Zuse 0 25 апреля, 2011 Опубликовано 25 апреля, 2011 (изменено) · Жалоба Приветствую участников форума. Коллеги, помогите советом... В общем надобно собрать импульсный преобразователь 27В -> 5В/200-300мА на отечественной элементной базе. Для этих целей есть 1114ЕУ3 - полный аналог TL494. Что смущает: в схемотехнических примерах по ИБП которые я видел почему- то для слаботочных применений выходной каскад организуется по схеме эмиттерного повторителя, а для мощных - с общим эмиттером и умощняется pnp-транзистором. Я бы предпочел упощнить выход npn-транзистором и использовать схему эмиттерного повторителя, вот так: (внутри TL494 показан только один выходной транзистор) я не допускаю какую-нибудь ошибку? Изменено 25 апреля, 2011 пользователем Konrad Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
domowoj 0 25 апреля, 2011 Опубликовано 25 апреля, 2011 · Жалоба Я бы предпочел упощнить выход npn-транзистором и использовать схему эмиттерного повторителя Транзистор не будет работать как ключ, вы посчитайте, падение напряжения на нем в "открытом" состоянии. Это отразится на КПД вашего преобразователя. Наверняка в перечне разрешенных есть pnp высокочастотные транзисторы, типа 2Т9хх Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
syv 0 25 апреля, 2011 Опубликовано 25 апреля, 2011 · Жалоба Транзистор не будет работать как ключ, С чего это? Или транзистор имени товарища Дарлингтона - уже не ключ? А именно он и получается, если просочетать внешний транзистор с внутренним транзистором микросхемы. Падение напряжения на этом составном транзисторе будет больше, чем в иных вариантах. Зато скорость переключения будет так же выше. В этой ситуации лично я пришел к выводу, что в качестве проходного должен быть составной транзистор с большим h21э. А транзистор(ы) микросхемы должны быть подключены эмиттерами к общему проводу. Что, собственно, и изображено на рисунке 6 у ТС. В этом случае будет и скорость и приемлемое падение напряжения. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
pmm 0 25 апреля, 2011 Опубликовано 25 апреля, 2011 · Жалоба Я бы предпочел упощнить выход npn-транзистором и использовать схему эмиттерного повторителя, вот так: я не допускаю какую-нибудь ошибку? Напряжение на обмотке трансформатора в двухтактном преобразователе будет примерно вдвое больше напряжения питания. Боюсь, что в предлагаемой схеме выходные транзисторы микросхемы этакого нахальства не выдержат. Нужно включать их по схеме управления ключевыми транзисторами, в коллекторы которых будет включена обмотка трансформатора, средняя точка которой присоединена к +27 В. Примерно так как это делается в компьютерных БП. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Wise 0 25 апреля, 2011 Опубликовано 25 апреля, 2011 · Жалоба С чего это? Или транзистор имени товарища Дарлингтона - уже не ключ? А именно он и получается, если просочетать внешний транзистор с внутренним транзистором микросхемы. Падение напряжения на этом составном транзисторе будет больше, чем в иных вариантах. Зато скорость переключения будет так же выше. ..А вот я слышал мнение и не один раз, что на Дарлингтоне ключи (быстродействующие) не делают.. Мол, плох он для этого.. Это не считая падения.. Врут, наверное..? ..Правда, и не видел ключевых схем на Дарлингтоне.. :rolleyes: Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
syv 0 25 апреля, 2011 Опубликовано 25 апреля, 2011 · Жалоба ..А вот я слышал мнение и не один раз, что на Дарлингтоне ключи (быстродействующие) не делают.. Мол, плох он для этого.. Это не считая падения.. Врут, наверное..? КТ972, КТ973 к примеру. ..Правда, и не видел ключевых схем на Дарлингтоне.. :rolleyes: До появления IGBT в качестве силовых ключей применялись именно дарлингтоны. До 3-х штук в одном флаконе. У меня где-то даже DS на них сохранились. Да и сам IGBT (Биполярный транзистор с изолированным затвором), по-сути составной транзистор. Управляющий - полевик, силовой - биполярный. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Herz 4 25 апреля, 2011 Опубликовано 25 апреля, 2011 · Жалоба Я бы предпочел упощнить выход npn-транзистором и использовать схему эмиттерного повторителя, вот так: Проблема такого включения в том, что транзисторы работают эмиттерными повторителями и остаются в активном режиме. Это увеличивает падение напряжения на них и рассеиваемую мощность. Обратите внимание: Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
