Jump to content

    

Исследование чувствительности к ТЗЧ

Товарищи, наша контора занимается испытаниями электронных компонентов на воздействие ТЗЧ. Предварительно, сеансы испытаний планируются в апреле, июне-июле, ноябре. Технологический срок подготовки изделия к испытаниям - 1...2 месяца от поступления изделия к нам.

Если есть интерес к данному виду испытаний - спрашивайте.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Товарищи, наша контора занимается испытаниями электронных компонентов на воздействие ТЗЧ. Предварительно, сеансы испытаний планируются в апреле, июне-июле, ноябре. Технологический срок подготовки изделия к испытаниям - 1...2 месяца от поступления изделия к нам.

Если есть интерес к данному виду испытаний - спрашивайте.

Компоненты испытываются как они есть в пластике и металлокерамике или их надо вскрывать?

Можно ли испытывать установленные на своих платах (в составе готового устройства)?

На какие ЛПЭ испытываются?

 

Share this post


Link to post
Share on other sites

Компоненты, что металлокерамика, что пластик, перед испытаниями вскрываются, обеспечивая воздействие ионов непосредственно на кристалл. Вскрывается только часть корпуса, непосредственно над кристаллом, поэтому, как правило, компоненты могут быть запаяны на плату или установлены в контактирующее устройство. Получается примерно вот так:

 

post-6521-1327929044_thumb.jpg post-6521-1327929032_thumb.jpg post-6521-1327929012_thumb.jpg

 

Испытания на платах заказчика проводим, часто даже с участием самих заказчиков, т.к. они более глубоко понимают суть происходящего на плате и лучше используют свое ПО. Из возможных ограничений - габариты платы/устройства заказчика, количество соединительных линий и их параметры, работоспособность платы в вакууме.

Используемые ЛПЭ при нормальном падении ионов на кристалл - от 5 до 100 МэВ/(мг/см2) [si]. Система позволяет устанавливать угол падения ионов на объект в диапазоне от 0 до 90 градусов.

 

 

Share this post


Link to post
Share on other sites

Еще интересно, результаты в физических величинах или в у.е. 7К9-7К12 ?

Share this post


Link to post
Share on other sites
есть такая потребность - дайте контакт куда обращаться

Полагаю, из-за малого количества сообщений личка у Вас не работает. Напишите мне на мейл sanyao@bk.ru примерно чего Вам необходимо и свои контакты. Тогда подробнее обсудим, наверное даже при личной встрече.

 

 

Еще интересно, результаты в физических величинах или в у.е. 7К9-7К12 ?

Все результаты, что в физических, что в у.е., являются собственностью заказчика, поэтому здесь их приводить было бы с моей стороны, по меньшей мере, некорректно.

Скажу так:

для обычных ацп-цап пороговые ЛПЭ по отказам/тиристорным эффектам ориентировочно в диапазоне 5...30 МэВ/(мг/см2) [si]

для Flash по тиристорному эффекту пороговые ЛПЭ высокие, обычно более 60, однако даже на меньших ЛПЭ есть неприятности с эффектами "функционального прерывания" (SEFI), встречаются катастрофические отказы.

Для ОЗУ - очень разнообразное поведение, включая тиристорные эффекты (при лпэ от 20-30), сбои (SEU), множественные сбои.

 

По результатам испытаний, в зависимости от требований заказчика и вида испытаний (контрольные, определительные), обычно определяются пороговые ЛПЭ эффектов, сечения насыщения, вероятность или частота сбоев/отказов на заданной орбите при заданных параметрах защиты.

 

PS Часто приходят на испытания микросхемы которые уже стоят в готовой аппаратуре. По результатам испытаний они не проходят, вот тогда у разработчика и начинается головная боль - как защитить и как парировать все эти отказы. Все это выливается во всеобщее недовольство и бумажную волокиту, ведь схемы защиты тоже надо проверять :). Так что если интересует какая то конкретная микросхема, можем обсудить что в ней вообще может быть, и чего опасаться разработчику.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Спасибо за столь подробный ответ. Извините, вышло недопонимание, я хотел узнать не сами конкретные результаты, а просто каков их вид на выходе испытаний: в физических величинах или в у.е.? Из ответа я понял, что в физических величинах. Или возможно и в у.е. в зависимости от требований заказчика испытаний?

 

Из Вашего ответа возник другой вопрос про собственность заказчика на результаты испытаний. Мне казалось, что конторы, занимающиеся организацией таких испытаний (СПЭЛС, Электронстандарт) публикуют (за денежку) свои сборники, где указывают результаты испытаний всех проходящих через них компонентов. Это с какой-то стороны оправданно, поскольку такие испытания, очевидно, проводятся в конечном счете для каких-то госпрограмм, и логично предоставить доступ к информации другим участникам госпрограмм. У Вас результаты передаются только заказчикам и больше никуда?

Share this post


Link to post
Share on other sites

На выходе обычно заключение - соответствует или нет требованиям ТЗ, или, если испытания определительные, зависимости сечений эффектов от ЛПЭ, пороговые значения, области безотказной работы и т.п. в зависимости от типа элемента и желаний заказчиков. Естественно, что все в тех величинах что требует заказчик, ведь перевести, если возможно, физические в у.е. не составляет труда.

 

Право собственности, часто, зависит еще от совести исполнителя. Результаты публикуются, как правило, с ведома собственника, т.е. заказчика. Часто публикуются статьи в соавторстве с заказчиком о выявленных эффектах, поведении микросхем ну и т.п. Этих работ много на конференции "стойкость... " которая проходит у нас в Лыткарино каждый год.

По справочникам, насколько знаю, результаты публикуются не всегда. Во многих местах указывают что испытания были проведены по таким то факторам, собственник такой то. Сейчас создается отраслевая система Роскосмоса (kosrad.ru), и если Вы связаны с роскосмосом, то к ней довольно легко получить доступ. Там уже довольно большая база испытанных изделий, в т.ч. СПЭЛСом, электронстандартом, НИИПом (нами) и НИИ КП.

Не могу на 100% отвечать за других, но у нас все результаты - собственность заказчика, даже если это работы по госзаказу. Кстати kosrad и создан для аккумулирования всех результатов испытаний, а то иногда приходят на испытания одинаковые микросхемы но от разных предприятий :).

 

Скажите, какие элементы Вас интересуют? у нас последнее время было (и планируется) много публикаций практически по всем классам ЭРИ (транзисторы, ОУ, ПЛИС, Flash, статическая память, ацп, контроллеры). Может получится взаимовыгодное сотрудничество?

Share this post


Link to post
Share on other sites

Еще по теме - реклама. Модераторы, не пинайте сильно - тема узкая, если нужно, перенесите.

 

Буквально только что вышла в свет книга "Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения" (Таперо К. И. / Улимов В. Н. / Членов А. М.).

Книга в издательстве Бином

Share this post


Link to post
Share on other sites
Еще по теме - реклама. Модераторы, не пинайте сильно - тема узкая, если нужно, перенесите.

 

Буквально только что вышла в свет книга "Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения" (Таперо К. И. / Улимов В. Н. / Членов А. М.).

Книга в издательстве Бином

Спасибо за ссылку.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now
Sign in to follow this