Перейти к содержанию
    

Подскажите сборку типа BAV99, но с меньшим Ir

Хочется обратный ток раза в 3-5 меньше чем у BAV99.

Ток достаточен 20-50 мА, напряжение от 20В, времена единицы нс.

 

Вероятно, подойдет MMBD1203, но для него не указаны графики обратных токов от температуры и он не сильно популярен.

Может еще что то порекомендуете?

 

Применение - защита входа ОУ (падение на токе 20 мА менее 1,4В)

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

BAV199?

Спасибо, но он достаточно медленный. Мне время рассасывания не сильно критично, но оно коррелирует с "временем включения".

 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Мне время рассасывания не сильно критично, но оно коррелирует с "временем включения".

А вот это не совсем так. А еще хуже другое. Диффузия золота, платины для создания центров рекомбинации вместе с уменьшением заряда переключения увеличивает обратный ток. Лучший диод в смысле минимальных утечек - это переход полевого транзистора.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

А вот это не совсем так.

А как?

Лучший диод в смысле минимальных утечек - это переход полевого транзистора.

Конкретный полевой можете подсказать?

 

 

 

У Rohm есть похожее, но не очень популярное. DA227, fmn1t148 и др.

Спасибо. Ровно столько, сколько надо. Правда нашел только на Digi-key.

 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Лучший диод в смысле минимальных утечек - это переход полевого транзистора.

 

а ещё лучше не кремниевый переход - например, GaAs светодиод оптрона, защищенный от внешней засветки корпусом.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Хотя б BFR30.

И он обеспечит время включения сравнимое с DA227?

 

 

а ещё лучше не кремниевый переход

По совокупности хуже.

В данном случае речь идет о быстрых диодах в корпусе типа sot23 и ценой 10-15 центов с документированными характеристиками и утечкой около 30 нА при 10В.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

В данном случае речь идет о быстрых диодах.

Дались Вам эти быстрые диоды. Технология их производства предусмативает создание в базе центров рекомбинации тем или иным способом: диффузией золота (платины), облучением нейтронами. А это увеличивает обратный ток. Множество микросхем имеют встроенные защитные диоды, и никакие они не быстрые. Если это принципиально, то ищите среди диодов Шоттки.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...