тау 23 25 апреля, 2011 Опубликовано 25 апреля, 2011 · Жалоба (внутри TL494 показан только один выходной транзистор) я не допускаю какую-нибудь ошибку? внутри TL494 стоит уже пара по схеме Дарлингтона, это лучше учесть (см рисунок). Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
domowoj 0 26 апреля, 2011 Опубликовано 26 апреля, 2011 · Жалоба Или транзистор имени товарища Дарлингтона - уже не ключ? Конечно ключ, но медленный и с бОльшим напряжением насыщения. В схеме же ТС - составной эмиттерный повторитель (посмотрите сообщение тов. Herzа) КТ972, КТ973 к примеру. Эти транзисторы - уникумы, их параметры получены только за счет технологических ухищрений. Konrad Можно конечно изголиться и сделать составной pnp-npn транзистор, но его параметры (напряж. насыщения? скорость) будут хуже одиночного pnp Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Zuse 0 26 апреля, 2011 Опубликовано 26 апреля, 2011 (изменено) · Жалоба Конечно ключ, но медленный и с бОльшим напряжением насыщения. В схеме же ТС - составной эмиттерный повторитель (посмотрите сообщение тов. Herzа) Эти транзисторы - уникумы, их параметры получены только за счет технологических ухищрений. Konrad Можно конечно изголиться и сделать составной pnp-npn транзистор, но его параметры (напряж. насыщения? скорость) будут хуже одиночного pnp Правильно ли я понимаю смысл сказанного: напряжение насыщения встроенных транзисторов вкл. по сх. эмиттерного повторителя 2,5В и соответственно на внешнем транзисторе будет 2,5+0,6 = 3,1, т.е. при токе 200ма мгновенная мощность 3,1*0,2 = 0,6Вт... С другой стороны (рассуждения человека который первый раз в жизни делает импульсный преобразователь), при КПД 80% (не знаю точно какой КПД можно получить) входном и выходном напряжениях 27В / 5В ключ будет открыт примерно в течении 1/4 периода, т.е. средняя мощность на транзисторе 0,6/4 = 0,15Вт... Рассуждения верные? И наконец, при мощности 0,15Вт можно вообще отказаться от внешнего транзистора ведь мощность на встроенных при токе 200ма: (2,5*0,2)/4 = 0,125Вт... При такой мощность металлокерамический корпус будет греться незначительно... Изменено 26 апреля, 2011 пользователем Konrad Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Herz 4 26 апреля, 2011 Опубликовано 26 апреля, 2011 · Жалоба Да, рассуждения Ваши в целом верны. Только можно подобрать для этой цели и более подходящую микросхему. Почему, кстати, только отечественную? Военка? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
domowoj 0 26 апреля, 2011 Опубликовано 26 апреля, 2011 · Жалоба И наконец, при мощности 0,15Вт можно вообще отказаться от внешнего транзистора ведь мощность на встроенных при токе 200ма: (2,5*0,2)/4 = 0,125Вт... При такой мощность металлокерамический корпус будет греться незначительно... Вообще-то экономить нужно каждый миллиВатт, "делай хорошо - плохо само получится", потерь у вас наберется и в других узлах вашего стабилизатора. Кстати, а какой дроссель предполагаете применить и на какой частоте хотите работать? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Zuse 0 26 апреля, 2011 Опубликовано 26 апреля, 2011 · Жалоба Почему, кстати, только отечественную? Военка? Точно а какой дроссель предполагаете применить и на какой частоте хотите работать? Хм, об этом я не думал ещё, если посоветуете частоту и тип дросселя (желательно отечественный из МОПовсого перечня) то буду очень признателен... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
domowoj 0 27 апреля, 2011 Опубликовано 27 апреля, 2011 · Жалоба Хм, об этом я не думал ещё, если посоветуете частоту и тип дросселя (желательно отечественный из МОПовсого перечня) то буду очень признателен... На военке уже не работаю давно и секретных док-тов дома не держу, вам самому нужно поискать, лучше покупные. Можно посмотреть в сторону молибденового пресспермолоя, но он, по моему, работает до 50кГц. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Alextsu 0 27 апреля, 2011 Опубликовано 27 апреля, 2011 · Жалоба В МОПе кроме TL494 теперь есть аналоги UC3842 (1114ЕУ7) и другие ИМС ШИМ-контроллеров (НПО "ЭлТом", НТЦ "СИТ"-Брянск). Включение транзисторов изучается по соотв. аппликухам или по книжкам. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
