[крупный радиолюбитель 1]

- не, диод с накоплением заряда, пмсм, не самое эффективное решение.

[Integrator1983 0]

Если не секрет, в чем разница (G-S замкнуты)?

[НЕХ 4]

Докладываю - так ведет себя только ST серии М5.

у COOLMOS поведение больше сродни обыкновенному диоду и S-образный перезаряд получится сам собой.

но такого хорошего всплеска тока при закрытии ключа нет ни у кого, кроме М5.

на этом положительные стороны окончены - снаббер удалось таки сжечь с закороченными затвор-исток.

потом были поиски диода, желающего шустро открыться за 50 нс - fast forward recovery.

они показали, что действительно у М5 - ленивый диод.

Изменено 21 августа, 2013 пользователем НЕХ

[НЕХ 4]

Прошла парочка лет после этих опытов... и буржуи спохватились :maniac: "new physical effect" during the charge and discharge

 

"Origin of Anomalous COSS Hysteresis in Resonant Converters With Superjunction FETs"

http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDeta...rnumber=7173033

 

"Coss Related Energy Loss in Power MOSFETs Used in Zero-Voltage-Switched Applications"

http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDeta...rnumber=6803302

Device A шокирует - и ST срочно лепит серию M2-EP

как бы не пришлось отвечать в суде за потери при включении в ZVS :crying:

 

традиционное ритуальное сжигание 2015 -

"An Analysis of the Switching Performance and Robustness of Power MOSFETs Body Diodes"

http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.jsp?t...rnumber=6853362

 

скачать можно через sci hub org

[Hexel 0]

НЕХ

вы могли бы растолковать пожалуста, как правильно применить адаптивный драйвер для переключения в ZVS? он применим для индукционного нагрева?

у меня управляющий модуль сам довольно четко следит за фазой переключения, хотя небольшие выбросы появляются выше и ниже средины диапазона подстройки. хотелось бы чтоб транзисторы не погибли в емкостной зоне нагрузки

[НЕХ 4]

В индукционном нагреве прекрасно работает - смело применяйте.

Сам за фазой не слежу - не использую трансформаторы тока или слежение за напряжением в контуре.

Резонансная частота легко находится по мёртвому времени - при подходе к резонансу это время растёт.

Вам может помочь зазор в силовом трансформаторе - ток намагничивания облегчит переключение ZVS

 

Только добавьте в драйвер элементы защиты - чрезмерное превышение тока и мёртвого времени должно отключать задающий генератор.

Изменено 27 ноября, 2015 пользователем НЕХ

[Hexel 0]

есть такая книжечка http://www.tdx.cat/bitstream/handle/10803/....pdf?sequence=1

 

в ней на стр 74 говорится что мягкое переключение невозможно при Q < 0.5. понимаете, знания собираю по крохам в надежде на то, что они рано или поздно обретут завершенную картину. вот и спрашиваю, а где же правда? вы испытывали драйвер на малых Q? думаю, что такие ситуации относятся больше к нагреву силовых элементов, чем заготовки, но все же. и такой вопрос - при Q < 0.5 работа инвертора считается допустимой?

[НЕХ 4]

использование фазового регулирования вкупе с изменением частоты решает проблемы оптимального переключения транзисторов.

[Hexel 0]

НЕХ

 

спустя столько времени возник вопрос: а в чем функция N-канального транзистора в адаптивном драйвере? я планирую прикрутить его к оптодрайверу HCPL316J, у него полное питание составит 25В. Схема явно будет себя вести иначе чем при 12В, и этот транзистор беспокоит меня больше всего. да и вообще интересно. Плюс выход 316J идет на totem-pole буферный драйвер. что если я оставлю только Р-канал?

[НЕХ 4]

N-канальный стоит для защиты от токов сверх нормы и отключения при не наступлении ZVS условий (при заряде затвора резистором, параллельным P-mosfet)

hcpl316 уже с защитой

управлял изменённым драйвером SiC mosfet с размахом +20 -4

помните о пределах напряжения затвор-исток для р-канального и о том, что сток может залетать ниже истока на десяток-другой вольт на короткое время.

адаптируйте драйвер под свои задачи - он же адаптивный :rolleyes:

[Hexel 0]

да, 316-й уже с защитой, она будет работать независимо. ключики применяю IRGP50B60D1 в параллель 3-5шт. питание +18В -7В.

я смотрю на схему из поста #96 и думаю - диод шоттки (между затворами) направлен в правильную сторону? потому что иначе я не пойму в какой ситуации там вообще присутствует отпирающее напряжение? при не наступлении ZVS не откроется и Р канал и на затвор N канала напряжение уже не попадает, хотя если развернуть шоттки, тогда получается что подтяжка к +12В держит затвор на земле. но тогда я не возьму в толк что делает 680пик. я часа полтора разглядывал схему, не подумайте) но можно все таки пару слов как работает схема?

[НЕХ 4]

схема работает изумительно - сберегла много ключей

диод Шоттки разряжает затвор n-канального при благополучной работе основного ключа.

там сноска в описании на упущенный резистор, параллельный p-канальному.

Но для IGBT ZVS не очень нужен, если только не стоят параллельно коллектор-эмиттер здоровенные ёмкости (0.03 - 0.1 мкф).

[khach 33]

есть такая книжечка http://www.tdx.cat/bitstream/handle/10803/....pdf?sequence=1

Какая хорошая книжечка, наконец хоть одна работа по поводу load adaptive phase locked loop.

А есть что еще почитать по этому поводу?

Чтобы не было оффтопика- есть ли примеры реализации digital (software) phase locked loop использованием capture- compare таймеров для подстройки петли? И варианты adaptive deadtime для работы на границе сквозного тока.

 

[крупный радиолюбитель 1]

традиционное ритуальное сжигание 2015 -

"An Analysis of the Switching Performance and Robustness of Power MOSFETs Body Diodes"

 

Интересно, а над SiC ещё никто так не глумился? Например, боди-диод транзистора SCT30N120 имеет Trr=140ns. Подозрительно много по сравнению с конкурирующим C2M0080120D. Как бы чего не вышло при питающем напряжении под киловольт. :)

[НЕХ 4]

Просто di/dt различаются в тесте в 24 раза :rolleyes:

Не слышал о проблемах с диодом, дующий на воду всегда сможет применить SiC Шоттки.