Jump to content

    

Преобразователь RS232-RS485

Для инженера "правильно" - это прежде всего "оптимально".

Нельзя с этим не согласится, хоть это уже и философия, но исходя из оптимальности могу привести два утверждения (от меня естественно):

1) "оптимально" оно должно быть ещё и по времени разработки. (В данном конкретном случае, на мой взгляд, улучшение времЕнных характеристик не существенно). Достаточно того что есть.

2) С точки зрения оптимальности резисторы в 1,2кОм и 12,4 кОм несколько странноватый выбор. Думаю если поставить 1 и 5,1кОм будет всё отлично работать и резисторы ходовых номиналов

 

 

Народ уже два десятка сообщений написал про транзистор, питающий светодиод оптопары. Есть ведь транзисторы с интегрированными резисторами. Почему бы не использовать их (или хотя бы подсмотреть номиналы резисторов). Вот например nxp, onsemi, fairchild.

Есть небольшой геморрой с использование транзисторов с внутренними резисторами. Первый это тот что не очень-то они доставабельны. Ну, а после того как достали и всё сделали, то уже ничего подкорректировать не получится, а вот с резисторами снаружи вполне ещё можно "поиграться" номиналами в процессе настройки.

ЗЫЖ правда это плохо относится к отлаженным устройствам выпускаемыми 1000-ми штук. Тогда и технологичней и дешевле использовать тр-ры с интегрированными резисторами. И партию в 1000-10000 шт. достать легче и на монтаже сэкономить можно :)

 

 

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
Так что, поленились таки?
Как вы здорово цитаты дергаете. В том же предложении вам был задан вопрос, без ответа на который остальное бессмысленно.

Либо вы не умеете им пользоваться, либо его надо выкинуть. Ибо эта картинка имеет мало общего с реальностью. Почему напряжение насыщения отличается почти вдвое, если транзистор в обоих случаях находится в насыщении и ток коллектора одинаков? Где на ней прописанное в даташите то самое Storage time? Где влияние емкости коллектор-база?

А что есть "правильно", по-вашему? Добиться улучшения работы устройства на 0.01%, затратив кучу времени на поиск никому не нужных блох?
Блох искать не нужно - зная теорию можно сразу проектировать правильно.

Для инженера "правильно" - это прежде всего "оптимально".
И каков же критерий оптимальности в исходных номиналах этого узла?

Share this post


Link to post
Share on other sites
Либо вы не умеете им пользоваться, либо его надо выкинуть

Так пользуйтесь им сами, если вы умелец. Симетрикс официально бесплатен для простых схем, все данные я привел. Проверяйте.

 

Почему напряжение насыщения отличается почти вдвое, если транзистор в обоих случаях находится в насыщении и ток коллектора одинаков?

Потому что напряжение на коллекторе зависит от глубины насыщения, а ток базы разный. Для исходной схемы ток базы примерно равен 2 мА, для схемы с вашими номиналами - примерно 0.3 мА.

 

Где на ней прописанное в даташите то самое Storage time?

Посмотрите даташит внимательнее. Минимальная величина Storage time там не указана. А вопрос о том, насколько реалистична представленная спайс-модель, можете задать службе поддержки Onsemi.

 

Пикантный нюанс, связанный со Storage time, состоит в том, что это время измеряется после подачи в цепь базы тока противоположного направления и фиксации отрицательного потенциала базы на уровне более чем -1 В. То есть, что исходный вариант схемы, что с вашими номиналами - оба в подметки не годятся схеме измерения, приведенной в даташите.

 

post-2483-1330945006_thumb.png

 

Где влияние емкости коллектор-база?

С вашими номиналами скорость нарастания увеличилась вдвое как раз вследствие уменьшения влияния эффекта Миллера. А иначе, по вашему, в честь чего бы фронт стал круче? :)

 

И каков же критерий оптимальности в исходных номиналах этого узла?

В данном контексте оптимальность, очевидно, состоит в отсутствии граблей и грубых ошибок. И в этом смысли исходные номиналы для транзистора были вполне удовлетворительны. А вот уменьшение резистора с базы на землю потенциально чревато тем, что при некотором стечении обстоятельств транзистор может не открыться. К таковым обстоятельствам относится и возможная замена транзистора на другой тип.

 

2) С точки зрения оптимальности резисторы в 1,2кОм и 12,4 кОм несколько странноватый выбор. Думаю если поставить 1 и 5,1кОм будет всё отлично работать и резисторы ходовых номиналов

 

С этой точки зрения оптимально было бы поставить два одинаковых резистора. Собственно, в большинстве так наз. "цифровых транзисторов" именно так и сделано. Простое и надежное универсальное решение.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Базовый шунт-резистор нужно выбирать так чтобы на нём падало не менее 1 вольта. Иначе будет риск не влючиться на минусовых температурах. А уж разные типы биполярных транзисторов имеют разброс намного меньше чем изменение падения на кремниевом переходе от температуры.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Спасибо haker_fox за схему, собрал себе такую-же (без гальванической развязки) все работает отлично.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Спасибо haker_fox за схему, собрал себе такую-же (без гальванической развязки) все работает отлично.

На здоровье, схема не моя) Я ее тоже позаимствовал.

 

А у меня все пока руки не доходят до опробирования гальваноразвязанной схемы... Уже более месяца(

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now
Sign in to follow this