НЕХ 4 31 мая, 2011 Опубликовано 31 мая, 2011 (изменено) · Жалоба Квазиунофантазия от TI. биполярные транзисторы необходимы специальные - у которых усиление по току не падает катастрофически при токе более ампера. Например, FMMTL618, BISS от NXP. Изменено 31 мая, 2011 пользователем НЕХ Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
MikeSchir 1 31 мая, 2011 Опубликовано 31 мая, 2011 · Жалоба Квазиунофантазия от TI. биполярные транзисторы необходимы специальные - у которых усиление по току не падает катастрофически при токе более ампера. Например, FMMTL618, BISS от NXP. Имеет право на жизнь, всё зависит от тех частей, которые остались за рамкой и слева наверняка не TL494 Именно по причине высокого B на больших токах, я очень часто иcпользую 2N2222 (КТ3117), соединяя их параллельно по несколько штук, при необходимости, а в smd варианте даже без выравнивания. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 4 31 мая, 2011 Опубликовано 31 мая, 2011 · Жалоба за рамкой - UCC25600 Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Herz 4 31 мая, 2011 Опубликовано 31 мая, 2011 · Жалоба Имеет право на жизнь, всё зависит от тех частей, которые остались за рамкой и слева наверняка не TL494 И, главное, нет VD41 - VD44. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
georgy31 0 31 мая, 2011 Опубликовано 31 мая, 2011 · Жалоба Да, слева действительно не ТЛка, а вполне современный проверенный драйвер. MIC4422 называется и безболезненно раскачивает нужные 15нан мосфетов, вся проблема в том что драйверов всего два, поскольку планировалось использовать полумост. Но мощности не хватило и пришлось вернуться к мосту. Первая мысль пришла нагрузить транс и раскидать его на 4 плеча моста, видимо мысль ошибочная. Думаю будет проще, а главное надёжней добавить ещё два MIC4422 и сделать 4 источника питания. Самый короткий путь всё же прямой. Постоянно пытаюсь от трансов отказаться, и постоянно они меня преследуют, вот опять лукавый попутал. В очередной 101 раз прийдётся плату переделывать. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 4 31 мая, 2011 Опубликовано 31 мая, 2011 (изменено) · Жалоба нет предела совершенству... может транзисторы поставить с малым зарядом затвора - NEXFET, например ? в Вашей схеме можно применить N-канальный полевик для разрядки затвора. Но зарядный ток ограничит качество намотки трансформатора. 25319_Isolated_FET_pulse_driver_increases_power_rate_and_duty_cycle_PDF.pdf Изменено 31 мая, 2011 пользователем НЕХ Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
vao 0 1 июня, 2011 Опубликовано 1 июня, 2011 · Жалоба Раскачка транса как на схеме. Управляющий транс намотан на колечке проницаемостью 2200, размером 32х20х15мм, питание мосфетов только 24 вольта. Транс намотан - первичка 20 витков, вторички по 15 витков МГТФа. Если не ставить стабилитрон в затворе, то появляется колебательный процесс при включении мосфета вольт на 30. От использования раскачивающих драйверов пришлось отказаться уж больно много их надо для 12и мосфетов (три моста по 4 транзистора). Да и гальваническая развязка необходима, дабы уберечь управление от всяких бахов. Так делать нельзя. У вас схема работать не будет. Нужно делать мостовой инвертор (как у TI http://focus.ti.com/lit/ug/sluu421a/sluu421a.pdf).Не стоит пользоваться журналами РАДИО за 19... год. В полне отлаженые решения. Если поставить драйвера по мощнее, то хоть мкФ-ы накачивайте. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Microwatt 2 1 июня, 2011 Опубликовано 1 июня, 2011 · Жалоба Нужно делать мостовой инвертор (как у TI [url=http://electronix.ru/redirect.php?http://focus.ti.com/lit/ug/sluu421a/sluu421a.pdf).Не]http://focus.ti.com/lit/ug/sluu421a/sluu421a.pdf). Ссылка почему-то не работает. Проверьте, пожалуйста. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 4 1 июня, 2011 Опубликовано 1 июня, 2011 · Жалоба Если у автора темы низковольтные ключи и "моторное" их применение... Для уменьшения издержек при закрывании внутренних диодов полевиков на мой взгляд следует избегать отрицательных напряжений на затворах ключей и применять logic level trench mosfet - при закрытом канале ключа транзистор ведёт себя как TMBS diode. этому поможет и небольшое положительное напряжение на затворе (порядка 1 вольта) - падение напряжения на закрытом ключе при протекании тока из истока на стоке не превысит порогового для открывания паразитного внутреннего медленного диода. для эконом варианта драйверов можно попробовать 74АС123, 74АС244, 74АС11244 ,74АС16244. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Herz 4 1 июня, 2011 Опубликовано 1 июня, 2011 · Жалоба Если у автора темы низковольтные ключи и "моторное" их применение... Для уменьшения издержек при закрывании внутренних диодов полевиков на мой взгляд следует избегать отрицательных напряжений на затворах ключей и применять logic level trench mosfet - при закрытом канале ключа транзистор ведёт себя как TMBS diode. этому поможет и небольшое положительное напряжение на затворе (порядка 1 вольта) - падение напряжения на закрытом ключе при протекании тока из истока на стоке не превысит порогового для открывания паразитного внутреннего медленного диода. для эконом варианта драйверов можно попробовать 74АС123, 74АС244, 74АС11244 ,74АС16244. Не дошло. К каким издержкам при закрывании внутренних диодов приводит отрицательное напряжение на затворе? Ничего не слышал об этом. Как и о начальном смещение затвора. Не могли бы подробнее, что имеется в виду? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Vokchap 0 1 июня, 2011 Опубликовано 1 июня, 2011 · Жалоба следует избегать отрицательных напряжений на затворах ключей и применять logic level trench mosfet - при закрытом канале ключа транзистор ведёт себя как TMBS diode. этому поможет и небольшое положительное напряжение на затворе (порядка 1 вольта) - падение напряжения на закрытом ключе при протекании тока из истока на стоке не превысит порогового для открывания паразитного внутреннего медленного диода. Что при малом положительном на затворе 1В параллельно медленному паразитному диоду образуется ещё внутренний быстрый TMBS диод??? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 4 1 июня, 2011 Опубликовано 1 июня, 2011 · Жалоба да - можете проверить сами Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Vokchap 0 1 июня, 2011 Опубликовано 1 июня, 2011 · Жалоба Где почитать можно? Или это ноу-хау? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
georgy31 0 1 июня, 2011 Опубликовано 1 июня, 2011 · Жалоба Мне кажется что в небольшом постоянном смещении есть какой то смысл. Открывание проискодит быстрее на этот уровень, главное не переборьщить, дабы случайно не приоткрыть его. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 4 1 июня, 2011 Опубликовано 1 июня, 2011 (изменено) · Жалоба эффект обнаружил в прошлом году, об этом сразу сообщил сообществу... http://electronix.ru/forum/index.php?showt...45&start=45 подайте на затвор напряжение меньше порогового на 30-вольтовый полевик с логическим порогом и определите на каком токе напряжение исток-сток превысит 0,5 Вольта. (на истоке - плюс, на стоке - минус) обычно это ток в несколько Ампер. Изменено 1 июня, 2011 пользователем НЕХ Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
