Перейти к содержанию
    

Дамы и Господа! SiBM пал... примите мои искренние соболезнования)

Первоначально мучился с алгоритмом представленном в статье Low-Power High-Throughput BCH Error Correction VLSI Design

for Multi-Level Cell NAND Flash Memories. Не работает. Попытался найти другой источник этого алгоритма, наткнулся на патент. Там все тоже самое, но с одной опечаткой. После длительного поиска нашелся 3-ий источник. Какая то заморская статья на не понятном мне языке. Хорошо, что сам алгоритм оказался в нормальном виде. Вот в нем нашлись отличия и то со своими опечатками. Покрутился с ним и все-таки получил верный результат. Из опечаток (ошибок) 2-го варианта обнаружилось, что при инициализации Тетта_большая(2t)(0)=1, так же как и Тетта_малая(2t)(0)=1. Это видно из приложенных к алгоритмам русункам. 1 - нулевой элемент поля Галуа. Ну и 2-ая опечатка (ошибка) в шаге 2, в первой ее части. При исключении отдельных i Тетта_большая® потеряли 2*r. Должна быть аналогичная запись с исключением i как и во второй части 2-го шага, причем исключение i во второй части никак не влияет на результат. К сообщению прикрепляю файлы и картинки с алгоритмами. Всем спасибо за внимание)

post-26768-1457597662_thumb.jpg

post-26768-1457597673_thumb.jpg

siBM.pdf

siBM_com_eng___1_.rar

Изменено пользователем Neznaika

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...