Jump to content

    

Максимальный ток на пин / bonding wire

Кто может подсказать, на какой максимальный ток для постоянной работы можно рассчитывать 1 пин SOIC корпуса + bonding wire?

Температурный бюджет самого кристалла не учитываем.

 

Возможно ли в обычных SOIC корпусах на обычном корпусировочном производстве 1 пин соединять несколькими bonding wire (2-4)?

На чипе то дополнительных контактных прощадок на каждую bonding wire можно понаделать, а вот с ногой не понятно.

 

Понятно что в даташите обычно написано что для 25um bonding wire fusing current 0.5A и выше, в зависимости от материала. Но мне это не говорит о практическом допустимом токе для постоянной работы.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Кто может подсказать, на какой максимальный ток для постоянной работы можно рассчитывать 1 пин SOIC корпуса + bonding wire?

Температурный бюджет самого кристалла не учитываем.

Понятно что в даташите обычно написано что для 25um bonding wire fusing current 0.5A и выше, в зависимости от материала. Но мне это не говорит о практическом допустимом токе для постоянной работы.

Кажется, 0.5 А - это и есть предельно-допустимый режим. Не превышайте его и все будет нормально.

В качестве примера ADP1706 от Analog Devices (1 ампер через два пина).

 

Возможно ли в обычных SOIC корпусах на обычном корпусировочном производстве 1 пин соединять несколькими bonding wire (2-4)?

На чипе то дополнительных контактных прощадок на каждую bonding wire можно понаделать, а вот с ногой не понятно.

Да, можно.

 

 

 

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
Кажется, 0.5 А - это и есть предельно-допустимый режим. Не превышайте его и все будет нормально.

В качестве примера ADP1706 от Analog Devices (1 ампер через два пина).

 

Вот только вопрос сколько там bonding wire и какой толщины внутри :-)

Share this post


Link to post
Share on other sites
Вот только вопрос сколько там bonding wire и какой толщины внутри :-)

Да, Вы правы :)

Просто обычно главный ограничивающий фактор - это рассеиваемая мощность самой микросхемы.

Ладно, конкретный пример: микросхема регулятора с максимальным током 800 мА (1.3 A в пике).

Диаметр проволоки, судя по размеру площадки, 32-35 мкм. Одна площадка, один провод.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now
Sign in to follow this