реклама на сайте
подробности

 
 
 
Reply to this topicStart new topic
> Выполнить заказ по моделированию в TCAD, По описанию набора техпроцессов смоделировать прибор в 1D и 3D вариан
Sergey_VV
сообщение Aug 13 2017, 17:42
Сообщение #1





Группа: Участник
Сообщений: 12
Регистрация: 2-08-07
Пользователь №: 29 527



Очень хочется самому разобраться с моделированием в TCAD, но поскольку накатывает срочность, возможно, целесообразно ускорить некоторые этапы этого процесса.
Задача по моделированию.
Материал - кремний.
Моделируемый прибор - простой планарно-эпитаксиальный n-p-n транзистор.
По описанию последовательности технологических процессов (тип вводимой примеси, сопротивление слоя, доза и энергия ионной имплантации, температуры и среды разгонки, необходимо смоделировать прибор в 1D и 3D вариантах.
Построить график распределения диффундирующих примесей по глубине (простейший 1D вариант), а затем эти же распределения реализовать в 3D структуре с простой топологией, после чего построить вольт-амперные характеристики прибора (в т.ч. пробивные всех p-n переходов, коэффициент усиления в схеме с общим эмиттером).
Если опытный пользователь TCAD согласится принять участие в проекте, об остальном договоримся.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Sergey_VV
сообщение Aug 16 2017, 11:13
Сообщение #2





Группа: Участник
Сообщений: 12
Регистрация: 2-08-07
Пользователь №: 29 527



Цитата(Sergey_VV @ Aug 13 2017, 20:42) *
Очень хочется самому разобраться с моделированием в TCAD, но поскольку накатывает срочность, возможно, целесообразно ускорить некоторые этапы этого процесса.
Задача по моделированию.
Материал - кремний.
Моделируемый прибор - простой планарно-эпитаксиальный n-p-n транзистор.
По описанию последовательности технологических процессов (тип вводимой примеси, сопротивление слоя, доза и энергия ионной имплантации, температуры и среды разгонки, необходимо смоделировать прибор в 1D и 3D вариантах.
Построить график распределения диффундирующих примесей по глубине (простейший 1D вариант), а затем эти же распределения реализовать в 3D структуре с простой топологией, после чего построить вольт-амперные характеристики прибора (в т.ч. пробивные всех p-n переходов, коэффициент усиления в схеме с общим эмиттером).
Если опытный пользователь TCAD согласится принять участие в проекте, об остальном договоримся.
Или кто подскажет, как запустить в действие TCAD, если я только что скачал «Sentaurus TCAD 2012 SP2 G-2012.06 SP2 на VMWare» и новая«VMWare»?
С чего начать, кто посоветует?
О только что скачанной версии читаем после распаковки в readme:
RedHat Linux Enterprise Linux 5 Update 5 x86
root/123456
Created via VMWare Workstation 7.1.2
Label: rh5u5_x86_gold_v1
Всего 10 Гб.
То же самое содержится в readme версии, скачанной несколько лет назад
==============================
А также есть новая виртуальная машина VMware:
VMware Workstation v10.0.1 Build 1379776 Final Eng_Rus
Как это всё запустить в работу?


Сообщение отредактировал Sergey_VV - Aug 16 2017, 12:39
Go to the top of the page
 
+Quote Post

Reply to this topicStart new topic
2 чел. читают эту тему (гостей: 2, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 20th September 2017 - 20:08
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01339 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016