[НЕХ 4]

Решил, что панацеей от разлетающихся осколков корпусов транзисторов, будет слежение не только за амплитудой колебаний в контуре, получаемых с трансформатора тока, но и фазой. Синхронный детектор удержит индуктивный характер нагрузки полумоста.

[НЕХ 4]

Свеженькое по теме

Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant Converter

AN_9067.pdf

[wave48 0]

На чём можно изящно решить задачу задержки фронта ?

Винтовка Дегтярева плюс джигит. В чём промблемма?

[НЕХ 4]

Никаких проблем - задержка, в том виде, как была, не нужна и, более того, вредна.

Слишком большое dead time приводит к бОльшим токам при выключении или к жесткому переключению (если прозевать момент смены направления тока).

Необходима адаптивная задержка, следящяя за напряжением на стоке.

[НЕХ 4]

Причина выхода из строя на малой нагрузке кроется в медленном внутреннем диоде и постоянном слепом dead-time.

Вредные заряды не рассасываются из него даже если на затвор подано напряжение !

Когда течёт через канал приличный ток, на сток-исток появляется напряжение и рассасывание носителей происходит быстрее, так как на внутреннем диоде уже обратное напряжение.

APT9804.pdf

[НЕХ 4]

перевод статьи попался - придётся ставить MOSFET с быстрым внутренним диодом, благо сегодня их выбор богат.

 

Адаптивный алгоритм мёртвого времени обнаружился лишь у TEA1713 - следят за производной напряжения на силовом ключе.

 

Не попадались ли Вам альтернативные решения ?

__________MOSFET_2006_04.pdf

TEA1713__AN10881.pdf

[Integrator1983 0]

LTC3722-1/2, UCC2895/UCC3895, UCC28950. Внешними цепями организовывается в UC2875/UC3875. Также можно применить DSP и толкового программиста. Первая регулирует DeadTime прямо по напряжению сток-исток, остальные - косвенно - по току моста. Если вставить DSP - как пожелаете.

 

 

http://www.intersil.com/data/an/an9506.pdf - обратите внимание на Figure 17.

[НЕХ 4]

А не доводилось ли Вам встречать такое бюджетное решение проблем в ZVS мостах :

параллельно внутреннему паразитному диоду устанавливается маленький, МЕДЛЕННЫЙ (стандартный) диодик ?

При прохождении возвратного тока заряд накапливается в обоих - внутреннем MOSFET и этом дополнительном, а при закрытии транзистора дополнительный диод ограничил бы скорость роста напряжения на стоке ниже регламентированной производителем транзистора.

Изменено 11 ноября, 2010 пользователем НЕХ

[Integrator1983 0]

Идея не очень понятна - накопить дополнительный заряд в медленном диоде, чтобы потом его рассасывать? (хотя неочевидно, что заряд будет распределяться между внутренним и внешним диодами - скорее всего, в насыщении будет один из них). Если нужно ограничить скорость - поставьте емкость С-И или поиграйтесь цепями затвора.

 

http://de.sitestat.com/infineon/infineon/s...112b40ac9a40688

- стр. 9 - 12

[НЕХ 4]

ёмкость С-И стоит.

задача не допустить развития вторичного пробоя полевика при рассасывании зарядов body-diode (которые почти никуда не деваются при малом напряжении С-И, оказавшись там после переключения ZVS)

CoolMOS(как представитель SuperJunction MOSFET), кстати, несмотря на медленный внутренний диод и большой заряд в нём, не страдают проблемой dV/dt reverse recovery.

(Имя проблемы - The activation of the parasitic bipolar transistor during reverse recovery of the internal diode of a power MOSFET used as a fly-back diode in a half-bridge )

Изменено 11 ноября, 2010 пользователем НЕХ

[Integrator1983 0]

Емкость С-И, затягивая du/dt, позволяет мягко восстановиться оппозитному диоду в момент ZVS - ток восстановления, при том же интегральном значении, "размазан" во времени, критической плотности тока, необходимой для развития вторичного пробоя, не достигается - соответственно, вторичный пробой не происходит.

 

CoolMOS(как представитель SuperJunction MOSFET), кстати, несмотря на медленный внутренний диод и большой заряд в нём, не страдают проблемой dV/dt reverse recovery.

 

На мой взгляд, еще и как страдают! Берем SPW17N80C3 - громадный заряд восстановления (15uC) + канал 0,25 Ом - и видим описанную выше картину. Во всяком случае, мне другого объяснения отказов этих транзисторов в мостовой схеме найти не удалось (пиковый ток в ключе при номинальной нагрузке - 11 А, нагрузка - порядка 60 % от номинала, отказ - при работе от 20 сек до 2 мин в зависимости от партии ключей (партия с лазерной маркировкой вылетала быстро, маркированные краской - работали дольше). При этом, выхода из резонанса не наблюдалось, на полной нагрузке (быстро проскочив указанный диапазон нагрузок) - нормально работали, скорости du/dt не превышались, в корректоре рядом эти же ключи работали при пиковом токе токе, большем в 1,6 раза и более высоких скоростях открытия/закрытия - и прекрасно себя чувствовали).

[НЕХ 4]

Так почему же горят ?

в статье на русском языке хвалятся, что отказы будут редки...

 

А тут Infineon призывает ставить новые С6 вместо CFD (с быстрым диодом) в резонансники

http://www.infineon.com/dgdl/Mastering+the...127903d130171e1

CoolMOS______________.PDF

Изменено 13 ноября, 2010 пользователем НЕХ

[Integrator1983 0]

Так поэтому, если я правильно понимаю, и горят - большой заряд диода не восстанавливается на маленьком сопротивлении канала - включение оппозитного ключа происходит при насыщенном диоде -сквозной ток - плотность тока превышает критическую - вторичный пробой - меняй ключи.

 

После замены на SPW17N80C3 на IXFH23N80Q (с большим в 2 раза сопротивлением канала и меньшим в 15 раз зарядом восстановления диода) - как бабка пошептала.

 

А CoolMOS C6 весчь конечно хорошая, но на базаре его не купишь. А если из-за границы везти - то IXYS или APT мне больше нравятся. Кроме того, С6 на 800 В нету... :crying:

[НЕХ 4]

Получается, что кратковременно, CoolMOS выдерживают жесткую коммутацию диода с огромным dI/dt при выходе из ZVS режима, а при продолжительной работе на холостом ходу из-за вкусившего тока внутреннего диода обречены.

 

не сравнивали транзисторы CoolMOS Infineon c разными MESH от ST ? Есть ли различие в характеристиках от разницы в технологиях ?

[НЕХ 4]

IXYS производит полевики с сочетанием малого заряда в body-diode (1 мкQ) и, в тоже время, низкой скоростью восстановления dV/dt (5 V/ns).

Получается, заряд важнее скорости ?