[rloc 43]

Задержку опорного сигнала для случая Fujitsu сделать несложно. Например, в простейшем 4-разрядном кольцевом счётчике. Расщеплённые фазы берутся с четырёх его выходов.

Не совсем так. Расщепить фазу поделенного сигнала с ГУН - да просто, а опорный (REF) в таком случае надо сначала умножить на 4 (если брать кольцевой счетчик), или умножить на 2 (если комбинировать фронты и спады).

Ваша идея, на мой взгляд, ближе к варианту захвата DDS в кольце ФАПЧ, только DDS еще можно использовать отдельно. А варианты, рассмотренные выше, ближе к идее объединения нескольких PDS или DDS.

[Vitaly_K 0]

Не совсем так. Расщепить фазу поделенного сигнала с ГУН - да просто, а опорный (REF) в таком случае надо сначала умножить на 4 (если брать кольцевой счетчик), или умножить на 2 (если комбинировать фронты и спады).

Ваша идея, на мой взгляд, ближе к варианту захвата DDS в кольце ФАПЧ, только DDS еще можно использовать отдельно. А варианты, рассмотренные выше, ближе к идее объединения нескольких PDS или DDS.

Конечно же, исходную опорную частоту надо иметь в 4 раза выше той, которая используется для фазового сравнения. Если таковой нет, то можно и умножить. А как же иначе? Другого пути не вижу.

 

Со сравнением с DDS в петле ФАПЧ пока не могу согласиться. Пожалуйста, поясните, почему так считаете? А рассмотренные выше варианты, по-моему, ближе к частному, простейшему случаю PDS.

 

 

[rloc 43]

Со сравнением с DDS в петле ФАПЧ пока не могу согласиться. Пожалуйста, поясните, почему так считаете?

Интуиция подсказывает, больше сказать не могу.

[Vitaly_K 0]

Интуиция подсказывает, больше сказать не могу.

Тогда попробую помочь Вашей интуиции.

В DDS есть аккумулятор фазы и в PDS есть нечто подобное. С его помощью формируется некий процесс, который в DDS преобразовывается ЦАП-ом в синус, и на этом дело заканчивается. Частота на выходе DDS, при более или менее приемлемом спектре, много ниже тактовой. Чтобы её поднять, включают DDS в качестве ДДПКД в систему ФАПЧ. Это как бы второй приём для формирования сетки частот. В PDS сетка формируется в один приём, есть только петля ФАПЧ, и управляющий сигнал с ЦАП подаётся на ГУН. Можно согласиться, что некоторое сходство есть. А главное отличие в том, что в PDS используется расщепитель фазы. Из-за этого при одинаковых диапазонах частот спектр у PDS несравненно чище, чем у системы DDS+ФАПЧ.

 

 

[rloc 43]

Vitaly_K, железки нет, поэтому PDS остается несравненной системой. Ничем не могу возразить.

[Vitaly_K 0]

Vitaly_K, железки нет, поэтому PDS остается несравненной системой. Ничем не могу возразить.

Конечно же, Вы правы, и ничего другого от Вас не ожидал. Я так излагаю, потому что уверен в этом. А право сомневаться есть у каждого.

 

[eugeny_bt 0]

Встречались ли кому статьи/литература по сравнению уровня фазового шума выходного сигнала источника СВЧ колебаний, изготовленного в виде монолитной ИС (аналоговый автогенератор, быть может) по различным техпроцессам? В идеале одна и та же схема (желательно как можно проще) и топология в кремнии, арсениде галлия, нитриде галлия, кремний-германии. Глобально хотелось бы понять связь"фазовый шум - технология", фазовый шум - конструкция прибора (биполярный, биполярный с гетеропереходом, МОПТ, HEMT, ПТШ).

[eugeny_bt 0]

Я так понимаю, ГУН - один из основных элементов СВЧ синтезатора. Фазовый шум ГУН определяется добротностью элементов, которые обычно являются внешними по отношению к кристаллу. Может, поэтому никто не отвечает на вопрос, я его не в той теме задаю?

 

[ledum 0]

Глобально хотелось бы понять связь"фазовый шум - технология", фазовый шум - конструкция прибора (биполярный, биполярный с гетеропереходом, МОПТ, HEMT, ПТШ).

