Jump to content

    

Вопросы по технологиям изготовления ИС

Решил создать это тему для всех вопросов, а то так я темами весь форум заполню :-)

 

Очередные вопросы (сквозная нумерация, чтобы не путаться кто на что отвечает):

 

1) Почему когда выполняют ионную имплантацию/травление наращивают SiO2 специально для маскирования ненужных областей?

Неужели слой фоторезиста плохо защищает, даже если его толщина в 2-3 раза больше SiO2?

 

2) Где и что можно почитать по оптике используемой в (иммерсионной) фотолитографии и high-NA?

Edited by BarsMonster

Share this post


Link to post
Share on other sites
1) Почему когда выполняют ионную имплантацию/травление наращивают SiO2 специально для маскирования ненужных областей?

Неужели слой фоторезиста плохо защищает, даже если его толщина в 2-3 раза больше SiO2?

 

2) Где и что можно почитать по оптике используемой в (иммерсионной) фотолитографии и high-NA?

 

 

 

1) Окисел как правило не наращивают специально, он получается достаточно толстый например при разгонке кармана. А дальше просто вскрывают активные области под транзисторы и этот окисел автоматически становится естественной маской.

Share this post


Link to post
Share on other sites

3) В установках плазменного травления/легирования - там по одной установке на каждое рабочее вещество, или одна установка на все? Что тогда делают с остатками веществ с прошлых операций - они ведь наверняка "налипают" на стенки...

Share this post


Link to post
Share on other sites
3) В установках плазменного травления/легирования - там по одной установке на каждое рабочее вещество, или одна установка на все? Что тогда делают с остатками веществ с прошлых операций - они ведь наверняка "налипают" на стенки...

 

Действительно налипают и потом осыпаются на пластины в виде грязи создают дополнительные дефекты) Но стараются чистить или пластину переворачивают, вобщем я слышал много баек на эту тему) может кто что конкретное расскажет, самому интересно)

Share this post


Link to post
Share on other sites
Действительно налипают и потом осыпаются

 

Так оно не только осыпаться должно, а во время следующей операции новые ионы будут выбивать старые атомы из стенок = загрязнение плазмы...

 

Share this post


Link to post
Share on other sites

4) Есть ли софт попроще TCAD-а для моделирования одного транзистора, чтобы можно было нарисовать например его в разрезе и посмотреть как что работает (посроить ВАХ там, графики напряженности поля и т.д), точность - плюс/минус лопата устроит, гдавное чтобы можно было основательно со всем разобраться...

Share this post


Link to post
Share on other sites
4) Есть ли софт попроще TCAD-а для моделирования одного транзистора, чтобы можно было нарисовать например его в разрезе и посмотреть как что работает (посроить ВАХ там, графики напряженности поля и т.д), точность - плюс/минус лопата устроит, гдавное чтобы можно было основательно со всем разобраться...

 

 

MicroTec. Можно 3D, 2D и 1D профили посмотреть, и ВАХ посчитать.

Share this post


Link to post
Share on other sites
MicroTec. Можно 3D, 2D и 1D профили посмотреть, и ВАХ посчитать.
Есть доступный и здоровый от предрассудков дистриб где-то?

Интересно было бы покрутить.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Есть доступный и здоровый от предрассудков дистриб где-то?

Интересно было бы покрутить.

 

У меня где то валяется старая версия, но она года 94 выпуска =) версия 3.10 чтоли. Сейчас вроде есть 4.х версия но она помоему мало чем отличается )) могу куда нибудь залить если найду

Share this post


Link to post
Share on other sites
У меня где то валяется старая версия, но она года 94 выпуска =) версия 3.10 чтоли. Сейчас вроде есть 4.х версия но она помоему мало чем отличается )) могу куда нибудь залить если найду
Жду в предвкушении.

Share this post


Link to post
Share on other sites

5) Как отличается работа диодов шотки с кремнием легированным в n и p тип?

Share this post


Link to post
Share on other sites

6) Почитал замечательную книжку - "Металлизация ультрабольших интегральных схем".

Однако остались вопросы: в чем проблемы использования серебра и золота для металлизации внутри схемы и контактов к транзисторам? Очевидно, что дело не в стоимости материалов :-)

Share this post


Link to post
Share on other sites
6) Почитал замечательную книжку - "Металлизация ультрабольших интегральных схем".

Однако остались вопросы: в чем проблемы использования серебра и золота для металлизации внутри схемы и контактов к транзисторам? Очевидно, что дело не в стоимости материалов :-)

 

Могу предположить что дело в конформности. Для алюминия уже все отлажено многолетним опытом проб и ошибок))

Share this post


Link to post
Share on other sites
Могу предположить что дело в конформности. Для алюминия уже все отлажено многолетним опытом проб и ошибок))

Извиняюсь, а что такое конформность в данном контексте?

Share this post


Link to post
Share on other sites
Извиняюсь, а что такое конформность в данном контексте?

 

конформность отражает качество заполнения канавок и ступенек, в данном случае металлом. Алюминий напылять проще чем золото при этом обеспечивается хорошее заполнение зазоров.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now
Sign in to follow this