misyachniy 0 14 января, 2012 Опубликовано 14 января, 2012 · Жалоба по параметрическому поиску можно посмотреть в линейки APEC http://www.a-power.com.tw/index.aspx?lang=..._list&no=20 Я уже остановился на MSP42A. Его работа меня удивила. Пока не приобрел его, экспериментировал с BC847. ШИМ от микроконтроллера с 5 вольтовым питанием. Затем впаял вместо него MSP42A. Схема не заработала. На токоограничивающем резисторе в базе "красивые" импульсы, а собственно на базе 0,7 вольт постоянного напряжения. Уменьшил сопротивление до 2К не помогло. В документации написано, что насыщение база-эмитер 0,9 вольт при токе 2 мА. По идее уже должен был работать. Когда поставил делитель с ШИМ вывода микроконтроллера из двух резисторов по 300 ом и подключил базу к середине резистора то схема заработала. Граничная частота транзистора 50МГц, паразитные емкости должны быть небольшими. При моделировании с резистором 2К в базе схема работает. Не понятно почему пришлось вкачивать в базу такой большой ток? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
dinam 1 14 января, 2012 Опубликовано 14 января, 2012 · Жалоба Смотрю на datasheet MPSA42 емкость база-эмиттер порядка 65 пФ, что почти на порядок больше BC847. Плюс ещё время рассасывания явно большое. Хотя если моделирование показывает, что должно быть нормально, то странно. А по маркировке на корпусе этот транзистор именно MPSA42? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
pmm 0 14 января, 2012 Опубликовано 14 января, 2012 (изменено) · Жалоба BC847 и MPSA42 - это совершенно разные транзисторы. У второго в 2,5 раза больше максимально допустимый постоянный ток, в 6 с лишним раз больше граничное напряжение коллектор-эмиттер. Как следствие, у него значительно больше площадь кристалла, меньше коэффициент усиления в режиме насыщения. Автор пытался заставить работать его в ключевом режиме при базовом токе 2 мА (первоначально, похоже, и еще при меньшем). А это при коэффициенте усиления 10 дает ток коллектора только 20 мА. При чем в конкретном случае емкости переходов? Импульсные свойства биполярных транзисторов определяются в основном временем рассасывания. Кстати, моделируетмя работа биполярного транзистора в режиме насыщения не удовлетворительно, мягко говоря. Изменено 14 января, 2012 пользователем Пушкарев Михаил Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Plain 168 16 января, 2012 Опубликовано 16 января, 2012 · Жалоба MMBTA42 вполне рабочий вариант, если задать эти самые 20 мА, т.е. поставить дроссель не 47 мкГн, а 1000 мкГн, ну и написать, наконец, правильную программу "набора напряжения", насчёт чего есть большие сомнения. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться