Burner 0 11 марта, 2011 Опубликовано 11 марта, 2011 · Жалоба Встречал ли кто MJE13003, которые отказывали(сгорали) в источниках через некоторое время? Без перегрева и токовой перегрузки. Мне вернули сгоревший БП с этим транзистором. Что думать? Мож., у этого MJE13003 была плохая герметичность корпуса, и он набрал влаги? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
MrYuran 14 11 марта, 2011 Опубликовано 11 марта, 2011 · Жалоба Без перегрева и токовой перегрузки. А откуда такая уверенность? Применяли электронные трансформаторы для галогенок Tashibra с такими транзюками внутри. Горят от малейшего коротца, без видимых признаков насилия. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
syv 0 11 марта, 2011 Опубликовано 11 марта, 2011 · Жалоба Встречал ли кто MJE13003, которые отказывали(сгорали) в источниках через некоторое время? Без перегрева и токовой перегрузки. Мне вернули сгоревший БП с этим транзистором. Что думать? Мож., у этого MJE13003 была плохая герметичность корпуса, и он набрал влаги? MJE13003 - это биполярный транзистор со всеми его недостатками. Биполярные транзисторы выходят из строя с указанными симптомами из-за вторичного пробоя. А получается этот пробой, когда носители рассасываются сначала из перехода база-эмиттер, а только потом база-коллектор. А надо - наоборот. Для того, чтобы в схеме с общим эмиттером не было вторичного пробоя, надо отводить ток из базы с определенной скоростью при запирании. Если скорость запирания будет маленькая, то транзистор перегреется, а если очень большая, то транзистор выйдет из строя. Есть схемы, где этот эффект нивелирован. Это схемы с эмиттерной коммутацией. Или с пропорционально-токовым управлением. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Burner 0 12 марта, 2011 Опубликовано 12 марта, 2011 (изменено) · Жалоба А откуда такая уверенность? Транзистор работал в правильном самозбудном обратноходе. Схема многажды отработанная. Замыкание нагрузки не вызывало токовой перегрузки транзистора. Пиковый ток при этом даже не возрастал. А пиковый ток был в пять раз меньше допустимого по доке. Насчет вторичного пробоя - мудрено. До сих пор толком не понял, как он происходит. Изменено 12 марта, 2011 пользователем Burner Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
ukpyr 0 12 марта, 2011 Опубликовано 12 марта, 2011 · Жалоба Горят от малейшего коротца, без видимых признаков насилия.там же автогенератор без защиты от к.з. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
syv 0 12 марта, 2011 Опубликовано 12 марта, 2011 · Жалоба Насчет вторичного пробоя - мудрено. До сих пор толком не понял, как он происходит. Ничего мудреного. Сам наступал на эти грабли неоднократно. Такое может быть, когда ток базы в обратном направлении очень большой, а коллекторный ток накануне запирания - маленький. Биполярник в схеме ОЭ - принципиально ненадежен. Может полевик, все-таки? А для маломощных схем, ПМСМ, лучше всего вот это. Цена девайса - копеечная, соизмеримая с конструкцией на MJE13003. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Burner 0 14 марта, 2011 Опубликовано 14 марта, 2011 (изменено) · Жалоба В первом приближении понял. Полевик? Может быть. Если сил хватит его прикрутить. А эта микруха как-то не прет. Хотелось бы вольт 800, а не 650 за 80 центов. Изменено 14 марта, 2011 пользователем Burner Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
pplefi 0 16 марта, 2011 Опубликовано 16 марта, 2011 · Жалоба Встречал ли кто MJE13003, которые отказывали(сгорали) в источниках через некоторое время? Без перегрева и токовой перегрузки. Мне вернули сгоревший БП с этим транзистором. Что думать? Мож., у этого MJE13003 была плохая герметичность корпуса, и он набрал влаги? Если схема включения с общим эммитером, то за основу надо брать обратное напряжение коллектор-эммитер, а он по даташит 400в - это первое. Второе-чтобы боротся с энергией вторичного пробоя данного транзистора, необходимо менять конструкцию чипа...в данном случае, я думаю вы нарвались на китайские чипы произведенные на монокремнии со встречной диффузией, самый дешовый вариант технологии, но не стойкий ко вторичному пробою..... ищите западные аналоги, там все должно быть нормально, но и стоить они будут намного дороже..... Герметичность корпуса здесь непричем, кристалл заливается сверху влагозащитным компаундом От разработчика чипов высоковольтных транзисторов Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
syv 0 16 марта, 2011 Опубликовано 16 марта, 2011 · Жалоба От разработчика чипов высоковольтных транзисторов А что Вы можете сказать про диоды с большим временем восстановления при малых прямых токах и больших токах реверса? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
pplefi 0 18 марта, 2011 Опубликовано 18 марта, 2011 · Жалоба А что Вы можете сказать про диоды с большим временем восстановления при малых прямых токах и больших токах реверса? А что вас конкретно интересует времена или пробой??????? В общих чертах!!!! На любых диодах (даже диодах Шоттки), изготовленных на кремниевых пластинах (именно на Si), временем восстановлением заряда можно управлять путем соответствующих обработок(облучением высокоэнергетичными электронами или протонами, диффузией золота или платины) кремниевых пластин с чипами. По желанию заказчика можно достигнуть - 20нс (минимальный предел времени для Si), но при данной обработке повышается Uпр, т.к. повышается сопротивление кремния. Вот и получается, что палка об двух концах, кому-то подавай хорошие времена восстановления, а кому-то меньшее Uпр при соответствующем токе...как говаривал Горбачев: "конструкторам надо находить консенсус при выборе диода" Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
syv 0 18 марта, 2011 Опубликовано 18 марта, 2011 · Жалоба А что вас конкретно интересует времена или пробой??????? В общих чертах!!!! На любых диодах (даже диодах Шоттки), изготовленных на кремниевых пластинах (именно на Si), временем восстановлением заряда можно управлять путем соответствующих обработок(облучением высокоэнергетичными электронами или протонами, диффузией золота или платины) кремниевых пластин с чипами. По желанию заказчика можно достигнуть - 20нс (минимальный предел времени для Si), но при данной обработке повышается Uпр, т.к. повышается сопротивление кремния. Вот и получается, что палка об двух концах, кому-то подавай хорошие времена восстановления, а кому-то меньшее Uпр при соответствующем токе...как говаривал Горбачев: "конструкторам надо находить консенсус при выборе диода" Нужен диод. Такой, чтобы при токе а прямом направлении порядка 100 мА его время обратного восстановления было порядка 1...2 мкс при обратных токах восстановления в десятки ампер. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
pplefi 0 21 марта, 2011 Опубликовано 21 марта, 2011 · Жалоба Нужен диод. Такой, чтобы при токе а прямом направлении порядка 100 мА его время обратного восстановления было порядка 1...2 мкс при обратных токах восстановления в десятки ампер. Это уже не диод, а стабилизатор тока какой-то... может аналог есть, а то ТЗ витееватое получается !!!! Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Burner 0 21 марта, 2011 Опубликовано 21 марта, 2011 · Жалоба Скорее накопитель заряда. Нереально, не так ли? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
SSerge 4 22 марта, 2011 Опубликовано 22 марта, 2011 · Жалоба Есть такие, диоды с накоплением заряда называются. Правда, применяют их для генерации гораздо более коротких импульсов тока, порядка десятков-сотен пикосекунд. Для микросекундных времён можно попробовать обычные выпрямительные диоды, лучше на большие напряжения, у них trr побольше. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться