Jump to content

    

Понижающий преобразователь на 1114ЕУ3 (TL494)

Приветствую участников форума.

Коллеги, помогите советом...

 

В общем надобно собрать импульсный преобразователь 27В -> 5В/200-300мА на отечественной элементной базе. Для этих целей есть 1114ЕУ3 - полный аналог TL494.

 

Что смущает: в схемотехнических примерах по ИБП которые я видел почему- то для слаботочных применений выходной каскад организуется по схеме эмиттерного повторителя, а для мощных - с общим эмиттером и умощняется pnp-транзистором.

post-36555-1303709380_thumb.jpg

 

Я бы предпочел упощнить выход npn-транзистором и использовать схему эмиттерного повторителя, вот так:

post-36555-1303712713_thumb.jpg

(внутри TL494 показан только один выходной транзистор)

 

я не допускаю какую-нибудь ошибку?

Edited by Konrad

Share this post


Link to post
Share on other sites
Я бы предпочел упощнить выход npn-транзистором и использовать схему эмиттерного повторителя

Транзистор не будет работать как ключ,

вы посчитайте, падение напряжения на нем в "открытом" состоянии.

Это отразится на КПД вашего преобразователя.

Наверняка в перечне разрешенных есть pnp высокочастотные транзисторы, типа 2Т9хх

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
Транзистор не будет работать как ключ,

С чего это?

Или транзистор имени товарища Дарлингтона - уже не ключ?

А именно он и получается, если просочетать внешний транзистор с внутренним транзистором микросхемы.

Падение напряжения на этом составном транзисторе будет больше, чем в иных вариантах.

Зато скорость переключения будет так же выше.

В этой ситуации лично я пришел к выводу, что в качестве проходного должен быть составной транзистор с большим h21э.

А транзистор(ы) микросхемы должны быть подключены эмиттерами к общему проводу.

Что, собственно, и изображено на рисунке 6 у ТС.

В этом случае будет и скорость и приемлемое падение напряжения.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Я бы предпочел упощнить выход npn-транзистором и использовать схему эмиттерного повторителя, вот так:

 

я не допускаю какую-нибудь ошибку?

Напряжение на обмотке трансформатора в двухтактном преобразователе будет примерно вдвое больше напряжения питания. Боюсь, что в предлагаемой схеме выходные транзисторы микросхемы этакого нахальства не выдержат. Нужно включать их по схеме управления ключевыми транзисторами, в коллекторы которых будет включена обмотка трансформатора, средняя точка которой присоединена к +27 В. Примерно так как это делается в компьютерных БП.

Share this post


Link to post
Share on other sites
С чего это?

Или транзистор имени товарища Дарлингтона - уже не ключ?

А именно он и получается, если просочетать внешний транзистор с внутренним транзистором микросхемы.

Падение напряжения на этом составном транзисторе будет больше, чем в иных вариантах.

Зато скорость переключения будет так же выше.

..А вот я слышал мнение и не один раз, что на Дарлингтоне ключи (быстродействующие) не делают..

Мол, плох он для этого.. Это не считая падения..

Врут, наверное..?

..Правда, и не видел ключевых схем на Дарлингтоне.. :rolleyes:

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
..А вот я слышал мнение и не один раз, что на Дарлингтоне ключи (быстродействующие) не делают..

Мол, плох он для этого.. Это не считая падения..

Врут, наверное..?

КТ972, КТ973 к примеру.

..Правда, и не видел ключевых схем на Дарлингтоне.. :rolleyes:

До появления IGBT в качестве силовых ключей применялись именно дарлингтоны.

До 3-х штук в одном флаконе. У меня где-то даже DS на них сохранились.

Да и сам IGBT (Биполярный транзистор с изолированным затвором), по-сути составной транзистор.

Управляющий - полевик, силовой - биполярный.

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
Я бы предпочел упощнить выход npn-транзистором и использовать схему эмиттерного повторителя, вот так:

Проблема такого включения в том, что транзисторы работают эмиттерными повторителями и остаются в активном режиме. Это увеличивает падение напряжения на них и рассеиваемую мощность.

