Перейти к содержанию
    

heavysci

Участник
  • Постов

    9
  • Зарегистрирован

  • Посещение

Репутация

0 Обычный

Информация о heavysci

  • День рождения 30.10.1990

Контакты

  • Сайт
    Array
  • ICQ
    Array

Информация

  • Город
    Array
  1. Возможно поможет переместить все виа с этого слоя на какой нибудь стандартный слой, типа hole.
  2. Добрый день. Вопрос к опытным ADSовцам. Использую компонент MixerIMT2. Создал интермодуляционную таблицу, подсунул,с огрехами но работает. Встала задача задать коэффициенты отражения на входах смесителя не в одной частотной точке, а в диапазоне. Создал mdif файл с комплексными коэффициентами отражения вида: BEGIN DATA_S_TERM % port_freq(real) port_S(complex) 1.0000000000E7 5.86555070693E-2 -6.7912234553 . . . END Поставил DAC компонент, указал ему путь к файлу, в свойствах смесителя в графе SP11 установил FileBased, указал там DAC1 и переменную "port_S". Жмякаю шестеренку, и.... "Error detected by hpeesofsim in device 'MIX1.SDD7P1' during circuit set up" "Improper frequency dependence in SDD parameters" Собирал по такой схеме порт с частотно зависимым импедансом (как в начале темы) все работало. В чем косяк? Вот здесь пишут по этой ошибке: One or more of the implicit relationships depends on freq or omega. Frequency dependence is not allowed. Гугл говорит что сие означает, что частотная зависимость не допускается( Кто нибудь может что нибудь сказать/опровергнуть?
  3. Вот что есть по Murata http://kambing.ui.ac.id/onnopurbo/orari-di...tool/parame.pdf . Для конденсаторов почему то только shunt mode. В пункте 3 сказано, что пады сдээмбедены. Не знаю насколько применимо к остальным моделям. Вопрос: как для таких моделей (без падов) задавать порты (калибровку) в лейауте? SMD или NONE?
  4. Проблема решена. FEM дал полную (+-10 МГц) сходимость с реальным устройством по частоте , в отличии от MOMuW. Ошибка по уровню усиления максимум 0.4 дБ, по уровню КСВН вх/вых 0.5. Коэффициент шума не сошелся на 0.4 дБ (ни со Spice моделью, ни с S-параметрами). Возможно проблема в измерении NF, расчетный 0.4 дБ, получили 0.89 дБ. Измеряли на ZVL13 с ГШ NC346A фирмы Noisecom. Может кто-нибудь направить в соответствующую ветку форума по измерениям NF<1 дБ, сдается мне здесь есть на что напороться. В расчете не учтен переход SMA-печатная плата, и многослойность платы(не стал заморачиваться в силу неопытности задания портов). Может в этом беда. Хотя народ в AN11499 от NXP получает расчетно 1.5 дБ, а в реале около 1.8 и довольны, даже аппноут сделали. Внесите пожалуйста ясность. Отдельное спасибо ASDFG123 Если считаете в Layout, то учтет, в Schematic придется самому учитывать.
  5. Логичный вопрос: а 50 омность полоска расчитывать исходя из какого Е? 3.48, 3.66 или 3.74?
  6. Вариация Е вплоть до 4 не дает смещения по частоте более чем на 10 МГц. Изменение номиналов конденсаторов также практически безрезультатно. На землю стоят индуктивности в цепи истока 1.2 нГн. В дизайне менял от 1.5 до 1.2, влияет больше на устойчивость к возбуду, но не на положение максимума Кп. Вряд ли реальные ВИА внесут индуктивность более 0.3 нГн. Разве что их паразитная ёмкость может быть больше чем в модели. Возможно плотность сетки влияет на результат. Выключил mesh reducing, жду результат. Есть ещё мнения, не первый дизайн где присутствует такое смещение по частоте. Есть ли люди у кого и на 8 и на 10 ГГц попадает с первого раза +-10-30 МГц?
  7. Касаемо Эпсилон: 3.66 condition 8-40 GHz, это условия измерений (судя по test method) или условия применимости в дизайне? Изменение эпсилон с 3.48 до 3.66 не вносит столь существенного сдвига по частоте. Возможно ли такое при установке калибровки портов None? Такой тип установлен, потому что порты устанавливал в центр пэда.
  8. Добрый день. Вопрос к гуру. При симуляции МШУ (экспорт ЭМ модели в схематик и подключение компонентов Мурата и S-параметров транзистора) расчетные графики выше по частоте чем экспериментальные на ~200 МГц. Частота 2 ГГц. Проблема наблюдается и в MWO. S21 совпадает по абсолютному значению, но расчетное значение смещено вверх по частоте. MaxGain совпадает по частоте, но больше по абсолютному значению на ~3 дБ. В дизайнах на 8 ГГц и 3 ГГц та же проблема. Вариация эпсилон не даёт столь ощутимого сдвига по частоте. Грешили на вариацию толщины диэлектрика при пресовании, но на производстве п/п сказали что базовый материал не меняет толщину при пресовании. Увеличение металлизации после металлизации отверстий также сказывается не значительно. Возможно у кого то была схожая проблема. Диэлектрик Ro4350b 10mil. Эпсилон в дизайне 3.48.
  9. Сдается мне, то на 50 Ом резистор не будет работать схема. Уберите порт и поставьте резистор кОм.
×
×
  • Создать...