Перейти к содержанию
    

Транзисторы 10 ГГц, Р1dB = 22..25 dBm посоветуйте

Добрый день, коллеги!

Кто знает, подскажите пожалуйста,

существуют ли сегодня транзисторы на частоты 9-10-12 Ггц с P1=20..25 dBm (а лучше до 28-30 дБм),

Такие чтоб не снимались завтра с производства...

 

Спасибо!

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Добрый день, коллеги!

Кто знает, подскажите пожалуйста,

существуют ли сегодня транзисторы на частоты 9-10-12 Ггц с P1=20..25 dBm (а лучше до 28-30 дБм),

Такие чтоб не снимались завтра с производства...

BFG424W, 25 gHz, NXP Semiconductors

https://www.nxp.com/docs/en/data-sheet/BFG424W.pdf

Доставабельность в России мне неизвестна

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

BFG424W, 25 gHz, NXP Semiconductors

https://www.nxp.com/docs/en/data-sheet/BFG424W.pdf

Доставабельность в России мне неизвестна

Это по выходу +12dBm. PL(1dB) output power at1 dB gain compression 12 - dBm

По входу получится -10dBm совсем хилый. Искать надо среди усилителей hittite. Давно находил по выходу +28dBm, nomber не помню, но есть.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Это по выходу +12dBm. PL(1dB) output power at1 dB gain compression 12 - dBm

По входу получится -10dBm совсем хилый. Искать надо среди усилителей hittite. Давно находил по выходу +28dBm, nomber не помню, но есть.

Не в таблице а по fig 6 и 8

 

а также транзистор BFU660F по fig 6

https://www.nxp.com/docs/en/data-sheet/BFU660F.pdf

 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Не в таблице а по fig 6 и 8

 

а также транзистор BFU660F по fig 6

https://www.nxp.com/docs/en/data-sheet/BFU660F.pdf

Этот тоже не в дугу. на 1.8ГГц. А надо 10ГГц

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Этот тоже не в дугу. на 1.8ГГц. А надо 10ГГц
40 GHz fT silicon technology

Какая рабочая частота у ТС? Неужели не подходит? У NXP выше не нашел,а практически BFU690 - то же самое. Подождем, что ТС скажет.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Транзисторы с мощностью 28-30 дБм на 10 ГГц - это конечно GaN, например Qorvo(TriQuint) со своей фабрикой и с транзисторами собственной разработки, а не купленные вместе с RFMD (Sirenza) и WJ.

 

Один из:

 

TGF2942
DC - 25 GHz, 2 Watt, 28 V GaN RF Transistor

Product Data SheetRev A – 08/09/2016
Key Features

    Frequency Range: DC - 25 GHz
    Output Power (P3dB): 2.4 W at 10 GHz
    Linear Gain: 18 dB typical at 10 GHz
    Typical PAE3dB: 59% at 10 GHz
    Typical NF at 10 GHz: 1.2 dB
    Operating voltage: 28V
    CW and Pulse capable
    0.41 x 0.55 x 0.10 die

 

 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Транзисторы с мощностью 28-30 дБм на 10 ГГц - это конечно GaN, например Qorvo(TriQuint) со своей фабрикой и с транзисторами собственной разработки, а не купленные вместе с RFMD (Sirenza) и WJ.

 

Один из:

 

TGF2942

Только надо учитывать, что это транзисторный кристалл.

Чем плохи GaAs pHEMT для этих целей?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Только надо учитывать, что это транзисторный кристалл.

Для меня плюс на этих частотах.

 

Чем плохи GaAs pHEMT для этих целей?

Производство грязное, будут по-возможности сворачивать. Раньше альтернативы не было.

Изменено пользователем alver

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Для меня плюс на этих частотах.

Понадобится оборудование для разварки и напайки. Кстати какой материал подложки используете?

Производство грязное, будут по-возможности сворачивать. Раньше альтернативы не было.

Надо учитывать, что GaN HEMT сравнительно высоковольтные (питание 28 В) и для реализации малых выходных мощностей (менее 1 Вт) эквивалентное сопротивление нагрузки должно быть несколько сотен ом, что делает конструкцию согласующих цепей весьма специфичной и узкополосной. Кроме того, по критерию Боде (о полосе согласования) надо ещё сравнить, что лучше GaN HEMT и GaAs pHEMT.

Да и значение PAE на 18 ГГц равное 55 % для GaN HEMT TGF2942 кажется фантастикой. Как я понял, в даташите на кристалл приводят только результаты симуляции на импульсном сигнале (т.е. это не реальные измерения). Как показывает мой опыт измерений и моделирования в симуляторах, на частотах выше 4-5 ГГц параметры PAE и Pout у реальных GaN HEMT далеки от моделей. С усилением тоже курьезы из-за относительно низкого входного импеданса и проблем с устойчивостью.

Так что если речь идёт о сотнях мВт, то выбор в пользу GaN HEMT не очевиден.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Понадобится оборудование для разварки и напайки. Кстати какой материал подложки используете?

Там где ставим, мощностей нет, клеим на ПП (керамика). Если нужно поставить два транзистора близко друг к другу, то альтернатив нет. Корпуса большие и много лишних соединений, кристаллы можно соединить напрямую бондами.

 

Надо учитывать, что у GaN HEMT сравнительно высоковольтные (питание 28 В)

Это транзистор, напряжение любое, хоть от 0. С согласованием вопрос открытый, ток побольше задать, сопротивление меньше станет, при меньшем напряжении конечно. Не знаю, где автор собирается использовать транзистор: как ключ, или на длинную линию или ...

Изменено пользователем alver

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Это транзистор, напряжение любое, хоть от 0.

Можно хоть от 0, только это будет не транзистор, а аттенюатор. СВЧ транзистор как раз проектируется под некоторое оптимальное напряжение питание, при котором достигаются наилучшие параметры.

Если скажем просто снизить напряжение питания GaN транзистора до уровней GaAs транзисторов, то по всем параметрам использовать этот транзистор на 10 ГГц станет неприемлемо.

Там где ставим, мощностей нет, клеим на ПП (керамика).

Я так понимаю у вас собственное производство ПП на керамике?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Можно хоть от 0, только это будет не транзистор, а аттенюатор.

Значит смесители можно выкидывать в помойку?

 

Если скажем просто снизить напряжение питания GaN транзистора до уровней GaAs транзисторов, то по всем параметрам использовать этот транзистор на 10 ГГц станет неприемлемо.

Мне чаще встречалась частотная зависимость от рабочего тока, для рассматриваемого транзистора вижу тоже самое. Впрочем, для ключевого режима усиление не нужно.

 

Я так понимаю у вас собственное производство ПП на керамике?

Заказываем.

Изменено пользователем alver

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Значит смесители можно выкидывать в помойку?

Автора темы интересует не смеситель, а усилитель.

Мне чаще встречалась частотная зависимость от рабочего тока, для рассматриваемого транзистора вижу тоже самое.

В данном случае ток покоя транзистора в основном влияет на малосигнальные параметры из-за зависимости крутизны передаточной характеристики от тока стока.

На большом сигнале варьирование тока покоя в больших пределах существенно не будет влиять на величину эквивалентного сопротивления нагрузки Rэкв.нагр.

Зато изменение напряжения питания будет сильно влиять на ёмкости транзистора и его Rэкв.нагр. Следовательно, если просто снизить напряжение питания GaN транзистора с 28 до 8 Вольт, то проходная емкость увеличится в 2-3 раза, Rэкв.нагр. уменьшится в 4-6 раз, а крутизна останется примерно на прежнем уровне. Отсюда следует, что усиление уменьшится в 10 и более раз. С выходной мощностью будут аналогичные изменения.

Другое дело, что для GaAs pHEMT напряжение питания 8 вольт является оптимальным. И при выходной мощности, к примеру, в 500 мВт Rэкв.нагр близко к 50 Ом, что сильно упрощает выходное согласование.

Впрочем, для ключевого режима усиление не нужно.

Интересно в каком применении используется GaN HEMT в ключевом режиме на 10 ГГц, в котором усиление не нужно? Вероятно какие-то импульсные модуляторы, смесители, переключатели?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Автора темы интересует не смеситель, а усилитель.

Вам виднее.

 

Интересно в каком применении используется GaN HEMT в ключевом режиме на 10 ГГц, в котором усиление не нужно?

Reach New Levels of Linearity in Passive Mixers with GaN Technology

custommmic_techbrief_gan_mixers_april_2017__1_.pdf

 

если просто снизить напряжение питания GaN транзистора с 28 до 8 Вольт, то проходная емкость увеличится в 2-3 раза

Мне казалось, у GaN при сравнимых мощностях и напряжениях емкость затвора будет меньше GaAs и проходная тоже.

Изменено пользователем alver

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...