Обратите внимание:

post-11287-1303762094_thumb.jpg

Share this post


Link to post
Share on other sites
(внутри TL494 показан только один выходной транзистор)

 

я не допускаю какую-нибудь ошибку?

внутри TL494 стоит уже пара по схеме Дарлингтона, это лучше учесть (см рисунок).

post-42757-1303762947_thumb.png

Share this post


Link to post
Share on other sites
Или транзистор имени товарища Дарлингтона - уже не ключ?

Конечно ключ, но медленный и с бОльшим напряжением насыщения.

В схеме же ТС - составной эмиттерный повторитель

(посмотрите сообщение тов. Herzа)

КТ972, КТ973 к примеру.

Эти транзисторы - уникумы, их параметры получены

только за счет технологических ухищрений.

 

Konrad

Можно конечно изголиться и сделать составной pnp-npn транзистор,

но его параметры (напряж. насыщения? скорость) будут хуже одиночного pnp

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
Конечно ключ, но медленный и с бОльшим напряжением насыщения.

В схеме же ТС - составной эмиттерный повторитель

(посмотрите сообщение тов. Herzа)

 

Эти транзисторы - уникумы, их параметры получены

только за счет технологических ухищрений.

 

Konrad

Можно конечно изголиться и сделать составной pnp-npn транзистор,

но его параметры (напряж. насыщения? скорость) будут хуже одиночного pnp

 

Правильно ли я понимаю смысл сказанного:

 

напряжение насыщения встроенных транзисторов вкл. по сх. эмиттерного повторителя 2,5В и соответственно на внешнем транзисторе будет 2,5+0,6 = 3,1, т.е. при токе 200ма мгновенная мощность 3,1*0,2 = 0,6Вт...

С другой стороны (рассуждения человека который первый раз в жизни делает импульсный преобразователь), при КПД 80% (не знаю точно какой КПД можно получить) входном и выходном напряжениях 27В / 5В ключ будет открыт примерно в течении 1/4 периода, т.е. средняя мощность на транзисторе 0,6/4 = 0,15Вт... Рассуждения верные?

 

И наконец, при мощности 0,15Вт можно вообще отказаться от внешнего транзистора ведь мощность на встроенных при токе 200ма: (2,5*0,2)/4 = 0,125Вт... При такой мощность металлокерамический корпус будет греться незначительно...

Edited by Konrad

Share this post


Link to post
Share on other sites

Да, рассуждения Ваши в целом верны. Только можно подобрать для этой цели и более подходящую микросхему. Почему, кстати, только отечественную? Военка?

Share this post


Link to post
Share on other sites
И наконец, при мощности 0,15Вт можно вообще отказаться от внешнего транзистора ведь мощность на встроенных при токе 200ма: (2,5*0,2)/4 = 0,125Вт... При такой мощность металлокерамический корпус будет греться незначительно...

Вообще-то экономить нужно каждый миллиВатт,

"делай хорошо - плохо само получится",

потерь у вас наберется и в других узлах вашего стабилизатора.

Кстати,

а какой дроссель предполагаете применить и

на какой частоте хотите работать?

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
Почему, кстати, только отечественную? Военка?

Точно

 

 

а какой дроссель предполагаете применить и

на какой частоте хотите работать?

 

Хм, об этом я не думал ещё, если посоветуете частоту и тип дросселя (желательно отечественный из МОПовсого перечня) то буду очень признателен...

Share this post


Link to post
Share on other sites
Хм, об этом я не думал ещё, если посоветуете частоту и тип дросселя (желательно отечественный из МОПовсого перечня) то буду очень признателен...

На военке уже не работаю давно и секретных док-тов дома не держу,

вам самому нужно поискать, лучше покупные.

Можно посмотреть в сторону молибденового пресспермолоя,

но он, по моему, работает до 50кГц.

Share this post


Link to post
Share on other sites

В МОПе кроме TL494 теперь есть аналоги UC3842 (1114ЕУ7) и другие ИМС ШИМ-контроллеров (НПО "ЭлТом", НТЦ "СИТ"-Брянск).

Включение транзисторов изучается по соотв. аппликухам или по книжкам.

 

 

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now
Sign in to follow this