Перейти к содержанию
    

sast777

Свой
  • Постов

    87
  • Зарегистрирован

  • Посещение

Репутация

0 Обычный

Информация о sast777

  • Звание
    Частый гость
    Частый гость

Информация

  • Город
    Array

Посетители профиля

1 935 просмотров профиля
  1. Приветствую. Планирую плату с Cyclone V SoC + 2 чипа DDR3L 512Mx16 (2GB суммарно) или 1024Mx16 (4GB суммарно). Делал ли кто такую конфигурацию, поддерживает ли HPS 4GB SDRAM в варианте с одним chip select?
  2. Крейт Евромеханика, не более +85С Хотелось бы в идеале узнать реальный опыт, как минимум, а как максимум - "на пальцах" объяснение как плотность тока приводит к разрушению проводника в ПП при коротком импульсе. При постоянном токе - отлично подано в https://habr.com/ru/articles/411399/. А при коротком импульсе - надо считать в динамике распространение N джоулей тепла по структуре PCB, и этого достаточно, или есть физические явления, которые разрушат проводник? Кстати, продолжающий неясности для меня с плотностями тока вопрос: Импульсный ток через разъем. Через контактную группу. Не видел ни разу, чтобы кто-то из производителей публиковал допустимый ток и его зависимость от длительности импульса. Допустимый ток через разъем производитель ограничивает, исходя из сопротивления контактной зоны металл-металл. Иногда дает это сопротивление в Data Sheet, "mOhm, не более" Иногда попадается два значения: допустимый ток на один контакт, и ток, когда все контакты нагружены. Явно чувствуется зависимость от теплорассеивающей способности разъема. А вот импульсный ток через контактную группу "папа-мама" - чем ограничен при большой скважности?
  3. Импульсный ток, 50 миллисекунд 15кГц, 50A, многослойка, 6-8 слоев меди 70um, какая допустимая плотность тока в проводнике и как следствие в переходном печатной платы? Скважность огромная, действующее значение тока близко к нулю.
  4. Спасибо, borodach. Evaluation Board TMS320C28xxx 9 лет на складе валяется, нет задач. TMS320C6678 больше прижился :-). Здесь в проекте есть требование заказчика - перед употреблением изделия провести полный контроль, с поканальной визуализацией кривых напряжений на нагрузке каждого канала. (не real-time контроль). Вот и появились STM32H7, идеально подходящие под "ацпировал-передал наверх", уже используем в таких задачах. Но ведь STM32H7 - это не только ценный мех АЦП и под мегабайт памяти для контроля, но и 500MHz Cortex M7, и HRTIM с разрешением 2ns 🙂. Вот и появился соблазн уйти от еще одной платы - платы управления на FPGA, раз STM все равно стоят на платах. Но если умрет красивый контроль, то - ну поскандалят заказчики... А вот если умрет сама функция усиления вместе с STM-кой - это большие деньги. Так что решили не рисковать, - привычно отдельная плата управления на FPGA. Если дадите ссылочку на семинары Колара, то с меня еще одно "спасибо" !
  5. Plain, смысл темы - есть ли у форумчан личный опыт реализации МК+ 500В мосты на одной плате в многоканальном компактном исполнении. Мог получить ответ - "сюда не ходи, не надо, сбоят МК". Плата FPGA отдельно + n плат мостов отдельно серийно выпускаем. Теперь попробую убедить руководство рискнуть, смысл перехода - в переносе синтеза управления мостами с Verilog в С. Не факт, что коллеги идею одобрят, так что до обсуждения топологии может и не дойти 🙂 Спасибо, ответ получен.
  6. Меня больше смущает 32 канала в объеме 100x160 x~400mm, 8 плат 3U в крейте. Как-то в компактном изделии с ~200 каналов приема наелись с интерференцией наводок от цепей тактирования дельта-сигма АЦП на некоторые каналы. Но там проблемы блуждающего суммирования наводок, выглядящие как превышение допустимого собственного шума в некоторых каналах, оказались решаемы > 50 раз перекомпиляций FPGA, (сдвигом фронтов и валичины выходных токов для групп каналов на десяток-другой наносекунд, методом научного тыка). Понимаю, что в описанном мной случае интерференции наводок в приемных каналах речь идет о десятках нановольт наводок, но и источники наводок ведь 2.5В, 4-8мА. А в усилителях возможное межплатное наложение кросстолков 500В и наводок от дросселей на питание МК пахнет дымом. И лечится только перевыпусками железа. Почему и хотелось услышать что-нибудь внушающее оптимизм 🙂 Еще раз спасибо, jcxz, 1113!
