[BarsMonster 0]

Сабж, ведь все равно везде надо легировать, и обычно чем сильнее тем лучше, т.е. пока плотность легирующих добавок существенно выше плотности примесей - должно работать без проблем, верно?

Если даже на таком ужасе как аморфный кремний транзисторы работают, чем мешают загрязнения (0.1% например)?

 

Дефекты кристаллической решетки? Ну так они в любом случае будут при легировании...

 

Или я что-то не понимаю?

Изменено 27 октября, 2010 пользователем BarsMonster

[Microwatt 2]

- во-первых, от чистоты исходного кремния очень сильно зависит его проводимость. Не очень же захочется, чтобы транзистор в запертом состоянии проводил 20% тока?

- во-вторых, легируют не абы чем, а добавками с определенной валентностью, чтобы иметь р и n- переходы. И легируют тоже не лопатой, а в очень узких пределах.

_ с третьего по 23 спецы по физике твердого тела подробнее расскажут.

[BarsMonster 0]

- во-первых, от чистоты исходного кремния очень сильно зависит его проводимость. Не очень же захочется, чтобы транзистор в запертом состоянии проводил 20% тока?

- во-вторых, легируют не абы чем, а добавками с определенной валентностью, чтобы иметь р и n- переходы. И легируют тоже не лопатой, а в очень узких пределах.

_ с третьего по 23 спецы по физике твердого тела подробнее расскажут.

 

1) Мне казалось что в запертом состоянии транзистор не проводит вовсе не засчет высокого оммического сопротивления полупроводника, а за счет невозможности прохождения носителей заряда через потенциальный барьер p-n перехода.

 

2) Верно. Но ведь делают спокойно микросхемы на уже легированных подложках например p типа - просто в нужных местах легируют сильнее n типом, n тип в итоге и получается.

 

[V_G 8]

Чем более чистый исходный материал, тем выше процент выхода годных и тем выше надежность девайса при эксплуатации. Если дефект попал в область p-n перехода, этот переход чаще всего оказывается бракованным. Таким образом, тем мельче проектные нормы, т.е. больше p-n переходов на единице объема кристалла, тем более читый требуется материал.

А высокий уровень легирования не всегда хорошо (типа залегировал все подряд, и скрыл все дефекты). Меняется подвижность носителей (читай: быстродействие), обратные токи и туча других параметров.

Короче, не сделать из дерьма конфетку...

[EUrry 3]

1) Мне казалось что в запертом состоянии транзистор не проводит вовсе не засчет высокого оммического сопротивления полупроводника, а за счет невозможности прохождения носителей заряда через потенциальный барьер p-n перехода.

Кроме потенциального барьера p-n перехода есть неосновные носители в p- и n-областях, которые и обусловливают токи утечки перехода. А концетрация неосновных носителей как раз и определяется исходным материалом.

[BarsMonster 0]

Кроме потенциального барьера p-n перехода есть неосновные носители в p- и n-областях, которые и обусловливают токи утечки перехода. А концетрация неосновных носителей как раз и определяется исходным материалом.

 

Т.е. получается что классический процесс, когда в пластине p-типа делают n-области обладает врожденным недостатком?

Т.е. если пластину брать нелегированую, и легировать только нужные части в p/n тип, то токи утечки были бы ниже, хоть и с большим количеством производственных операций?

[EUrry 3]

Т.е. получается что классический процесс, когда в пластине p-типа делают n-области обладает врожденным недостатком?

Ну а как по другому сделать сие по планарной технологии? Кроме того, это еще не главная причина требований к высокому уровню очистки исходного материала. Есть примеси и других вредностей, дефекты из-за которых могут и не только токи утечки изгадить, а привести к еще более нежелательным эффектам, в том числе квантовым. Но подробности уже не от меня - я этим не занимаюсь и здесь не советчик! :laughing:

[BarsMonster 0]

Ну а как по другому сделать сие по планарной технологии?

 

С тем же кол-вом масок - никак ) А так легировать отдельно в p/n тип разве проблема?

Изменено 30 октября, 2010 пользователем BarsMonster

[EUrry 3]

С тем же кол-вом масок - никак ) А так легировать отдельно в p/n тип разве проблема?

Так ведь первая область должна залегать глубже, соответственно то, что выше тоже легируется в любом случае - Вы же не сможете локализованную в толще облать легировать изнутри отдельно.

[BarsMonster 0]

Так ведь первая область должна залегать глубже, соответственно то, что выше тоже легируется в любом случае - Вы же не сможете локализованную в толще облать легировать изнутри отдельно.

 

При очень большом желании можно конечно сделать - с наращиванием кремния после первого легирования :-)

 

Но вообще SOI же работает - а там все на одной глубине.

[EUrry 3]

Но вообще SOI же работает - а там все на одной глубине.

Разве на одной? :cranky: Не буду спорить, но сомневаюсь, а исследованием данного вопроса, отдаленного от основных проблем, заниматься за неимением времени не могу. Там же вроде всё то же самое, только ПП слой на диэлектрике, а в радиационностойких ИС еще и каждый элемент отделен друг от друга.

[V_G 8]

Но вообще SOI же работает - а там все на одной глубине.

Работает, но не ахти. Параметры не лучшие, стоимость заоблачная. ИС высокой степени интеграции не сделаешь, опять-таки из-за неоднородности выращенного на диэлектрике кремния.

 

[BarsMonster 0]

Работает, но не ахти. Параметры не лучшие, стоимость заоблачная. ИС высокой степени интеграции не сделаешь, опять-таки из-за неоднородности выращенного на диэлектрике кремния.

 

IBM began to use SOI in the high-end RS64-IV "Istar" PowerPC-AS microprocessor in 2000. Other examples of microprocessors built on SOI technology include AMD's 130 nm, 90 nm, 65 nm and 45 nm single, dual, quad and six core processors since 2001.[15] Freescale adopted SOI in their PowerPC 7455 CPU in late 2001, currently Freescale is shipping SOI products in 180 nm, 130 nm, 90 nm and 45 nm lines.[16] The 90 nm Power Architecture based processors used in the Xbox 360, PlayStation 3 and Wii use SOI technology as well.

 

Только Intel не использует )

[evi 0]

Работает, но не ахти. Параметры не лучшие, стоимость заоблачная. ИС высокой степени интеграции не сделаешь, опять-таки из-за неоднородности выращенного на диэлектрике кремния.

 

SOI незаменима для специфических применений - высокие напряжения и температуры, а там цена не так важна, лишь бы работало

[dvladim 0]

SOI незаменима для специфических применений - высокие напряжения и температуры, а там цена не так важна, лишь бы работало

Не только. AMD выпускала процессоры сделанные по SOI. Мотивировали тем, что меньше емкость стоков и истоков, вследствие чего выше быстродействие и меньше токи утечки.