Jump to content

    
Sign in to follow this  
gte

Подскажите сборку типа BAV99, но с меньшим Ir

Recommended Posts

Хочется обратный ток раза в 3-5 меньше чем у BAV99.

Ток достаточен 20-50 мА, напряжение от 20В, времена единицы нс.

 

Вероятно, подойдет MMBD1203, но для него не указаны графики обратных токов от температуры и он не сильно популярен.

Может еще что то порекомендуете?

 

Применение - защита входа ОУ (падение на токе 20 мА менее 1,4В)

Share this post


Link to post
Share on other sites
BAV199?

Спасибо, но он достаточно медленный. Мне время рассасывания не сильно критично, но оно коррелирует с "временем включения".

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
Мне время рассасывания не сильно критично, но оно коррелирует с "временем включения".

А вот это не совсем так. А еще хуже другое. Диффузия золота, платины для создания центров рекомбинации вместе с уменьшением заряда переключения увеличивает обратный ток. Лучший диод в смысле минимальных утечек - это переход полевого транзистора.

Share this post


Link to post
Share on other sites
А вот это не совсем так.

А как?

Лучший диод в смысле минимальных утечек - это переход полевого транзистора.

Конкретный полевой можете подсказать?

 

 

 

У Rohm есть похожее, но не очень популярное. DA227, fmn1t148 и др.

Спасибо. Ровно столько, сколько надо. Правда нашел только на Digi-key.

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
Лучший диод в смысле минимальных утечек - это переход полевого транзистора.

 

а ещё лучше не кремниевый переход - например, GaAs светодиод оптрона, защищенный от внешней засветки корпусом.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Хотя б BFR30.

И он обеспечит время включения сравнимое с DA227?

 

 

а ещё лучше не кремниевый переход

По совокупности хуже.

В данном случае речь идет о быстрых диодах в корпусе типа sot23 и ценой 10-15 центов с документированными характеристиками и утечкой около 30 нА при 10В.

Share this post


Link to post
Share on other sites
В данном случае речь идет о быстрых диодах.

Дались Вам эти быстрые диоды. Технология их производства предусмативает создание в базе центров рекомбинации тем или иным способом: диффузией золота (платины), облучением нейтронами. А это увеличивает обратный ток. Множество микросхем имеют встроенные защитные диоды, и никакие они не быстрые. Если это принципиально, то ищите среди диодов Шоттки.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.

Sign in to follow this