AlexOr

Звучит антинаучно. Можно даже сказать - неграмотно. И жаль конечно, что автор не обозначил точность какого параметра сигнала нужна...

Что за конь? Какой параметр сигнала нормируется по точности?

Явление возбуждения наблюдается и при больших емкостях в затворе (0,02 - 1,0 мкФ) и частота возбуждения практически не зависит от величины емкости.

Такой конденсатор иногда дает возбуждение транзистора на частотах 30-100 МГц в момент этого плавного переключения. Нужно ставить резистор 5-20 Ом последовательно с конденсатором. Полагаю, что специалисты по внутреннему устройству МОSFET могут рассказать о причинах этого явления.

Так какая форма допуска?

100 МГц это длина волны 3 метра. А тут сантиметры. Странно.

Вот такая получается ГВЗ. На верхних частотах все же неравномерность выходит далеко за 1 нс. Неравномерность значительная даже на низких частотах. Собственно и до нулевых частот. Как можно получить меньшую неравномерность? Бороться за КСВ на каждом участке длинной линии? Но как в широком диапазоне частот?

Удается снизить неравномерность ГВЗ до 1 нс устанавливая усилитель GVA-81 строго после каждой длинной линии. Полагаю в данном случае используется его Reverse Isolation. Установка данного усилителя в других местах дает меньший эффект. Как еще можно получить широкополосный Reverse Isolation без излишнего усиления и с меньшей зависимостью общего Gain от температуры? Излишнее усиление это соответственно при включенных всех битах имеем 80 дБ (8 усилителей, Gain=10 дБ).

Если длину участков еще увеличивать, то видно что разброс ГВЗ составляет около 20% от общего времени задержки. Такая вот константа получается.

Хорошая статья конечно https://microwave-e.ru/moduls/delay-line/upravlyaemye-linii-zaderzhki/ Но не уделено внимание разбросу ГВЗ (термин на английском видимо - group delay dispersion) Если делать на множестве линий с ключами SPDT, то образуется проблема с неоднородностью полученной линии. Например, линия задержки на 8 бит 0,0625 нс 0,125 нс 0,25 нс 0,5 нс 1 нс 2 нс 4 нс 8 нс На ключах JSW2-63DR minicircuits дает разброс ГВЗ около 2,5 нс (при максимальном значении 16 нс). Непонятно как бороться с такой огромной неравномерностью.

Вы не написали условия. Имею опыт разработки ПО 1892ВМ3 и 1892ВМ10 в части DSP. СПб.

Ну вот уже дошли до 5 евро за штуку . Правда тут емкость маленькая 82 пФ, 20 Ом на 100 МГц. Видимо поэтому лучше параметры на высоких частотах - на 6 ГГц около 0,2 дБ. Измерительный тракт воспроизведения комплексного коэффициента передачи в определенном диапазоне частот.

В измерительный тракт. Ссылки в тему. Спасибо. Из первой ссылки In a bypass mode, a single SMT ceramic capacitor can replace an array of various-value capacitors to effectively cover frequencies ranging from the high KHz/low MHz region to the low GHz region. Перевод "В режиме байпаса один керамический конденсатор SMT может заменить массив конденсаторов различной емкости для эффективно покрывают частоты в диапазоне от диапазона высоких / низких частот до диапазона низких ГГц." Значит какое-то параллельное соединение конденсаторов не колхоз.

А этот еще более дорогой конденсатор дает тоже 0,5 дБ ослабление на 6 ГГц. Цена уже от 1,5 до 2,5 евро. Притом что дешевый более мелкий конденсатор меньшей емкости https://www.murata.com/en-global/products/productdetail?partno=GRM0332C2A470GA01%23 дает 0,16 дБ ослабления на 6 ГГц. Так почему более дорогой такой дорогой? Потому что он безрезонансный? И смысл широкополосного конденсатора в равномерности ГВЗ? И ослабление 0,5 дБ на 6 ГГц для широкополосного конденсатора считается нормальным? Поэтому разработчики которые не оценивают равномерность ГВЗ ставят ширпотребные очень дешевые конденсаторы и не знают проблем?

Собственно этот топик и есть вопрос. Делают ли так? Какой выигрыш практический? И что помешает на низких частотах пойти сигналу через большую емкость? Y.Kolmakov советует параллельно включать. Он не прав? Подразумевается малую емкость вниз, на микрополосок, а большую сверху.