Перейти к содержанию
    

r_dot

Свой
  • Постов

    267
  • Зарегистрирован

  • Посещение

Репутация

0 Обычный

Информация о r_dot

  • Звание
    Местный
    Местный

Контакты

  • Сайт
    Array

Информация

  • Город
    Array

Посетители профиля

2 605 просмотров профиля
  1. В даташите (OTA только часть этой микросхемы) есть такие параметры этого усилителя: Input Offset Voltage 5 mV Input Bias Current 5 μA Input Offset Current 1 μA DC Open Loop Gain 65 dB Gain Bandwidth Product 1,5 MHz DC Transconductance 1,3 ms Output Low Level 0,5 V Output High Level 3,8 V Common Mode Rejection 65 dB и в тексте встречается DC transconductance (gM) relates to DC open-loop voltage gain (Gv) according to the following equation : Gv = gM RL where RL is the resistance from output to ground. Вот такой график: И эквивалентная схема: Можно на основе этих данных сделать из OTA, имеющегося в библиотеке LTSpice, изменив его параметры, максимально на него похожий? Символ: Его параметры: В синтаксисе Spice-параметров разбираюсь очень слабо, подсказки помогут мало. Буду очень признателен, если кто-то просто напишет строку параметров, как сделать.
  2. Возможно. Но я разберусь. Просто раньше не занимался силовой электроникой, и вот сейчас пытаюсь "въехать". Надеялся, что подскажут, где найти уже готовое "разжёванное". Пока то, что нахожу и что подсказывают, вызывает много вопросов.
  3. Безусловно она должна быть. В конце разработки. Но не как методика разработки, потому что это "метод научного тыка". Он конечно широко используется, особенно в радиолюбительстве. Некоторые даже гордятся "ведром сгоревших транзисторов" в процессе изготовления своих поделок. 🙂 Это не наш путь. В начале грамотный рассчёт, потом отладка нюансов. Ну и рассчёт надёжности и карты рабочих режимов никто не отменял. Прихожу к выводу, что рассчёт должен быть итерационный. В принципе, это нормально. Но пока не получается собрать все параметры, подлежащие рассчёту. Такое впечатление, что взаимозависимости нигде толком не описаны. А формулы, набор из которых в основном и представляют из себя такие статьи, - рассчёт скорости заряда/разряда или закон Ома для рассчёта токов, или закон Джоуля-Ленца для рассчёта мощности, уходящей в тепло, - это не открытие.
  4. Однако эта схема обычно приводится как одно из решений в главе "Способы защиты от высоких значений dV/dt" (например в статье по ссылке, которую тут давал wla). То есть, защита от высоких скоростей переключения - повышение скорости переключения... Вот не понимаю я таких объяснений. А методику рассчёта оптимального и надёжного управления силовыми полевиками не могу ни придумать, ни найти.
  5. Первое, что я сделал - полазил по "столпам транзисторостроения". Из того, на что есть в ссылках в вашей PDF-ке, к теме относится разве что Читал я его. Те же объяснения, те же рассуждения, и те же нестыковки. В общем-то, оттуда наверное большую часть и списывали. _____________________________________________________- Вот типичный пример, который я не понимаю: Тезис: "Быстродействие надо ограничивать, чтобы не превышать dV/dt, а то... И меры борьбы, если dV/dt на стоке слишком большое, и вызывает, например, паразитное открывание транзистора через ёмкость CDS - применить p-n-p транзистор для рассасывания вытекающего из затвора тока: Это что, не то же самое, что просто увеличение пикового тока затвора? В данном случае - тока разряда. Когда пишут про одно - нельзя, когда про другое - то же самое можно и нужно... ____________________________________________________________________________ Так всё-таки, можно увеличением тока затвора получить времена задержек меньше, чем в даташите, или нельзя, т.к. это какие-то параметры инерционности собственно транзистора?
  6. Типичная макулатура, которой весь интернет завален. Друг у друга списывают... теоретики диванные. Почитайте внимательно, особенно главу "Расчет параметров цепи управления MOSFET-транзисторов". Весь "рассчёт" строится на уже выбранных значениях этих самых "параметров цепи управления" - резисторов в затворе. Ответа на вопросы "как достичь максимального быстродействия" или "как выбрать оптимальное значение резистора затвора по соотношению потери-быстродействие" там нет. Такое впечатление, что вы отвечаете даже не читая. Лишь бы что-нибудь ответить. Ну, поддержу разговор в том же стиле (хотя модератор наверное не одобрит): По более точным данным, 1 юзер из 100500.
  7. Замечание было, что нельзя превышать ток в затвор. Параметра "максимально-допустимый ток затвора" в даташитах на транзисторы нет. Чего нельзя превышать? Тот ток, который получается рассчётом по параметрам зарядов и задержек из даташита на транзистор? С чего бы это? Вот и HardEgor того же мнения: Ну, на 30 А - это скорее для управления групой запараллеленных. Хотя да, есть мощные полевики с исчезающе малым RDSON и убийственным зарядом затвора... ___________________ Итого, правильно ли я мыслю, что разумное повышение тока затвора (выше расчётного по параметрам из даташита) допустимо, временные параметры переключения можно получить лучше даже в разы (или всё-таки нельзя, в даташитах - максимально достижимые?), чем приведённые в даташите, если это не приводит к неприятностям в схеме из-за слишком крутых фронтов (большого dU/dt)?
  8. Ни в одном даташите на транзисторы не встречал такого параметра - максимально-допустимого броска тока в затвор. Зато встречал драйверы затвора с пиковым током 4-5 А (если не открывается - вот ссылка через прокси). Зачем тогда они выпускаются, если для удовлетворения параметров про времена задержки из даташитов на транзисторы, пикового тока в затвор 0,5 А более чем достаточно?
  9. Можете объяснить, почему? Что мешает "рассосать" заряды затвор-исток и затвор-сток быстрее, увеличив ток в/из затвора?
  10. Между выходом драйвера затвора и затвором обычно применяется R-RD цепочка, на заряд затвора - большее сопротивление, на разряд - меньшее. Ток разряда делают больше тока заряда. Зачем? Будет ли транзистор переключаться быстрее, чем написано в даташите, если ток ограничить на уровне, допустимом для драйвера, одним резистором с минимально-допустимым сопротивлением? То есть максимальный пиковый ток задавать максимально-допустимый, одинаковый на включение и выключение. Вопрос не про мост, а про отдельный ключ. Сквозных токов не может быть, подгонка времён включения-выключения не требуется.
  11. На сайтах ведущих производителей разъёмов выложены даташиты, в которых есть характеристики, чертежи с размерами, указаны типы кабелей, под которые разъёмы предназначены, способы заделки и т.д. Этого более чем достаточно, чтобы получить полное представление о разъёме. Пример сайта.
  12. mantech, это ещё надо, чтоб Китай под нас перестроился. Вот например, Се Бинсинь что-то не торопится тут появляться...
  13. У Росии с Китаем общая граница протяжённостью 4000 км. Какие корабли?
  14. Те, что я привёл - это просто найдено упоминание, что они есть китайского производства. В принципе можно любые более-менее приличные контроллеры. Хотя найти полный аналог конечно более желательно. :) Спасибо. Документация впечатлила. Видно, что делали для себя. Разжёвано много и подробно. Жаль, что не на все есть англоязычная версия.
×
×
  • Создать...