[Kattani 0]

Исходя из чего выбираются размеры кп и её термобарьера на внутреннем слое?

Допустимо ли выполнить подключение к planе-у способом, показанным во вложении?

Заранее благодарен.

[uriy 4]

Я соединяю via вовсе без термобарьера, туда же не будет ничего запаиваться. С термобарьером соединяю только padы.

[Kattani 0]

С via понятно, спасибо. А как быть с pad-ом? Если вместо via в примере будет pad, то нужно ли расширить plane в месте подключения или оставить как есть? И размеры этого термобарьера как правильно выбрать?

[Ant_m 0]

На большинство ваших вопросов есть ответы непосредственно у производителя плат. Так что, лучше узнавать, и согласовывать это с тем производством с которым вы работаете.

[Kattani 0]

Производитель "Резонит". Технологические возможности выложены у них на сайте, но нужных мне данных не нашёл или просто не туда смотрел. Поэтому здесь и спрашиваю.

[uriy 4]

http://rezonit.ru/urgent/ml/

Размер минимальной контактной площадки:

для металлизированных отверстий 0,4-1,1 мм — +0,5 мм

для металлизированных отверстий 1,2-1,6 мм — +0,55 мм

для металлизированных отверстий свыше 1,6 мм — +0,8 мм

Отдельно не оговорены внутренние и внешние слои так что видимо одинаково.

[Michael58 2]

Я соединяю via вовсе без термобарьера, туда же не будет ничего запаиваться. С термобарьером соединяю только padы.

 

Если речь идет о высокочастотных сигналах, то ток будет распространяться по поверхности меди, и не сможет проходить через слой меди (Говард Джонсон. Высший курс черной магии, стр.470). Поэтому если соединить слои GND между собой у многослойной платы direct connected VIA, то возвратный ток не будет проходить между слоями, металлизация VIA будет для него преградой. Поэтому для сигналов выше 600-800 mHz лучше использовать via GND с термобарьерами.

[uriy 4]

Ariel ничего не понял из ваших слов. Посмотрите в той же книге следующую страницу (471 страницу) там есть картинка и via на ней соединяет два слоя без термобарьеров. Правда я текст еще не прочитал.

[cioma 0]

Если речь идет о высокочастотных сигналах, то ток будет распространяться по поверхности меди, и не сможет проходить через слой меди (Говард Джонсон. Высший курс черной магии, стр.470). Поэтому если соединить слои GND между собой у многослойной платы direct connected VIA, то возвратный ток не будет проходить между слоями, металлизация VIA будет для него преградой. Поэтому для сигналов выше 600-800 mHz лучше использовать via GND с термобарьерами.

Идея верна, а вывод - нет. Думаю, Вы имели в виду skin-эффект, ну так все зависит от того какие возвратные токи куда текут. В общем случае via соединяется напрямую с соответствующим слоем (питание, земля итп).

[Uladzimir 59]

Не путаете ли Via с термобарьерами с Via заполненными медбю?

Если речь идет о высокочастотных сигналах, то ток будет распространяться по поверхности меди, и не сможет проходить через слой меди (Говард Джонсон. Высший курс черной магии, стр.470). Поэтому если соединить слои GND между собой у многослойной платы direct connected VIA, то возвратный ток не будет проходить между слоями, металлизация VIA будет для него преградой. Поэтому для сигналов выше 600-800 mHz лучше использовать via GND с термобарьерами.

[Michael58 2]

Обьясните тогда как возвратный ток с первого, например, слоя, см приложенный рисунок, пойдет во 2-й слой, если он распространяется только по тонкому слою поверхности меди.

[omen 0]

Действительно, сопротивление, создаваемое перемычкой высокочастотному току будет зависеть от глубины проникновения высокочастонтого сигнала в толщу проводника.Чем выше частота тем, тем меньше глубина проникновения. А следовательно сопротивление будет зависеть от толщины металлизации виа. и причем здесь термобарьер, который совершенно не влияет на толщину металлизации...

глубина проникновения для 600МГц - 2.69469 um, 800МГц - 2.33367 um

Изменено 7 апреля, 2010 пользователем omen

[pcbfabru 0]

Обьясните тогда как возвратный ток с первого, например, слоя, см приложенный рисунок, пойдет во 2-й слой, если он распространяется только по тонкому слою поверхности меди.

Во-первых, даже если вообразить что ток "движется" так как вы вообразили, то как могут помочь термалпады вместо обычных?

Во-вторых, высокочастотный ток распространяется по поверхности (это правильно), только по какой поверхности?, По поверхности обращённой к ЭМ полю, т.е. для верхнего слоя по нижней, для внутреннего по обоим, для отверстия по внешней поверхности циллиндрической "втулки"

В-третьих, подключние цепи к любой точке объёма проводника искажает эм поле так, что ток в точке подключения направлен в сторну разности потенциалов, т.е. скин-эффект в точке подключения практически не влияет.

[PCBtech 0]

Обьясните тогда как возвратный ток с первого, например, слоя, см приложенный рисунок, пойдет во 2-й слой, если он распространяется только по тонкому слою поверхности меди.

 

С первого слоя на второй - вполне понятно как, т.к. ток течет по поверхности меди с обеих сторон, т.е. со стороны диэлектрика - тоже.

А вот как с первого слоя ток попадет на третий слой - непонятно, если от течет в поверхностном слое меди.

 

А вот если будут термобарьеры, т.е. дырки в медных полигонах, то через эти дырки ток вполне может по поверхности меди пойти и на третий слой, и на любой другой.

Похоже на бред, конечно... Или действительно на "черную магию".

 

А может, кто-нибудь из гуру быстренько промоделирует распространение возвратного тока через полигон для двух вариантов - с via "без термобарьеров", и "с термобарьерами", и покажет нам сечение обоих видов переходных отверстий с плотностью тока, с учетом скин-эффекта?

Скажем, для частоты 2.5 ГГц и 5 ГГц.

Мне кажется, что знающему человеку такое промоделировать - делов на 15 минут... Кто возьмется?

[pcbfabru 0]

С первого слоя на второй - вполне понятно как, т.к. ток течет по поверхности меди с обеих сторон, т.е. со стороны диэлектрика - тоже.

А вот как с первого слоя ток попадет на третий слой - непонятно, если от течет в поверхностном слое меди.

 

А вот если будут термобарьеры, т.е. дырки в медных полигонах, то через эти дырки ток вполне может по поверхности меди пойти и на третий слой, и на любой другой.

Похоже на бред, конечно... Или действительно на "черную магию".

 

А может, кто-нибудь из гуру быстренько промоделирует распространение возвратного тока через полигон для двух вариантов - с via "без термобарьеров", и "с термобарьерами", и покажет нам сечение обоих видов переходных отверстий с плотностью тока, с учетом скин-эффекта?

Скажем, для частоты 2.5 ГГц и 5 ГГц.

Мне кажется, что знающему человеку такое промоделировать - делов на 15 минут... Кто возьмется?

Не надо ничего мистифицировать. Скин эфект возникает только если есть значимая разность потенциалов между поверхностями в которой он возникает. А какая разность потенциалов будет между внешним и внутренним кольцом термобарьера (практически никакой или будет возникать при мгновеном возрастании нагрузки, и чем тоньше дорожки термобарьера тем больше эффект, которым всё равно можно принебречь). Кроме того, возвратный ток потечёт по ближайшему полигону к проводнику с основным током и другие слои в возвратных токах вообще не учавствуют. Они больше могут понадобиться для подпитки мс в момент просадок и тут то как раз скажется негативная роль вырезов.