  7. Дроссели экранированные. Система импульсная, скважность >10, интерфейсы при работе мостов молчат. Спасибо, Jcxz!
  8. Пардон, зарплата - чтобы отсечь советователей " да это на 4004 делается!"; Крейт с общим потреблением 2KW, с самодельными 16-ю 3U "DSP board" делал, схемотехника+ layout. А вот микроконтроллер в 10 мм от переключающегося 500В 20А моста - пока нет. Есть делавшие подобные системы? Хотелось бы увидеть " да, делал"
  9. Тираж изделия - десятки штук на ближайшие годы. Зарплата программиста >100кр\месяц. HRTIM STM'ок программист дрессирует сейчас, работает с ними больше 10 лет. Синал ЛЧМ-ГЧМ требует поканальной доработки по амплитуде и и сдвиг по времени в течении миллисекунд. Или FPGA на 32 канала с отладкой RTL , или STMH7 (500MHz FPU) x8 на "С". Сигнал с каждой из нагрузок иногда должен быть оцифрован и записан в ОЗУ STM, для передачи "наверх" по запросу. Питание STM'ок - от отдельного источника 5-12В, (поступает извне), далее на каждой плате регулятор 3.3В питает STM. Мой-то вопрос - не нарвусь ли на сбои в STM в неприятном электромагнитном окружении 500В MOSFET, дроссели 20А. Скорости переключения MOSFET максимально допустимые по overshoot
  10. Прошу совета бывалых. 32 усилителя D-class, частота переключения ~ 150кHz, (H-bridge питание 500В, I peak ~ 20A), драйвера MOSFET гальваноизолированные 1000В. Предполагаю коструктив 3U 19", 8 плат по 4 канала. Производимый у нас вариант - управление драйверами всех 32-х каналов - от FPGA на отдельной плате, по кабелям (LVDS) Хочу перейти на вариант - на каждой плате 4-мя H-bridge 500V управляет STM32H7xx. Питание STM32H7xx естественно от изолированного источника. Опасаюсь сбоев 1.2-В ядра STM32H7 при таком соседстве (500В H-bridge 20А + дроссели фильтров), по топологии STM32H7 получается на расстоянии ~ 10-20мм от ближайших MOSFET. Естественно с разделительным зазором по землям-питаниям. Прошу успокоить-напугать, поделиться опытом. Может, тему лучше в перенести в "Силовая электроника" ?
  11. Maks, я это и спрашиваю: "Поставки всех полупроводников, использующих технологии США приостановлены" - где это напечатано на китайском сайте? Должность того, кто это сказал ? То есть это политическое решение властей Китая - блокировать поставки, или конкретная фирма не хочет попасть под американцев (a la Huawei ?)
  12. Я не смог нагуглить на gowinsemi.com ни russia, ни sanction. Я понимаю, что наши дистрибьюторы не пошутили, но хотелось бы почитать точную формулировку.
  13. Я правильно понимаю, что производство у Gowin на Тайване ? Часть-то точно, судя по пресс-релизам на их сайте. Пытаясь оценить степень их независимости..
  14. Уважаемый StewartLittle, нет ли новостей о Gowin GW3AT? Прошло 10 месяцев с Вашего поста. Вроде как ссылки о начале разработки еще 2017 год. Начальству очень интересно, не появилось ли что-либо неамериканского из FPGA, хотя бы приближающееся, хотя бы к Cyclone V, Artix, PolarFire, Lattice.
  15. to dinam: Как-то перестал обращать внимание. Я при выходе новой версии Altium старую всегда uninstall full; и сейчас (20.1.12) вроде уже и не замечаю расплывчатости линий. Июнь-июль делал пару проектов в как раз в Altium, часов по 8-10 за монитором, может поэтому и перестал замечать. :-) Может дело в чистой психологии - я с середины марта на удаленке, и Altium вижу только на одном компе - на который жаловался. Дома еще ноутбук - но на нем и не было проблем с четкостью линий (4K дисплей); у того компа, на который жаловался, - 2K мониторы. Драйвера видеокарты не переставлял, Windows не трогал.
×
×
  • Создать...