Вы про это http://scholarcommons.usf.edu/cgi/viewcont...amp;context=etd ? рис. 4.6. Но это только часть. Погуглите leeson formula phase noise

Изменено 5 декабря, 2013 пользователем ledum

[khach 33]

Встречались ли кому статьи/литература по сравнению уровня фазового шума выходного сигнала источника СВЧ колебаний, изготовленного в виде монолитной ИС (аналоговый автогенератор, быть может) по различным техпроцессам?

Cамом интересно было бы найти такой обзор. Только боюсь, нереально. Максимум таблицы с достигнутыми параметрами с указанием технологий. Проблема в том, что под каждую технологию нужна глубокая оптимизация конструкции в соответствии с достижениями этой технологии. Поэтому более новые технологии могут проигрывать старым, т.к у старых все параметры уже известны.

Максимум- графики достигнутых ФШ в координатах например ФШ-частота или ФШ-годы разработки с цветными звездочками для обозначения технологий.

 

В идеале одна и та же схема (желательно как можно проще) и топология в кремнии, арсениде галлия, нитриде галлия, кремний-германии.

Дык работать не будет. С кремния на нитрид топологию перенести нельзя- другие свойства подложки. Не говоря о полностью разных частотных диапазонах.

 

[rloc 43]

Вы про это http://scholarcommons.usf.edu/cgi/viewcont...amp;context=etd ? рис. 4.6. Но это только часть.

Спасибо за хорошую статью. Есть еще предположение, неоднократно подтвержденное разными источниками, что технология InGaP HBT имеет шумы на уровне SiGe HBT, или даже просто Si. Не попадалось сравнение? Взять хотя бы Hittite HMC606LC5, или ГУНы ведущих производителей (TriQuint, RFMD, MACOM, Hittite, Analog Devices в перспективе и др.), или АЦП в топовых осциллографах Agilent.

[VCO 0]

Я так понимаю, ГУН - один из основных элементов СВЧ синтезатора. Фазовый шум ГУН определяется добротностью элементов, которые обычно являются внешними по отношению к кристаллу. Может, поэтому никто не отвечает на вопрос, я его не в той теме задаю?

Так ведь фазовые шумы ГУНа наиболее актуальны прежде всего для узкополосных ФАПЧ, где ФШ синтезатора главным определяются по ГУНу, а так как они имеют наглость свойство резко расти с ростом температуры, ГУН выбирается с большим запасом по ФШ к требованиям, поэтому интегральный никак не применим. В широкополосных же ФАПЧ ФШ большинства ГУНов, даже интегральных, в большинстве случаев уже удовлетворяют выбранным приложениям, поэтому в последнее время акценты сместились в сторону ФШ самой микросхемы ФАПЧ или самого ФД. Hittite не дадут соврать.

 

Для меня же использование встроенного ГУНа вызывает большое сомнение прежде всего в плане высокого уровня ПСС (Щас посыплются тапки: "Опять ты со своими ПСС!" :twak: ), поэтому является пмсм моветоном... ...Но тут уже Hittite со мною несогласны!

[eugeny_bt 0]

Еще одно сравнение: Differencial oscillators. Так же есть работа, в которой утверждают, что ГУН, сделанный по технологии GaN на SiC по фазовому шуму мало отличается от того же ГУН, сделанного по тех-ии GaN на Si. (High Power and Low Phase Noise MMIC VCO Using 0.35 µm GaN-on-Si HEMT, Hsuan-ling Kao, Bo-Wen Wang, Chih-Sheng Yeh, Cheng-Lin Cho, Bai-Hong Wei, and Hsien-Chin Chiu ).

Изменено 7 декабря, 2013 пользователем Пацаев

[Sergey Beltchicov 0]

А вторую и третью части где-то можно посмотреть?

 

Немного запоздал с ответом. Здесь можно

http://www.youtube.com/watch?v=UNrFFrm61uM...eature=youtu.be

[ledum 0]

Еще одно сравнение: Differencial oscillators. Так же есть работа, в которой утверждают, что ГУН, сделанный по технологии GaN на SiC по фазовому шуму мало отличается от того же ГУН, сделанного по тех-ии GaN на Si.

На таких шумах говорить о технологии бессмысленно ИМХО.