Перейти к содержанию
    

GSI Technology: Микросхемы статической памяти (SRAM)

Наша компания является производителем микросхем оперативной памяти SRAM. Предлагаем рассмотреть наши микросхемы для применения в новых изделиях.

 

GSI Technology - производитель микросхем статической памяти без собственных фабрик (fabless), компания основана в 1995г., специализируется на изготовлении только высокопроизводительной операционной памяти. Для производства микросхем мы пользуемся услугами фабрик TSMC, Тайвань (40нм/65нм/90нм) и PTC, Индия (72нм, только семейство LLDRAM). Подробный каталог продукции находится по ссылке.

 

Линейка продуктов:

  • SRAM - выполнена на 6 транзисторах по технологии CMOS с максимальной емкостью 288 Мбит.

    Семейства SigmaQuad-III и SigmaQuad-IV обладают самой высокой производительностью и минимальной задержкой на рынке;

  • Low Latency DRAM - построена по более сложной архитектуре, чем обычная DRAM с адресацией, как у SRAM. Время доступа tRC=15 нс. Микросхемы выпускаются объемом 288 Мбит и 576 Мбит.

    LLDRAM-II является полным аналогом (функциональным и физическим) RLDRAM-II производства Micron;

  • Bandwidth Engine 2 - выполнена по технологи 1T-SRAM, состоит из 4 секций по 256 DRAM банков, интерфейс 16 линий SerDes со скоростью до 12,5 Гбит/с, время доступа tRC=3,2 нс.

    В серийном производстве память объемом 576 Мбит. В первой половине 2017 появиться образцы BE-3 объемом 1.1 Гбит.

 

Преимущества:

  • Серия Military & Aerospace -55°C...+125°C;
  • Ни одна из микросхем не попадает под экспортные ограничения США и Европы;
  • Ко всем микросхемам бесплатно предоставляется сконфигурированный под задачу конечного пользователя IP-контроллер инициализации памяти в ПЛИС производства Xilinx или Altera (этого не предлагает ни один другой производитель SRAM), пример электрической схемы и топологии печатной платы, полная техническая документация, программные модели (BSDL, IBIS) и техническая поддержка производителя;
  • non Pb-free корпус (с содержанием свинца);
  • Бесплатные образцы;
  • Гибкость минимального количества для заказа микросхем;
  • Заказ микросхем из одной партии;
  • Наличие в линейке продукции аналогов микросхем статической памяти других производителей: Cypress, ISSI, Renesas, Micron, IDT, Alliance Memory.

    Ссылка на подбор аналогов на сайте GSI: http://www.gsitechnology.com/cross-reference

 

Если у Вас возникнут встречные вопросы, я постараюсь дать на них содержательные ответы.

 

--

С уважением,

Евгений Павлюкович

Представительство GSI Technology

 

BY mob. +375 (29) 520-04-18

y.pauliukovich(at)yandex.ru

Изменено пользователем Evgeniy740102

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

При выборе любого фильтра любого продукта в центре страницы появляются две вращающиеся стрелочки и все зависает!

Почему у меня это происходит?

 

image.jpg

 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

При выборе любого фильтра любого продукта в центре страницы появляются две вращающиеся стрелочки и все зависает!

Почему у меня это происходит?

 

Спасибо! Уже починили, проверяйте.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

GSI Technology специализируется на изготовлении только высокопроизводительной памяти и благодаря техническому превосходству, короткому периоду производства и длительному сроку жизни микросхем считается лидером рынка.

 

Семейства микросхем:
SigmaQuad-IV на сегодняшний день является самой производительной ОЗУ памятью на рынке. Благодаря большому объему данных 144 Мбит и высокой частоте тактирования до 1333 МГц они широко применяется для задач накопления статистики и в качестве быстрых буферов в телекоммуникационном и сетевом оборудовании, а также для построения изображения в реальном времени.

SigmaQuad-III с точки зрения производительности занимает промежуточное положение между SigmaQuad-IV и SigmaQuad-II+. Максимальная скорость доступа к случайной ячейке во всем адресном пространстве составляет 1,6 млрд. транзакций в секунду, а полоса пропускания до 115 Гбит/с.
Статья. Семейство SQ-III и SQ-IV (рус., pdf)

SigmaQuad-II+ является оптимальным выбором для задач транспонирования, построения быстрых буферов и таблиц в радиолокационных модулях и вычислителях различного назначения. Благодаря отлаженному IP-контроллеру производства GSI Technology микросхемы поддерживают скорость доступа до 1 млрд. транзакций в секунду и полосу пропускания до 91 Гбит/c. Микросхемы SigmaQuad-II+ полностью взаимозаменяемые (корпус, расположение выводов, программное обеспечение) с микросхемами QDR-II+ других производителей.
Статья. Семейство SQ-II и SQ-II+ (рус., pdf)

NBT и SyncBurst стали первыми микросхемами синхронной SRAM памяти, у которых исключен «мертвый» такт на переключение между операциями чтения и записи. Микросхемы работают в режимах Pipeline и Flow-Through. Аналогичные микросхемы от других производителей NoBL (Cypress), ZBT (IDT) и NBT от GSI Technology являются полными аналогами (корпус, расположение выводов, программное обеспечение). Однако, только GSI Technology производит их с максимальной частотой 400 МГц и объемом 288 Мбит. Микросхемы NBT и SyncBurst широко применяются для изготовления средне производительного сетевого и индустриального оборудования, а также благодаря побитной адресации (режим Burst отключен) микросхемы NBT 288 Мбит 400МГц являются лучшим выбором для радиолокационных модулей.
Статья. Семейство NBT (рус., pdf)

Low-Latency DRAM 2 - архитектура построена на восьми DRAM банках со встроенным контроллером перезаряда ячеек. Обращение к ячейкам выполняется за один такт. Время доступа 15 нс (для примера, время доступа DDR3 около 45 нс). Микросхемы выпускаются объемом 288 и 576 Мбит, x9/18/36 с раздельными или совмещенными портами чтения и записи. LLDRAM-II является полным аналогом RLDRAM-II производства Micron и Renesas.
Статья. Семейство LLDRAM-II (рус., pdf)

 

 

Радиационно-стойкие микросхемы SRAM памяти
SigmaQuad-II+ 

  • Максимальный объем 288 Мбит
  • Рабочая частота до 350 МГц
  • Разрядность шины данных х18/36
  • Общая накопленная доза 50 кРад
  • Защита от тиристорного эффекта 42.2 МэВ
  • Керамический корпус 165-ССGA (столбики), 165-BGA (с шариками) или 165-LGA (без шариков)
  • Рабочий диапазон температур от –55 до +125°C

NBT и SyncBurst

  • Максимальный объем 144 Мбит
  • Рабочая частота до 330 МГц
  • Разрядность шины данных х18/36
  • Общая накопленная доза 50 кРад
  • Защита от тиристорного эффекта 42.2 МэВ
  • Керамический корпус 100-СQFP
  • Рабочий диапазон температур от –55 до +125°C.
  • Все радиационно-стойкие микросхемы изготавливаются по технологии 40 нм и сертифицированы по стандарту QML-Q и QML-V.

Статья. Микросхемы Рад-стойкой SRAM памяти (рус., pdf)
 

Изменено пользователем evgen740102

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...