Автор! Следим за лексикой!

Модератор! Какое слово и когда запретили?

Прошу внятного ответа. Когда решили чёрное не называть чёрным?

 

Отмодерированная версия потеряла часть смысла. Пока восстановлю помягче

В ХХ тоже есть спорные моменты неинверсного режима. Например та же модель Эберса-Молла, определяющая (по формуле) усиленный ток через умножение на ток, не являющийся (грубо) константой. В тексте описания эта зависимость игнорируется. Из этого рождаются интернет-споры "синие" против "красных".
Изменено пользователем GetSmart

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...