Перейти к содержанию
    

Вопросы по технологиям изготовления ИС

Решил создать это тему для всех вопросов, а то так я темами весь форум заполню :-)

 

Очередные вопросы (сквозная нумерация, чтобы не путаться кто на что отвечает):

 

1) Почему когда выполняют ионную имплантацию/травление наращивают SiO2 специально для маскирования ненужных областей?

Неужели слой фоторезиста плохо защищает, даже если его толщина в 2-3 раза больше SiO2?

 

2) Где и что можно почитать по оптике используемой в (иммерсионной) фотолитографии и high-NA?

Изменено пользователем BarsMonster

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

1) Почему когда выполняют ионную имплантацию/травление наращивают SiO2 специально для маскирования ненужных областей?

Неужели слой фоторезиста плохо защищает, даже если его толщина в 2-3 раза больше SiO2?

 

2) Где и что можно почитать по оптике используемой в (иммерсионной) фотолитографии и high-NA?

 

 

 

1) Окисел как правило не наращивают специально, он получается достаточно толстый например при разгонке кармана. А дальше просто вскрывают активные области под транзисторы и этот окисел автоматически становится естественной маской.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

3) В установках плазменного травления/легирования - там по одной установке на каждое рабочее вещество, или одна установка на все? Что тогда делают с остатками веществ с прошлых операций - они ведь наверняка "налипают" на стенки...

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

3) В установках плазменного травления/легирования - там по одной установке на каждое рабочее вещество, или одна установка на все? Что тогда делают с остатками веществ с прошлых операций - они ведь наверняка "налипают" на стенки...

 

Действительно налипают и потом осыпаются на пластины в виде грязи создают дополнительные дефекты) Но стараются чистить или пластину переворачивают, вобщем я слышал много баек на эту тему) может кто что конкретное расскажет, самому интересно)

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Действительно налипают и потом осыпаются

 

Так оно не только осыпаться должно, а во время следующей операции новые ионы будут выбивать старые атомы из стенок = загрязнение плазмы...

 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

4) Есть ли софт попроще TCAD-а для моделирования одного транзистора, чтобы можно было нарисовать например его в разрезе и посмотреть как что работает (посроить ВАХ там, графики напряженности поля и т.д), точность - плюс/минус лопата устроит, гдавное чтобы можно было основательно со всем разобраться...

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

4) Есть ли софт попроще TCAD-а для моделирования одного транзистора, чтобы можно было нарисовать например его в разрезе и посмотреть как что работает (посроить ВАХ там, графики напряженности поля и т.д), точность - плюс/минус лопата устроит, гдавное чтобы можно было основательно со всем разобраться...

 

 

MicroTec. Можно 3D, 2D и 1D профили посмотреть, и ВАХ посчитать.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

MicroTec. Можно 3D, 2D и 1D профили посмотреть, и ВАХ посчитать.
Есть доступный и здоровый от предрассудков дистриб где-то?

Интересно было бы покрутить.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Есть доступный и здоровый от предрассудков дистриб где-то?

Интересно было бы покрутить.

 

У меня где то валяется старая версия, но она года 94 выпуска =) версия 3.10 чтоли. Сейчас вроде есть 4.х версия но она помоему мало чем отличается )) могу куда нибудь залить если найду

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

У меня где то валяется старая версия, но она года 94 выпуска =) версия 3.10 чтоли. Сейчас вроде есть 4.х версия но она помоему мало чем отличается )) могу куда нибудь залить если найду
Жду в предвкушении.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

5) Как отличается работа диодов шотки с кремнием легированным в n и p тип?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

6) Почитал замечательную книжку - "Металлизация ультрабольших интегральных схем".

Однако остались вопросы: в чем проблемы использования серебра и золота для металлизации внутри схемы и контактов к транзисторам? Очевидно, что дело не в стоимости материалов :-)

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

6) Почитал замечательную книжку - "Металлизация ультрабольших интегральных схем".

Однако остались вопросы: в чем проблемы использования серебра и золота для металлизации внутри схемы и контактов к транзисторам? Очевидно, что дело не в стоимости материалов :-)

 

Могу предположить что дело в конформности. Для алюминия уже все отлажено многолетним опытом проб и ошибок))

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Могу предположить что дело в конформности. Для алюминия уже все отлажено многолетним опытом проб и ошибок))

Извиняюсь, а что такое конформность в данном контексте?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Извиняюсь, а что такое конформность в данном контексте?

 

конформность отражает качество заполнения канавок и ступенек, в данном случае металлом. Алюминий напылять проще чем золото при этом обеспечивается хорошее заполнение зазоров.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...